• Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD
  • Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD
  • Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD
Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD

Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD

Datos del producto:

Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH

Pago y Envío Términos:

Condiciones de pago: T/T
Mejor precio Contacto

Información detallada

Descripción de producto

Introducción de la placa portadora de SiC

La placa portadora de SiC es un sustrato de soporte de precisión hecho de carburo de silicio de alta pureza.y resistencia excepcional a la corrosión químicaCon una superficie maquinada y pulida con precisión, las placas portadoras de SiC se utilizan ampliamente en el procesamiento de obleas, la epitaxia MOCVD, el recocido a alta temperatura y otras aplicaciones exigentes.Comparado con los materiales tradicionales como el cuarzo o el AlNEl SiC proporciona una estabilidad térmica superior y una vida útil prolongada.

 Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD 0Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD 1

 

Principio de trabajoDe placas portadoras de SiC

 

En procesos de alta temperatura, la placa portadora de SiC sirve de soporte para transportar obleas o materiales de película delgada.Mejora de la estabilidad y uniformidad del procesoAdemás, debido a su dureza e inertitud química, la placa mantiene la integridad estructural incluso en ambientes corrosivos, garantizando la pureza del producto y la seguridad del equipo.

 Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD 2

 

Aplicaciones típicasDe placas portadoras de SiC

  • Apoyo de sustrato en la epitaxia de MOCVD
  • Procesamiento térmico de semiconductores de banda ancha como SiC y GaN
  • Procesos de recocido, sinterización y difusión para obleas
  • Dispersores y portadores de calor en la fabricación de chips LED
  • Transporte y soporte de materiales en ambientes de alto vacío o corrosivos

  Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD 3

 

Pregunta y respuestaDe placas portadoras de SiC

P1: ¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento de las placas portadoras de SiC?
R: Las placas de SiC suelen soportar temperaturas de hasta 1600 °C o más, dependiendo del entorno de procesamiento y la duración.

 

P2: ¿Cómo se compara el SiC con el AlN o los portadores de cuarzo?
R: El SiC ofrece una mayor conductividad térmica, una resistencia superior al choque térmico y una vida útil más larga, lo que lo hace ideal para aplicaciones duras y de uso repetido.

 

P3: ¿Se puede personalizar el tamaño y la forma?
R: Sí, ofrecemos tamaños, espesores, patrones de agujeros y acabados de superficie personalizados para satisfacer sus requisitos específicos de equipos y procesos.

 

 

Productos relacionados

 

 

  Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD 4

Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas 300 mm Wafer de carburo de silicio conductor de calificación N-tipo de calificación de investigación

 Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD 5

 

4H/6H Wafer Sic tipo P de 4 pulgadas 6 pulgadas Z grado P grado D grado fuera del eje 2.0°-4.0° hacia el tipo P

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Placa portadora de SiC Conductividad térmica Resistencia a la corrosión Wafer MOCVD ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.