 |
Método de resistencia del horno de crecimiento monocristalino de carburo de silicio 6 8 12 pulgadas
Datos del producto:
| Lugar de origen: | porcelana |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Horno para el crecimiento de lingotes de SiC |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Tiempo de entrega: | Entre 5 y 10 meses |
| Condiciones de pago: | T/T |
|
Información detallada |
|||
| Objetivo: | para el horno de crecimiento de cristal único de SiC de 6 8 12 pulgadas | Las dimensiones (L × W × H): | Las dimensiones (L × W × H) |
|---|---|---|---|
| Rango de presión: | 1 ‰ 700 mbar | Rango de temperatura: | 900 ∼ 3000 °C |
| Temperatura máxima del horno: | 2500°C | Diámetro del eje de rotación: | 50 mm |
| Resaltar: | Horno de crecimiento de lingotes de SiC de 12 pulgadas,Horno para el crecimiento de lingotes de SiC |
||
Descripción de producto
Método de resistencia del horno de crecimiento monocristalino de carburo de silicio 6 8 12 pulgadas
Horno de crecimiento de cristal único de SiC ZMSH: Diseñado con precisión para obleas de SiC de alta calidad
ZMSH presenta con orgullo su horno de crecimiento de cristal único SiC, una solución avanzada diseñada para la fabricación de obleas SiC de alto rendimiento.Nuestro horno produce eficientemente los cristales de SiC en 6 pulgadas, de 8 pulgadas y 12 pulgadas, satisfaciendo las crecientes necesidades de industrias como los vehículos eléctricos (VE), las energías renovables y la electrónica de alta potencia.
Propiedades del horno de crecimiento de cristal único de SiC
- Tecnología avanzada de calentamiento por resistencia: El horno utiliza tecnología de calentamiento por resistencia de última generación para garantizar una distribución uniforme de la temperatura y un crecimiento óptimo del cristal.
- Precisión de control de temperatura: logra una regulación de la temperatura con una tolerancia de ± 1 °C durante todo el proceso de crecimiento del cristal.
- Aplicaciones versátiles: Capaz de cultivar cristales de SiC para obleas de hasta 12 pulgadas, lo que permite la producción de obleas más grandes para dispositivos de energía de próxima generación.
- Gestión de vacío y presión: Equipado con un sistema avanzado de vacío y presión para mantener condiciones ideales de crecimiento, reduciendo las tasas de defectos y mejorando los rendimientos.
Especificaciones técnicas
| Especificación | Detalles |
|---|---|
| Las dimensiones (L × W × H) | 2500 × 2400 × 3456 mm o hacer a medida |
| Diámetro del crisol | Las demás: |
| Presión de vacío final | 6 × 10−4 Pa (después de 1,5 horas de vacío) |
| Tasa de fuga | ≤ 5 Pa/12h (al horno) |
| Diámetro del eje de rotación | 50 mm |
| Velocidad de rotación | 0.5 ∙ 5 rpm |
| Método de calentamiento | Calentamiento por resistencia eléctrica |
| Temperatura máxima del horno | 2500 °C |
| Potencia de calefacción | 40 kW × 2 × 20 kW |
| Medición de la temperatura | Pirómetro infrarrojo de dos colores |
| Rango de temperatura | 900 ∼ 3000 °C |
| Precisión de la temperatura | ± 1°C |
| Rango de presión | 1 ‰ 700 mbar |
| Precisión del control de presión | 1·10 mbar: ±0,5% de F.S.; 10 ‰ 100 mbar: ±0,5% F.S.; Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Tipo de operación | Carga en el fondo, opciones de seguridad manual/automática |
| Características opcionales | Medición de doble temperatura, zonas de calefacción múltiples |
Resultado: Crecimiento cristalino perfecto
La fortaleza de nuestro horno de crecimiento de cristal único de SiC radica en su capacidad de producir constantemente cristales de SiC de alta calidad y sin defectos.gestión avanzada del vacíoEsta perfección es crucial para las aplicaciones de semiconductores.donde incluso pequeñas imperfecciones pueden afectar significativamente el rendimiento del dispositivo final.
Cumplimiento de las normas de semiconductores
Las obleas de SiC cultivadas en nuestro horno superan los estándares de la industria tanto en rendimiento como en fiabilidad.y alta conductividad eléctricaEstas cualidades son esenciales para los dispositivos de potencia de próxima generación, incluidos los utilizados en vehículos eléctricos (VE),sistemas de energía renovable, y equipos de telecomunicaciones.
| Categoría de inspección | Parámetros de calidad | Criterios de aceptación | Método de inspección |
|---|---|---|---|
| 1. Estructura de cristal | Densidad de dislocación | ≤ 1 cm−2 | Microscopía óptica / difracción de rayos X |
| La perfección cristalina | No hay defectos o grietas visibles | Inspección visual / AFM (microscopia de la fuerza atómica) | |
| 2. Las dimensiones | Diámetro del lingote | Se aplicarán las siguientes medidas: | Medición del calibrador |
| Duración del lingotes | ± 1 mm | Regla / medición con láser | |
| 3Calidad de la superficie | La rugosidad de la superficie | Ra ≤ 0,5 μm | Profilómetro de superficie |
| Defectos de la superficie | No hay micro grietas, agujeros o arañazos | Inspección visual / examen microscópico | |
| 4. Propiedades eléctricas | Resistencia | ≥ 103 Ω·cm (típico para SiC de alta calidad) | Medición del efecto Hall |
| Movilidad de los transportistas | > 100 cm2/V·s (para el SiC de alto rendimiento) | Medición del tiempo de vuelo (TOF) | |
| 5. Propiedades térmicas | Conductividad térmica | ≥ 4,9 W/cm·K | Análisis de flash láser |
| 6Composición química | Contenido de carbono | ≤ 1% (para un rendimiento óptimo) | ICP-OES (espectroscopia de emisión óptica de plasma acoplado por inducción) |
| Impuridades del oxígeno | ≤ 0,5% | Espectrometría de masas iónicas secundarias (SIMS) | |
| 7Resistencia a la presión | Fuerza mecánica | Debe soportar pruebas de esfuerzo sin fracturas. | Prueba de compresión / prueba de flexión |
| 8. Uniformidad | Uniformidad de cristalización | Variación de ≤ 5% entre lingotes | Mapeo de rayos X / SEM (microscopía electrónica de escaneo) |
| 9. Homogeneidad del lingote | Densidad de microporos | ≤ 1% por unidad de volumen | Microscopía / escaneo óptico |
Servicios de apoyo a la ZMSH
- Soluciones personalizables: Nuestro horno de crecimiento de cristal único de SiC se puede personalizar para satisfacer sus requisitos de producción específicos, asegurando cristales de SiC de alta calidad.
- Instalación in situ: nuestro equipo gestiona la instalación in situ y garantiza una integración sin problemas con sus sistemas existentes para un rendimiento óptimo.
- Capacitación integral: Proporcionamos una formación completa para los clientes que cubre el funcionamiento del horno, el mantenimiento y la solución de problemas para garantizar que su equipo esté equipado para un crecimiento eficaz del cristal.
- Mantenimiento postventa: ZMSH ofrece un soporte postventa fiable, incluidos servicios de mantenimiento y reparación, para garantizar que su horno funcione al máximo rendimiento.
Pregunta y respuesta
P: ¿Cuál es el crecimiento cristalino del carburo de silicio?
R: El crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) implica la creación de cristales de SiC de alta calidad a través de procesos como Czochralski o el transporte de vapor físico (PVT), esenciales para dispositivos de semiconductores de potencia.
Palabras clave:
Fuego de crecimiento de cristal único de SiC Cristales de SiCDispositivos semiconductoresTecnología de crecimiento de cristales