Name: Método de resistencia del horno de crecimiento monocristalino de carburo de silicio 6 8 12 pulgadas
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: Horno para el crecimiento de lingotes de SiC
Price: 1,500.00 USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	Horno para el crecimiento de lingotes de SiC
MOQ:	1
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

porcelana

Objetivo:

para el horno de crecimiento de cristal único de SiC de 6 8 12 pulgadas

Las dimensiones (L × W × H):

Las dimensiones (L × W × H)

Rango de presión:

1 ‰ 700 mbar

Rango de temperatura:

900 ∼ 3000 °C

Temperatura máxima del horno:

2500°C

Diámetro del eje de rotación:

50 mm

Resaltar:

Horno de crecimiento de lingotes de SiC de 12 pulgadas

Horno para el crecimiento de lingotes de SiC

Descripción de producto

Método de resistencia del horno de crecimiento monocristalino de carburo de silicio 6 8 12 pulgadas

Horno de crecimiento de cristal único de SiC ZMSH: Diseñado con precisión para obleas de SiC de alta calidad

ZMSH presenta con orgullo su horno de crecimiento de cristal único SiC, una solución avanzada diseñada para la fabricación de obleas SiC de alto rendimiento.Nuestro horno produce eficientemente los cristales de SiC en 6 pulgadas, de 8 pulgadas y 12 pulgadas, satisfaciendo las crecientes necesidades de industrias como los vehículos eléctricos (VE), las energías renovables y la electrónica de alta potencia.

Método de resistencia del horno de crecimiento monocristalino de carburo de silicio 6 8 12 pulgadas 0

Propiedades del horno de crecimiento de cristal único de SiC

Tecnología avanzada de calentamiento por resistencia: El horno utiliza tecnología de calentamiento por resistencia de última generación para garantizar una distribución uniforme de la temperatura y un crecimiento óptimo del cristal.
Precisión de control de temperatura: logra una regulación de la temperatura con una tolerancia de ± 1 °C durante todo el proceso de crecimiento del cristal.
Aplicaciones versátiles: Capaz de cultivar cristales de SiC para obleas de hasta 12 pulgadas, lo que permite la producción de obleas más grandes para dispositivos de energía de próxima generación.
Gestión de vacío y presión: Equipado con un sistema avanzado de vacío y presión para mantener condiciones ideales de crecimiento, reduciendo las tasas de defectos y mejorando los rendimientos.

Especificaciones técnicas

Especificación	Detalles
Las dimensiones (L × W × H)	2500 × 2400 × 3456 mm o hacer a medida
Diámetro del crisol	Las demás:
Presión de vacío final	6 × 10−4 Pa (después de 1,5 horas de vacío)
Tasa de fuga	≤ 5 Pa/12h (al horno)
Diámetro del eje de rotación	50 mm
Velocidad de rotación	0.5 ∙ 5 rpm
Método de calentamiento	Calentamiento por resistencia eléctrica
Temperatura máxima del horno	2500 °C
Potencia de calefacción	40 kW × 2 × 20 kW
Medición de la temperatura	Pirómetro infrarrojo de dos colores
Rango de temperatura	900 ∼ 3000 °C
Precisión de la temperatura	± 1°C
Rango de presión	1 ‰ 700 mbar
Precisión del control de presión	1·10 mbar: ±0,5% de F.S.; 10 ‰ 100 mbar: ±0,5% F.S.; Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de operación	Carga en el fondo, opciones de seguridad manual/automática
Características opcionales	Medición de doble temperatura, zonas de calefacción múltiples

Resultado: Crecimiento cristalino perfecto

La fortaleza de nuestro horno de crecimiento de cristal único de SiC radica en su capacidad de producir constantemente cristales de SiC de alta calidad y sin defectos.gestión avanzada del vacíoEsta perfección es crucial para las aplicaciones de semiconductores.donde incluso pequeñas imperfecciones pueden afectar significativamente el rendimiento del dispositivo final.

Cumplimiento de las normas de semiconductores

Las obleas de SiC cultivadas en nuestro horno superan los estándares de la industria tanto en rendimiento como en fiabilidad.y alta conductividad eléctricaEstas cualidades son esenciales para los dispositivos de potencia de próxima generación, incluidos los utilizados en vehículos eléctricos (VE),sistemas de energía renovable, y equipos de telecomunicaciones.

Categoría de inspección	Parámetros de calidad	Criterios de aceptación	Método de inspección
1. Estructura de cristal	Densidad de dislocación	≤ 1 cm−2	Microscopía óptica / difracción de rayos X
La perfección cristalina	No hay defectos o grietas visibles	Inspección visual / AFM (microscopia de la fuerza atómica)
2. Las dimensiones	Diámetro del lingote	Se aplicarán las siguientes medidas:	Medición del calibrador
Duración del lingotes	± 1 mm	Regla / medición con láser
3Calidad de la superficie	La rugosidad de la superficie	Ra ≤ 0,5 μm	Profilómetro de superficie
Defectos de la superficie	No hay micro grietas, agujeros o arañazos	Inspección visual / examen microscópico
4. Propiedades eléctricas	Resistencia	≥ 103 Ω·cm (típico para SiC de alta calidad)	Medición del efecto Hall
Movilidad de los transportistas	> 100 cm2/V·s (para el SiC de alto rendimiento)	Medición del tiempo de vuelo (TOF)
5. Propiedades térmicas	Conductividad térmica	≥ 4,9 W/cm·K	Análisis de flash láser
6Composición química	Contenido de carbono	≤ 1% (para un rendimiento óptimo)	ICP-OES (espectroscopia de emisión óptica de plasma acoplado por inducción)
Impuridades del oxígeno	≤ 0,5%	Espectrometría de masas iónicas secundarias (SIMS)
7Resistencia a la presión	Fuerza mecánica	Debe soportar pruebas de esfuerzo sin fracturas.	Prueba de compresión / prueba de flexión
8. Uniformidad	Uniformidad de cristalización	Variación de ≤ 5% entre lingotes	Mapeo de rayos X / SEM (microscopía electrónica de escaneo)
9. Homogeneidad del lingote	Densidad de microporos	≤ 1% por unidad de volumen	Microscopía / escaneo óptico

Método de resistencia del horno de crecimiento monocristalino de carburo de silicio 6 8 12 pulgadas 1

Servicios de apoyo a la ZMSH

Soluciones personalizables: Nuestro horno de crecimiento de cristal único de SiC se puede personalizar para satisfacer sus requisitos de producción específicos, asegurando cristales de SiC de alta calidad.
Instalación in situ: nuestro equipo gestiona la instalación in situ y garantiza una integración sin problemas con sus sistemas existentes para un rendimiento óptimo.
Capacitación integral: Proporcionamos una formación completa para los clientes que cubre el funcionamiento del horno, el mantenimiento y la solución de problemas para garantizar que su equipo esté equipado para un crecimiento eficaz del cristal.
Mantenimiento postventa: ZMSH ofrece un soporte postventa fiable, incluidos servicios de mantenimiento y reparación, para garantizar que su horno funcione al máximo rendimiento.

Pregunta y respuesta

P: ¿Cuál es el crecimiento cristalino del carburo de silicio?

R: El crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) implica la creación de cristales de SiC de alta calidad a través de procesos como Czochralski o el transporte de vapor físico (PVT), esenciales para dispositivos de semiconductores de potencia.

Palabras clave:

Fuego de crecimiento de cristal único de SiC Cristales de SiCDispositivos semiconductoresTecnología de crecimiento de cristales

Etiquetas:

substrato del zafiro

Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Oblea del nitruro del galio

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

equipo de laboratorio científico

Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor