SiC Horno de crecimiento de cristales de resistencia de cristal único para la fabricación de obleas de SiC de 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas

SiC Horno de crecimiento de cristales de resistencia de cristal único para la fabricación de obleas de SiC de 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas

Abstracto del horno de crecimiento de cristal único de SiC

ZMSH se enorgullece de ofrecer el horno de crecimiento de cristal único SiC, una solución de última generación para la fabricación de obleas SiC de alta calidad.Nuestro horno está diseñado para cultivar eficientemente los cristales de SiC en tamaños de 6 pulgadas, 8 pulgadas y 12 pulgadas, para satisfacer las crecientes demandas en industrias como vehículos eléctricos (VE), energía renovable y electrónica de alta potencia.

Propiedades del horno de crecimiento de cristal único de SiC

• Tecnología avanzada de calentamiento por resistencia: El horno de crecimiento de cristal único de SiC utiliza tecnología de calentamiento por resistencia de vanguardia,garantizar una distribución uniforme de la temperatura y un crecimiento de cristal de alta calidad.
• Precisión de control de temperatura: logra una regulación precisa de la temperatura con una tolerancia de ± 1 °C en todo el proceso de crecimiento del cristal.
• Aplicaciones versátiles: Capaz de cultivar cristales de SiC para obleas de hasta 12 pulgadas, lo que permite la producción de obleas más grandes y de alto rendimiento para dispositivos de energía de próxima generación.
• Gestión del vacío y la presión: El horno está equipado con un sistema avanzado de control del vacío y la presión, manteniendo condiciones óptimas para el crecimiento del cristal, reduciendo las tasas de defectos,y mejorar el rendimiento.
  
   

  - No, no es así.	Especificación	Detalles
  1	Modelo	Se aplicarán las siguientes medidas:
  2	Las dimensiones (L × W × H)	2500 × 2400 × 3456 mm
  3	Diámetro del crisol	Las demás:
  4	Presión de vacío final	6 × 10−4 Pa (después de 1,5 horas de vacío)
  5	Tasa de fuga	≤ 5 Pa/12h (al horno)
  6	Diámetro del eje de rotación	50 mm
  7	Velocidad de rotación	0.5 ∙ 5 rpm
  8	Método de calentamiento	Calentamiento por resistencia eléctrica
  9	Temperatura máxima del horno	2500 °C
  10	Potencia de calefacción	40 kW × 2 × 20 kW
  11	Medición de la temperatura	Pirómetro infrarrojo de dos colores
  12	Rango de temperatura	900 ∼ 3000 °C
  13	Precisión de la temperatura	± 1°C
  14	Rango de presión	1 ‰ 700 mbar
  15	Precisión del control de presión	1·10 mbar: ±0,5% de F.S.; 10 ‰ 100 mbar: ±0,5% F.S.; Se aplicarán las siguientes medidas:
  16	Tipo de operación	Carga en el fondo, opciones de seguridad manual/automática
  17	Características opcionales	Medición de doble temperatura, zonas de calefacción múltiples

Resultado del horno de crecimiento de cristal único de SiC

Crecimiento cristalino perfecto

La fuerza principal de nuestro horno de crecimiento de cristal único de SiC radica en su capacidad para producir cristales de SiC de alta calidad y sin defectos.y tecnología de calefacción de resistencia de última generación, nos aseguramos de que cada cristal cultivado sea impecable, con una densidad mínima de defectos.Esta perfección es esencial para satisfacer las exigencias rigurosas de las aplicaciones de semiconductores donde incluso la más mínima imperfección puede afectar el rendimiento del dispositivo final.

Cumplimiento de las normas de semiconductores

Las obleas de SiC cultivadas en nuestro horno superan los estándares de la industria tanto en rendimiento como en fiabilidad.con densidad de dislocación baja y alta conductividad eléctricaEstas cualidades son críticas para los dispositivos de potencia de próxima generación, incluidos los utilizados en vehículos eléctricos (VE),sistemas de energía renovable, y equipos de telecomunicaciones.

Servicio de ZMSH

ZMSH: Horno de crecimiento de cristal único de SiC personalizable con soporte completo

En ZMSH, proporcionamos hornos avanzados de crecimiento de cristal único de SiC adaptados a sus necesidades específicas.,Ayudándole a obtener cristales de SiC de alta calidad.

Instalación y puesta a punto en el sitio

Nuestro equipo se encargará de la instalación in situ, asegurando que el horno esté integrado y funcione eficientemente en su instalación.Priorizamos la instalación sin problemas para minimizar el tiempo de inactividad y optimizar su proceso de producción.

Formación integral de los clientes

Ofrecemos una formación exhaustiva al cliente, que abarca el funcionamiento del horno, el mantenimiento y la solución de problemas.Nuestro objetivo es equipar a su equipo con el conocimiento para operar el horno de manera efectiva y lograr un crecimiento óptimo de los cristales.

Mantenimiento posventa

ZMSH proporciona un apoyo confiable después de la venta, incluyendo servicios de mantenimiento y reparación para garantizar que su horno permanezca en las mejores condiciones.Nuestro equipo siempre está disponible para minimizar el tiempo de inactividad y apoyar su éxito continuo.

Pregunta y respuesta

P: ¿Cuál es el crecimiento cristalino del carburo de silicio?

R: El crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) implica el proceso de creación de cristales de SiC de alta calidad mediante métodos como Czochralski o el transporte de vapor físico (PVT),esenciales para dispositivos de semiconductores de potencia.


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