 |
Horno de crecimiento de cristal único de SiC para cristales de 6 pulgadas, 8 pulgadas usando métodos PVT, Lely, TSSG
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Tiempo de entrega: | 6 a 8 polillas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 5set/month |
|
Información detallada |
|||
| Heating Method: | Graphite Resistance Heating | Potencia de entrada: | El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los co |
|---|---|---|---|
| Temperatura máxima de calentamiento: | 2300°C | Potencia térmica nominal: | 80kW |
| Rango de potencia del calentador: | La potencia de los motores de combustión interna no excederá de: | Consumo de energía por ciclo: | Las demás instalaciones de combustión interna |
| Crystal Growth Cycle: | 5D ~ 7D | Tamaño principal de la máquina: | La longitud de la línea de banda es igual a la longitud de la línea de banda. |
| Resaltar: | Horno de crecimiento de lingotes de SiC de 8 pulgadas,Horno de crecimiento de lingotes de SiC de 6 pulgadas,Horno de crecimiento de lingotes de SiC PVT |
||
Descripción de producto
Fuego de crecimiento de lingotes de SiC de alta eficiencia para cristales de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas utilizando métodos PVT, Lely y TSSG
Resumen del horno de crecimiento de lingotes de SiC
El horno de crecimiento de lingotes de SiC utiliza calentamiento de resistencia de grafito para un crecimiento eficiente de cristales de carburo de silicio. Puede alcanzar una temperatura máxima de 2300 ° C con una potencia nominal de 80 kW.El horno consume entre 3500 kWh y 4500 kWh por ciclo, con una duración de crecimiento de cristales que oscila entre 5 y 7 días.Funcionamiento en un ambiente de vacío con gases de argón y nitrógeno, este horno asegura la producción de lingotes de SiC de alta calidad con un rendimiento constante y un rendimiento fiable.
La foto del horno de crecimiento de lingotes de SiC
El tipo de cristal especial de nuestro horno de crecimiento de lingotes de SiC
SiC tiene más de 250 estructuras cristalinas, pero solo el tipo 4HC se puede usar para dispositivos de potencia SiC.ZMSH ha ayudado con éxito a los clientes en el cultivo de este tipo de cristal específico varias veces utilizando su propio horno.
Nuestro horno de crecimiento de lingotes de SiC está diseñado para el crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) de alta eficiencia, capaz de procesar obleas de SiC de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas.Utilizando técnicas avanzadas como PVT (Transporte de vapor físico), Lely, TSSG (Método de gradiente de temperatura) y LPE (Epitaxia de fase líquida), nuestro horno admite altas tasas de crecimiento al tiempo que garantiza una calidad óptima del cristal.
El horno está diseñado para cultivar varias estructuras cristalinas de SiC, incluidos los 4H conductores, 4H semi-aislantes y otros tipos de cristales, como 6H, 2H y 3C.Estas estructuras son cruciales para la producción de dispositivos de potencia SiC y semiconductores, que son esenciales para aplicaciones en electrónica de potencia, sistemas de eficiencia energética y dispositivos de alto voltaje.
Nuestro horno de SiC garantiza un control preciso de la temperatura y condiciones uniformes de crecimiento del cristal, lo que permite la producción de lingotes y obleas de SiC de alta calidad para aplicaciones avanzadas de semiconductores.
La ventaja de nuestro horno de crecimiento de lingotes de SiC
1Diseño de campo térmico único
Los gradientes de temperatura axial y radial se pueden controlar con precisión, siendo el perfil de temperatura suave y uniforme.maximizando la utilización del grosor del cristal.
Mejora de la eficiencia de la materia prima: el campo térmico se distribuye uniformemente en todo el sistema, lo que garantiza una temperatura más constante dentro de la materia prima.Esto mejora significativamente la utilización del polvo, reduciendo el desperdicio de materiales.
La independencia entre las temperaturas axiales y radiales permite un control de alta precisión de ambos gradientes, lo que es crítico para abordar el estrés cristalino y minimizar la densidad de dislocación.
2.Alta precisión de control
El horno de crecimiento de lingotes de SiC está meticulosamente diseñado para producir cristales de SiC de alta calidad, que son esenciales para una amplia gama de aplicaciones de semiconductores, como la electrónica de potencia,OptoelectrónicaSiC es un material crítico en la fabricación de componentes que requieren una excelente conductividad térmica, rendimiento eléctrico y durabilidad duradera.Nuestro horno cuenta con sistemas de control avanzados diseñados para mantener un rendimiento constante y una calidad de cristal superior durante todo el proceso de crecimiento.
El horno de crecimiento de lingotes de SiC proporciona una precisión excepcional, con una precisión de suministro de energía del 0,0005%, una precisión de control del flujo de gas de ± 0,05 L/h, una precisión de regulación de temperatura de ± 0,5 °C,y estabilidad de presión de cámara de ±10 PaEstos parámetros finamente ajustados aseguran un ambiente estable y homogéneo para el crecimiento del cristal, que es crucial para producir lingotes y obleas de SiC de alta pureza con mínimos defectos.
Los componentes clave del horno de crecimiento de lingotes de SiC, incluyendo la válvula proporcional, la bomba mecánica, la cámara de vacío, el medidor de flujo de gas y la bomba molecular,funcionan juntos sin problemas para ofrecer un funcionamiento confiableEstas características permiten al horno producir cristales de SiC que cumplen con las estrictas demandas de la industria de semiconductores.
La tecnología de ZMSH® incorpora técnicas de crecimiento de cristales de vanguardia, lo que garantiza la más alta calidad en la producción de cristales de SiC.Nuestro equipo está optimizado para servir a industrias como la electrónica de potencia, las energías renovables y la tecnología avanzada, impulsando el progreso en soluciones energéticamente eficientes e innovaciones sostenibles.
3. Operación automática
A. NoRespuesta utomática:Monitoreo de la señal, retroalimentación de la señal
- ¿ Qué?Alarma automática:Advertencia de exceso de límite, seguridad dinámica
Control automático:Monitoreo y almacenamiento en tiempo real de los parámetros de producción, acceso remoto y control.
Pronto activo:Sistema experto, interacción hombre-máquina
El horno de SiC de ZMSH integra automatización avanzada para una óptima eficiencia operativa. Está equipado con mecanismos automáticos de monitorización y retroalimentación de señales, alarmas de exceso de límite,y control de parámetros en tiempo real con capacidades de monitoreo remotoEl sistema también proporciona notificaciones proactivas para la asistencia de expertos y permite una interacción fluida entre el operador y la máquina.
Estas características minimizan la intervención humana, mejoran el control del proceso y aseguran la producción constante de lingotes de SiC de alta calidad, promoviendo la eficiencia en las operaciones de fabricación a gran escala.
Nuestra hoja de datos del horno de crecimiento de lingotes SiC
| Horno de 6 pulgadas | Fuego de 8 pulgadas | ||
| Proyecto | Parámetro | Proyecto | Parámetro |
| Método de calentamiento | Calentamiento por resistencia al grafito | Método de calentamiento | Calentamiento por resistencia al grafito |
| Potencia de entrada | El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles se determinará en función de la temperatura de los combustibles fósiles. | Potencia de entrada | El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles se determinará en función de la temperatura de los combustibles fósiles. |
| Temperatura máxima de calentamiento | 2300°C | Temperatura máxima de calentamiento | 2300°C |
| Potencia térmica nominal | 80 kW | Potencia térmica nominal | 80 kW |
| Rango de potencia del calentador | La potencia de los motores de combustión interna no excederá de: | Rango de potencia del calentador | La potencia de los motores de combustión interna no excederá de: |
| Consumo de energía por ciclo | Las demás instalaciones de combustión interna | Consumo de energía por ciclo | Las demás instalaciones de combustión interna |
| Ciclo de crecimiento del cristal | 5D ~ 7D | Ciclo de crecimiento del cristal | 5D ~ 7D |
| Tamaño de la máquina principal | La longitud de la línea de banda es igual a la longitud de la línea de banda. | Tamaño de la máquina principal | La longitud de la línea de banda es igual a la longitud de la línea de banda. |
| Peso principal de la máquina | ≈ 2000 kg | Peso principal de la máquina | ≈ 2000 kg |
| Flujo de agua de refrigeración | 6 m3/h | Flujo de agua de refrigeración | 6 m3/h |
| El límite de vacío del horno frío | 5 × 10−4 Pa | El límite de vacío del horno frío | 5 × 10−4 Pa |
| Atmosfera del horno | Argón (5N), nitrógeno (5N) | Atmosfera del horno | Argón (5N), nitrógeno (5N) |
| Materia prima | Partículas de carburo de silicio | Materia prima | Partículas de carburo de silicio |
| Tipo de cristal del producto | 4 horas | Tipo de cristal del producto | 4 horas |
| espesor de cristal del producto | 18 mm ~ 30 mm | espesor de cristal del producto | ≥ 15 mm |
| Diámetro efectivo del cristal | ≥ 150 mm | Diámetro efectivo del cristal | ≥ 200 mm |
Nuestro servicio
Soluciones únicas a medida
Proporcionamos soluciones de horno de carburo de silicio (SiC) personalizadas, incluyendo tecnologías PVT, Lely y TSSG/LPE, diseñadas para satisfacer sus necesidades específicas.Nos aseguramos de que nuestros sistemas se alineen con sus objetivos de producción.
Formación de los clientes
Ofrecemos una formación integral para garantizar que su equipo entienda completamente cómo operar y mantener nuestros hornos.
Instalación in situ y puesta en marcha
Nuestro equipo instalará y pondrá en marcha personalmente los hornos de SiC en su ubicación.
Apoyo postventa
Nuestro equipo está listo para ayudar con las reparaciones en el sitio y la solución de problemas para minimizar el tiempo de inactividad y mantener su equipo funcionando sin problemas.
Nos dedicamos a ofrecer hornos de alta calidad y apoyo continuo para garantizar su éxito en el crecimiento de cristales de SiC.