• 8 tipo de silicio del carburo de la oblea de Crystal Ingots substrato de la pulgada 200m m N sic
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8 tipo de silicio del carburo de la oblea de Crystal Ingots substrato de la pulgada 200m m N sic

8 tipo de silicio del carburo de la oblea de Crystal Ingots substrato de la pulgada 200m m N sic

Datos del producto:

Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: ZMKJ
Número de modelo: 4h-n

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1PCS
Precio: by case
Detalles de empaquetado: solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-6weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1-50pcs/month
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Tipo cristalino sic solo 4H-N Grado: Maniquí/investigación/producción
Thicnkss: 0.5MM/10-15m m Suraface: pulido
uso: llevar la prueba Diámetro: 8inch
Color: verde
Alta luz:

Obleas de 8 pulgadas 200m m sic

,

De los lingotes substrato sic

,

Tipo oblea de N del carburo de silicio

Descripción de producto

La oblea polaca lateral doble 2-8” 4H N del carburo de silicio - dopó sic el N-tipo sic las obleas de los lingotes de Wafers/8inch 200m m de Crystal Wafers Ingots sic substrate/2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic)

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

 

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

 

Descripción de la oblea de SIC
especificación conductora de la oblea de 4 pulgadas sic
Producto 4H-SiC
Grado Grado I Grado II Grado III
áreas policristalinas Ningunos permitieron Ningunos permitieron <5>
áreas del polytype Ningunos permitieron el ≤20% el 20% ~ el 50%
Densidad de Micropipe) < 5micropipes=""> < 30micropipes=""> <100micropipes>
Área usable total >el 95% >el 80% N/A
Diámetro 100,0 milímetros +0/-0.5 milímetros
Grueso 500 μm del ± 25 del μm o especificación del cliente
Dopante tipo de n: nitrógeno
Orientación plana primaria) Perpendicular <11-20> al ± 5.0°
Longitud plana primaria 32,5 milímetros de ± 2,0 milímetros
Orientación plana secundaria) El 90° CW del ± plano primario 5.0°
Longitud plana secundaria) 18,0 milímetros de ± 2,0 milímetros
En la orientación de la oblea del eje) {± 0.25° de 0001}
De la orientación de la oblea del eje 4.0° hacia <11-20> el ± 0.5° o la especificación del cliente
TTV/BOW/Warp < 5="">
Resistencia 0.01~0.03 Ω×cm
Final superficial Pulimento de la cara de C. CMP de la cara del Si (cara del Si: Rq < 0="">

Pulimento lateral doble

 
 

 

8 tipo de silicio del carburo de la oblea de Crystal Ingots substrato de la pulgada 200m m N sic 08 tipo de silicio del carburo de la oblea de Crystal Ingots substrato de la pulgada 200m m N sic 18 tipo de silicio del carburo de la oblea de Crystal Ingots substrato de la pulgada 200m m N sic 2

TAMAÑO COMÚN DEL CATÁLOGO
    
 

 

4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H

8 N-tipo de la pulgada 4H

 

 
oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic

2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
8 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
 
 
 

 

 

Sic usos

 

Áreas de aplicación

1: Diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos el de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET

2: Dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED

 

FAQ:

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y

La carga está de acuerdo con el acuerdo real.

 

Q: ¿Cómo pagar?

: Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.

 

Q: ¿Cuál es su MOQ?

: (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.

(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.

 

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de usted contacto de la orden.

 

Q: ¿Usted tiene productos estándar?

: Nuestros productos estándar en existencia. como substratos similares 4inch 0.35m m.

 

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. 8 tipo de silicio del carburo de la oblea de Crystal Ingots substrato de la pulgada 200m m N sic ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.