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Horno de crecimiento de lingotes de SiC PVT HTCVD LPE de cristal único Horno de crecimiento de SiC Boule para obleas de SiC de 6 pulgadas y 8 pulgadas
Datos del producto:
| Lugar de origen: | porcelana |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Horno de crecimiento de SiC Boule |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Tiempo de entrega: | 6-8 meses |
| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Vacuum Leakage Rate: | ≤ 5 Pa/12 h (after bake-out) | Crucible Diameter: | Ø 400 mm |
|---|---|---|---|
| Furnace Height: | 1250 mm | Heating Method: | PVT HTCVD LP |
| Heating Power: | Pmax = 40 kW, Frequency = 8–12 kHz | Temperature Measurement: | Dual-color infrared pyrometer |
| Pressure Range: | 1–700 mbar | Crystal Size: | 6–8 inches |
| Temperature Control Accuracy: | ±0.5°C | Pressure Rise Rate: | < 5 Pa/12 h |
| Resaltar: | Horno de crecimiento de lingotes de SiC de cristal único,Horno de crecimiento de lingotes de SiC de 8 pulgadas,Horno de crecimiento de lingotes de SiC de 6 pulgadas |
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Descripción de producto
Horno de crecimiento de lingotes de SiC PVT HTCVD LPE de cristal único Horno de crecimiento de SiC Boule para obleas de SiC de 6 pulgadas y 8 pulgadas
SiC Ingot de crecimiento del horno
ElHorno de crecimiento de lingotes de SiCEs un sistema avanzado diseñado para el crecimiento de alta eficiencia decon un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 20%utilizado en la producción de6 pulgadasyOferta de SiC de 8 pulgadasUtilizando métodos de crecimiento versátiles que incluyenPVT (Transporte físico de vapor),HTCVD (deposición química de vapor a altas temperaturas), yLPE (epitaxia en fase líquida), este horno asegura las condiciones óptimas para la formación delingotes de SiC de alta pureza y bajo defecto.
Con un control preciso de la temperatura, la presión y el vacío, elHorno de crecimiento de lingotes de SiCPermite la estabilidad y la escalabilidadCrecimiento de SiC Boule, satisfacer las demandas de la próxima generaciónaplicaciones de semiconductoresLa tecnología de los vehículos eléctricos (EV), las energías renovables y la electrónica de alta potencia.diseño personalizable permite a los fabricantes adaptarse a varias escalas de producción y especificaciones de cristal al tiempo que garantiza una calidad y rendimiento de lingotes consistentes.
Datos del horno de crecimiento de los lingotes de SiC
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tamaño del cristal | 6 ′′ 8 pulgadas |
| Método de calentamiento | Calentamiento por inducción / resistencia |
| Precisión de instalación y movimiento del alambre (mm) | ±0,5 mm |
| Material de la cámara y método de enfriamiento | Refrigerador por agua / aire |
| Precisión del control de temperatura | ± 0,5°C |
| Precisión del control de presión | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| El último vacío | 5 × 10−6 mbar |
| Tasa de aumento de la presión | < 5 Pa/12 h |
Teoría del crecimiento
1. Método PVT (Transporte físico de vapor) Principio de crecimiento
En elMétodo PVT,carburo de silicio (SiC)Los cristales se cultivan a travéssublimación y condensación. a altas temperaturas (2000 ∼ 2500 °C),Polvo de SiCEl proceso de sublimación se produce en el vacío o en un ambiente de baja presión.Vapores de SiCse transporta a través de un sistema controladogradiente de temperaturaydepósitos en un cristal de semilla, donde sese condensa y creceen un solo cristal, conocido como unSiC Boule.
- Características clave:
- Crecimiento de cristales por transporte de fase de vapor.
- Requiere un control preciso del gradiente de temperatura y la presión.
- Utilizado para la producciónSiC Boules de cristal único a granelpara cortar obleas
- Crecimiento de cristales por transporte de fase de vapor.
2Resistencia de calentamiento Principio de apoyo al crecimiento
En elCalentamiento por resistencia, la corriente eléctrica pasa a través de unelemento de calefacción resistiva(por ejemplo, grafito), generando calor que eleva la temperatura de la cámara de crecimiento yMaterial de origen del SiCEste método de calentamiento se utiliza para mantener las temperaturas elevadas y estables necesarias para laProceso de PVT.
- Características clave:
- Calentamiento indirectométodo: el calor se transfiere desde el calentador al crisol.
- Proporcionacalefacción uniforme y controlada.
- Apto paraproducción a mediana escalacon un consumo de energía estable.
SiC Ingot de crecimiento del horno Foto
Nuestro resultado de solución de SiC
En el ZMSH, elLos demásproducido con nuestro avanzadoHorno de crecimiento de lingotes de SiCLas nuevas tecnologías ofrecen ventajas significativas en ambos aspectos.calidad cristalinaycompatibilidad de los procesos, garantizando que cumplan plenamente con las exigencias estrictas de laFabricación de semiconductores.
Ventajas principales:
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Alta pureza cristalina: Nuestros SiC Boules se cultivan en condiciones estrictamente controladas, logrando una pureza excepcional y una contaminación mínima, crítica para dispositivos semiconductores de alto rendimiento.
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Baja densidad de defectos: Con un control preciso de la temperatura, el vacío y la presión durante el crecimiento, nuestros SiC Boules exhibenbaja densidad de dislocacióny micro tubos mínimos, asegurando propiedades eléctricas superiores y rendimiento del dispositivo.
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Estructura cristalina uniforme: Cristalidad constante en toda la bola, lo que permite una corte eficiente y la fabricación de obleas conespesor uniforme y calidad del material.
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Compatible con procesos de semiconductoresNuestros SiC Boules están diseñados para alinearse con el estándar de la industriaWafering, pulido y crecimiento epitaxialProcesos que garanticen una integración sin problemas en el proceso de producciónFabricación de dispositivosflujos de trabajo.
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Producción escalable para obleas de 6 y 8 pulgadas: Apto para la producción en volumen deWafers de SiC de 6 y 8 pulgadas, para satisfacer la creciente demanda del mercado de electrónica de potencia, vehículos eléctricos y aplicaciones de alta frecuencia.
Nuestro servicio
En elZMSH, ofrecemosservicios personalizablespara satisfacer las diversas necesidades de nuestros clientes enProducción de SiC BouleDesde la configuración del equipo hasta el soporte del proceso, nos aseguramos de que cada solución se alinee perfectamente con sus objetivos de producción y requisitos técnicos.
Lo que ofrecemos:
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Diseño de equipos a medida: Nosotros personalizamos elHorno de crecimiento de SiC BouleLas especificaciones incluyen el tamaño del cristal (6 pulgadas, 8 pulgadas o personalizado), el método de calentamiento (inducción/resistencia) y los sistemas de control para adaptarse a sus necesidades de producción específicas.
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Personalización de parámetros del proceso: Ayudamos a optimizar los parámetros de temperatura, presión y vacío basados en su calidad de cristal deseada, asegurando un crecimiento estable y eficiente deLos demás.
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Instalación y puesta en marcha en el sitioNuestro equipo de expertos ofrece:instalación in situ, calibración e integración del sistema para garantizar que su equipo funcione con el máximo rendimiento desde el primer día.
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Formación de los clientesOfrecemos un servicio completo de:formación técnicapara su personal, que cubra el funcionamiento, el mantenimiento y la solución de problemas del horno, para garantizar un uso seguro y eficiente.
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Apoyo postventa: ZMSH ofrece servicios a largo plazoServicio posventa, incluyendo asistencia remota, mantenimiento periódico y servicios de reparación de respuesta rápida para minimizar el tiempo de inactividad.