• Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único
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Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único

Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único

Datos del producto:

Lugar de origen: porcelana
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Horno de crecimiento de SiC Boule

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Tiempo de entrega: 6-8 meses
Condiciones de pago: T/T
Mejor precio Contacto

Información detallada

Dimensions (L × W × H): 3200 × 1150 × 3600 mm or customise Ultimate Vacuum: 5 × 10⁻⁶ mbar
Furnace Height: 1250 mm Heating Method: PVT, HTCVD, and LPE
Temperature Range: 900–3000°C Pressure Range: 1–700 mbar
Crystal Size: 6–8 inches Pressure Rise Rate: < 5 Pa/12 h
Optional Features: Shaft rotation, dual temperature zones
Resaltar:

Horno de crecimiento de LPE SiC Boule

,

Horno de crecimiento de SiC Boule de cristal único

,

Horno de crecimiento de SiC Boule PVT

Descripción de producto

 

Las tecnologías de PVT, HTCVD y LPE para la producción de hornos de crecimiento de SiC Boule de cristal único

 

Resumen del horno de crecimiento de SiC Boule

ZMSH se enorgullece de ofrecer elHorno de crecimiento de SiC Boule, una solución avanzada diseñada para la producción decon un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 20%. Utilizando tecnologías de vanguardia comoPVT (Transporte físico de vapor),HTCVD (deposición química de vapor a altas temperaturas), yLPE (epitaxia en fase líquida), nuestroHorno de crecimiento de SiC Bouleestá optimizado para el crecimiento estable y eficiente de alta purezaLos demásEste horno apoya la producción6 pulgadas,8 pulgadas, y tamaño personalizadoLos demás, satisfaciendo las exigencias estrictas de la electrónica de potencia, los vehículos eléctricos y los sistemas de energía renovable.

 

 


Propiedades del horno de crecimiento de SiC Boule

  • Compatibilidad entre varias tecnologíasElHorno de crecimiento de SiC Boulesoporta los procesos PVT, HTCVD y LPE, proporcionando flexibilidad para diferentes métodos de crecimiento de cristales de SiC.
  • Control preciso de la temperatura: La resistencia avanzada o el calentamiento por inducción aseguran una distribución uniforme de la temperatura, con una precisión de control de ± 1 °C, esencial para la seguridad de los equipos.SiC Bouleel crecimiento.
  • Control de vacío y presión: Los sistemas integrados de vacío y presión de alta precisión mantienen condiciones óptimas de crecimiento, mejorando la calidad de la producción y la calidad de la producción.SiC Boulecalidad y rendimiento.
  • Apoyo de tamaño de cristal: Capaz de crecer6 pulgadas y 8 pulgadas de SiC Boules, con personalización disponible para tamaños más grandes.
  • Alta eficiencia y seguridadElHorno de crecimiento de SiC Bouleestá diseñado para la eficiencia energética, la facilidad de operación y la seguridad, con características tales como carga de fondo y sistemas de control automático.
  • Medio ambiente estable para el crecimiento de cristales: Garantiza condiciones de crecimiento consistentes, reduciendo la densidad de defectos y mejorando el rendimiento de los productos finalesOfras de SiC.
     
    Especificación Detalles
    Las dimensiones (L × W × H) Las medidas de ensayo se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
    Diámetro del crisol Ø 400 mm
    El último vacío 5 × 10−4 Pa (después de 1,5 horas de bombeo)
    Diámetro del eje de rotación Ø 200 mm
    Altura del horno Las demás:
    Método de calentamiento Calentamiento por inducción
    Temperatura máxima 2400 °C
    Potencia de calefacción Pmax = 40 kW, Frecuencia = 812 kHz
    Medición de la temperatura Pirómetro infrarrojo de dos colores
    Rango de temperatura 900 ∼ 3000 °C
    Precisión de la temperatura ± 1°C
    Rango de presión 1 ‰ 700 mbar
    Precisión del control de presión 1·10 mbar: ±0,5% de F.S.;
    10 ‰ 100 mbar: ±0,5% F.S.;
    Se aplicarán las siguientes medidas:
    Modo de carga Carga en el fondo, operación segura y sencilla
    Características opcionales Rotación del eje, zonas de doble temperatura

     

 


Tres tipos de horno de crecimiento de SiC Boule detalles

 

Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único 0

 

 

 


Foto del horno de crecimiento de SiC Boule

Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único 1


 

SiC Boule de nuestro horno

 

Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único 2Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único 3

 


El horno de crecimiento de SiC Boule en la fábrica de los clientes

A continuación se muestra una instalación de nuestroHorno de crecimiento de SiC BouleEn la actualidad, la mayoría de los productos de la industria se utilizan para la fabricación de productos de alta calidad.Horno de crecimiento de SiC Boulepara la producción a gran escala deOfras de SiCcon una consistencia y calidad excepcionales.

 

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Servicios personalizados para hornos de crecimiento de SiC Boule

En elZMSH, entendemos que las necesidades de producción de cada cliente son únicas.soluciones totalmente personalizablespara nuestroHorno de crecimiento de SiC Boule, garantizando una óptima compatibilidad con sus procesos de producción, requisitos técnicos y objetivos de crecimiento de cristales.

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.