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Horno de crecimiento de lingotes de SiC 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas PVT Lely Método TSSG LPE Alta tasa de crecimiento
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
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| Tiempo de entrega: | 6 a 8 polillas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 5set/month |
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Información detallada |
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| Heating Method: | Graphite Resistance Heating | Input Power: | Three-phase, five-wire AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
|---|---|---|---|
| Temperatura máxima de calentamiento: | 2300°C | Rated Heating Power: | 80kW |
| Heater Power Range: | 35kW ~ 40kW | Consumo de energía por ciclo: | Las demás instalaciones de combustión interna |
| Crystal Growth Cycle: | 5D ~ 7D | Main Machine Size: | 2150mm x 1600mm x 2850mm (Length x Width x Height) |
| Resaltar: | Horno de crecimiento de lingotes de SiC de 8 pulgadas,Fuego de crecimiento de lingotes de SiC de 6 pulgadas,Horno de crecimiento de lingotes de SiC de 4 pulgadas |
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Descripción de producto
Horno de crecimiento de lingotes de SiC, 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas, PVT Lely método TSSG LPE Alta tasa de crecimiento
Resumen del horno de crecimiento de lingotes de SiC
El horno de crecimiento de lingotes de SiC está diseñado para un crecimiento eficiente de cristales de carburo de silicio mediante calentamiento de resistencia al grafito.Funciona con una temperatura máxima de calentamiento de 2300 °C y una potencia nominal de 80 kWEl horno soporta un consumo de energía de entre 3500 kW·h y 4500 kW·h por ciclo, con un ciclo de crecimiento de cristales que oscila entre 5D y 7D. El tamaño del horno es de 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm.y tiene un caudal de agua de refrigeración de 6m3/hEl horno funciona en un ambiente de vacío con argón y nitrógeno como gases atmosféricos, garantizando una producción de lingotes de alta calidad.
SiC Ingot Growth Furnace's foto
Nuestro horno de crecimiento de lingotes de SiC es de tipo cristalino especial.
SiC tiene más de 250 estructuras cristalinas, pero solo el tipo 4HC se puede usar para dispositivos de potencia SiC.ZMSH ha ayudado con éxito a los clientes en el cultivo de este tipo de cristal específico varias veces utilizando su propio horno.
Nuestro horno de crecimiento de lingotes de SiC está diseñado para el crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) de alta eficiencia, capaz de procesar obleas de SiC de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas.Utilizando técnicas avanzadas como PVT (Transporte de vapor físico), Lely, TSSG (Método de gradiente de temperatura) y LPE (Epitaxia de fase líquida), nuestro horno admite altas tasas de crecimiento al tiempo que garantiza una calidad óptima del cristal.
El horno está diseñado para cultivar varias estructuras cristalinas de SiC, incluidos los 4H conductores, 4H semi-aislantes y otros tipos de cristales, como 6H, 2H y 3C.Estas estructuras son cruciales para la producción de dispositivos de potencia SiC y semiconductores, que son esenciales para aplicaciones en electrónica de potencia, sistemas de eficiencia energética y dispositivos de alto voltaje.
Nuestro horno de SiC garantiza un control preciso de la temperatura y condiciones uniformes de crecimiento del cristal, lo que permite la producción de lingotes y obleas de SiC de alta calidad para aplicaciones avanzadas de semiconductores.
El nuestroIngot de SiCLa ventaja de Growth Furnace
1-Diseño único del campo térmico
- El gradiente de temperatura axial es controlable, el gradiente de temperatura radial es ajustable y el perfil de temperatura es suave, lo que resulta en una interfaz de crecimiento de cristal que es casi plana,aumentando así el espesor de utilización del cristal.
- Reducción del consumo de materia prima: el campo térmico interno se distribuye uniformemente, lo que garantiza una distribución de la temperatura más uniforme dentro de la materia prima,Mejora significativa de la utilización del polvo y reducción de residuos.
- No existe un fuerte acoplamiento entre las temperaturas axial y radial, lo que permite un control de alta precisión de los gradientes de temperatura axial y radial.Esta es la clave para resolver el estrés cristalino y reducir la densidad de dislocación cristalina.
2- Alta precisión de control
El horno de crecimiento de lingotes de SiC está diseñado específicamente para producir cristales de carburo de silicio (SiC) de alta calidad, que son cruciales para aplicaciones de semiconductores, incluida la electrónica de potencia,OptoelectrónicaEl SiC es un material vital en la producción de componentes que requieren una alta conductividad térmica, eficiencia eléctrica y durabilidad.Nuestro horno está equipado con sistemas de control avanzados para garantizar una, el rendimiento óptimo y la calidad del cristal.
El equipo ofrece una precisión excepcional, con una precisión de suministro de energía del 0,0005%, una precisión de flujo de gas de ±0,05 L/h, una precisión de control de temperatura de ±0,5 °C,y una precisión de control de presión de cámara de ±10 PaEstos parámetros precisos crean un ambiente de crecimiento de cristales estable y uniforme, que es esencial para producir lingotes y obleas de SiC de alta pureza con mínimos defectos.
Los componentes clave del sistema, como la válvula proporcional, la bomba mecánica, la cámara de vacío, el medidor de flujo de gas y la bomba molecular, trabajan en conjunto para garantizar un rendimiento confiable.mejorar la utilización de los materialesEstos elementos contribuyen a la capacidad del horno para producir cristales de SiC de alta calidad que cumplen con las exigentes normas de la industria de semiconductores.
La tecnología de ZMSH® integra los últimos avances en los procesos de crecimiento de cristales, asegurando los más altos estándares de producción de cristales de SiC.Con la creciente demanda de componentes basados en SiC de alto rendimiento, nuestro equipo está diseñado para apoyar industrias como la electrónica de potencia, la energía renovable, y el desarrollo de tecnología avanzada,impulsar las innovaciones en soluciones energéticamente eficientes y aplicaciones sostenibles.
3- Funcionamiento automatizado
Respuesta automáticaMonitoreo de la señal, retroalimentación de la señal
Alarma automáticaAdvertencia de exceso de límite, seguridad dinámica
Control automáticoMonitoreo y almacenamiento en tiempo real de los parámetros de producción, acceso remoto y control.
Pronto activoSistema experto, interacción hombre-máquina
El horno de SiC de ZMSH está equipado con una automatización avanzada para un funcionamiento eficiente.respuesta automáticacon monitoreo y retroalimentación de señales,alarmas automáticaspara las condiciones de exceso de límite, yControl automáticoEl sistema también incluye un sistema de control de los parámetros en tiempo real con acceso remoto.las solicitudes activaspara el apoyo de expertos y la interacción perfecta hombre-máquina.
Estas características reducen la dependencia humana, mejoran el control del proceso y aseguran la producción de lingotes de SiC de alta calidad, lo que apoya la eficiencia de fabricación a gran escala.
Nuestra hoja de datos del horno de crecimiento de lingotes de SiC
| Horno de 6 pulgadas | Fuego de 8 pulgadas | ||
| Proyecto | Parámetro | Proyecto | Parámetro |
| Método de calentamiento | Calentamiento por resistencia al grafito | Método de calentamiento | Calentamiento por resistencia al grafito |
| Potencia de entrada | El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles se determinará en función de la temperatura de los combustibles fósiles. | Potencia de entrada | El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles se determinará en función de la temperatura de los combustibles fósiles. |
| Temperatura máxima de calentamiento | 2300°C | Temperatura máxima de calentamiento | 2300°C |
| Potencia térmica nominal | 80 kW | Potencia térmica nominal | 80 kW |
| Rango de potencia del calentador | La potencia de los motores de combustión interna no excederá de: | Rango de potencia del calentador | La potencia de los motores de combustión interna no excederá de: |
| Consumo de energía por ciclo | Las demás instalaciones de combustión interna | Consumo de energía por ciclo | Las demás instalaciones de combustión interna |
| Ciclo de crecimiento del cristal | 5D ~ 7D | Ciclo de crecimiento del cristal | 5D ~ 7D |
| Tamaño de la máquina principal | La longitud de la línea de banda es igual a la longitud de la línea de banda. | Tamaño de la máquina principal | La longitud de la línea de banda es igual a la longitud de la línea de banda. |
| Peso principal de la máquina | ≈ 2000 kg | Peso principal de la máquina | ≈ 2000 kg |
| Flujo de agua de refrigeración | 6 m3/h | Flujo de agua de refrigeración | 6 m3/h |
| El límite de vacío del horno frío | 5 × 10−4 Pa | El límite de vacío del horno frío | 5 × 10−4 Pa |
| Atmosfera del horno | Argón (5N), nitrógeno (5N) | Atmosfera del horno | Argón (5N), nitrógeno (5N) |
| Materia prima | Partículas de carburo de silicio | Materia prima | Partículas de carburo de silicio |
| Tipo de cristal del producto | 4 horas | Tipo de cristal del producto | 4 horas |
| espesor de cristal del producto | 18 mm ~ 30 mm | espesor de cristal del producto | ≥ 15 mm |
| Diámetro efectivo del cristal | ≥ 150 mm | Diámetro efectivo del cristal | ≥ 200 mm |
Nuestro servicio
Soluciones únicas a medida
Proporcionamos soluciones de horno de carburo de silicio (SiC) personalizadas, incluyendo tecnologías PVT, Lely y TSSG/LPE, diseñadas para satisfacer sus necesidades específicas.Nos aseguramos de que nuestros sistemas se alineen con sus objetivos de producción.
Formación de los clientes
Ofrecemos una formación integral para garantizar que su equipo entienda completamente cómo operar y mantener nuestros hornos.
Instalación in situ y puesta en marcha
Nuestro equipo instalará y pondrá en marcha personalmente los hornos de SiC en su ubicación.
Apoyo postventa
Nuestro equipo está listo para ayudar con las reparaciones en el sitio y la solución de problemas para minimizar el tiempo de inactividad y mantener su equipo funcionando sin problemas.
Nos dedicamos a ofrecer hornos de alta calidad y apoyo continuo para garantizar su éxito en el crecimiento de cristales de SiC.