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Equipo de desprendimiento láser de semiconductores para adelgazamiento no destructivo de lingotes
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Equipo de elevación con láser |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | 500 USD |
| Detalles de empaquetado: | cartones a medida |
| Tiempo de entrega: | 4-8 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | por el caso |
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Información detallada |
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| longitud de onda: | Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto invernadero | Etapa XY: | Las medidas de ensayo se aplicarán en el caso de los vehículos de la categoría M1 y M2. |
|---|---|---|---|
| Rango de procesamiento: | 160 milímetros | Repetibilidad: | ± 1 μm o menos |
| Precisión de la posición absoluta: | ±5 μm o menos | Tamaño de la oblea: | 2–6 pulgadas o personalizado |
| Resaltar: | Equipo de adelgazamiento no destructivo de lingotes,Equipo de desprendimiento láser de semiconductores |
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Descripción de producto
Equipo de Despegue Láser de Semiconductor para Adelgazamiento No Destructivo de Lingotes
Descripción General del Producto del Equipo de Despegue Láser
El Equipo de Despegue Láser de Semiconductor representa una solución de próxima generación para el adelgazamiento avanzado de lingotes en el procesamiento de materiales semiconductores. A diferencia de los métodos tradicionales de corte de obleas que se basan en el rectificado mecánico, el aserrado con hilo de diamante o la planarización químico-mecánica, esta plataforma basada en láser ofrece una alternativa sin contacto y no destructiva para separar capas ultrafinas de lingotes de semiconductores a granel.
Optimizado para materiales frágiles y de alto valor como el nitruro de galio (GaN), el carburo de silicio (SiC), el zafiro y el arseniuro de galio (GaAs), el Equipo de Despegue Láser de Semiconductor permite el corte de precisión de películas a escala de oblea directamente del lingote de cristal. Esta tecnología innovadora reduce significativamente el desperdicio de material, mejora el rendimiento y mejora la integridad del sustrato, todo lo cual es fundamental para los dispositivos de próxima generación en electrónica de potencia, sistemas de RF, fotónica y micro-pantallas.
Con énfasis en el control automatizado, el modelado del haz y el análisis de la interacción láser-material, el Equipo de Despegue Láser de Semiconductor está diseñado para integrarse perfectamente en los flujos de trabajo de fabricación de semiconductores, al tiempo que admite la flexibilidad de I+D y la escalabilidad de la producción en masa.
Tecnología y Principio de Funcionamiento del Equipo de Despegue Láser
El proceso realizado por el Equipo de Despegue Láser de Semiconductor comienza irradiando el lingote donante desde un lado utilizando un haz láser ultravioleta de alta energía. Este haz se enfoca con precisión en una profundidad interna específica, típicamente a lo largo de una interfaz diseñada, donde la absorción de energía se maximiza debido al contraste óptico, térmico o químico.
En esta capa de absorción de energía, el calentamiento localizado conduce a una micro-explosión rápida, expansión de gas o descomposición de una capa interfacial (por ejemplo, una película de tensión o un óxido sacrificial). Esta interrupción controlada con precisión hace que la capa cristalina superior, con un grosor de decenas de micrómetros, se separe limpiamente del lingote base.
El Equipo de Despegue Láser de Semiconductor aprovecha los cabezales de escaneo sincronizados con el movimiento, el control programable del eje z y la reflectometría en tiempo real para garantizar que cada pulso entregue energía exactamente en el plano objetivo. El equipo también se puede configurar con capacidades de modo ráfaga o multipulso para mejorar la suavidad del despegue y minimizar la tensión residual. Es importante destacar que, debido a que el haz láser nunca entra en contacto físico con el material, el riesgo de microfisuras, arqueamiento o astillamiento de la superficie se reduce drásticamente.
Esto convierte al método de adelgazamiento por despegue láser en un cambio de juego, particularmente en aplicaciones donde se requieren obleas ultrafinas y ultraplanas con TTV (Variación Total de Espesor) submicrónico.
Parámetro del Equipo de Despegue Láser de Semiconductor
| Longitud de onda | IR/SHG/THG/FHG |
|---|---|
| Ancho de pulso | Nanosegundo, Picosegundo, Femtosegundo |
| Sistema óptico | Sistema óptico fijo o sistema galvano-óptico |
| Etapa XY | 500 mm × 500 mm |
| Rango de procesamiento | 160 mm |
| Velocidad de movimiento | Máx. 1.000 mm/seg |
| Repetibilidad | ±1 μm o menos |
| Precisión de posición absoluta: | ±5 μm o menos |
| Tamaño de la oblea | 2–6 pulgadas o personalizado |
| Control | Windows 10,11 y PLC |
| Voltaje de la fuente de alimentación | CA 200 V ±20 V, monofásico, 50/60 kHz |
| Dimensiones externas | 2400 mm (An) × 1700 mm (Pr) × 2000 mm (Al) |
| Peso | 1.000 kg |
Aplicaciones Industriales del Equipo de Despegue Láser
El Equipo de Despegue Láser de Semiconductor está transformando rápidamente la forma en que se preparan los materiales en múltiples dominios de semiconductores:
- Dispositivos de Potencia GaN Verticales del Equipo de Despegue Láser
El despegue de películas GaN-on-GaN ultrafinas de lingotes a granel permite arquitecturas de conducción vertical y la reutilización de sustratos costosos.
- Adelgazamiento de Obleas de SiC para Dispositivos Schottky y MOSFET
Reduce el grosor de la capa del dispositivo al tiempo que conserva la planitud del sustrato, ideal para la electrónica de potencia de conmutación rápida.
- Materiales LED y de Pantalla Basados en Zafiro del Equipo de Despegue Láser
Permite la separación eficiente de capas de dispositivos de boules de zafiro para soportar la producción de micro-LED delgados y optimizados térmicamente.
- Ingeniería de Materiales III-V del Equipo de Despegue Láser
Facilita el desprendimiento de capas de GaAs, InP y AlGaN para la integración optoelectrónica avanzada.
- Fabricación de IC y Sensores de Obleas Delgadas
Produce capas funcionales delgadas para sensores de presión, acelerómetros o fotodiodos, donde el volumen es un cuello de botella de rendimiento.
- Electrónica Flexible y Transparente
Prepara sustratos ultrafinos adecuados para pantallas flexibles, circuitos portátiles y ventanas inteligentes transparentes.
En cada una de estas áreas, el Equipo de Despegue Láser de Semiconductor juega un papel fundamental para permitir la miniaturización, la reutilización de materiales y la simplificación del proceso.
Preguntas Frecuentes (FAQ) del Equipo de Despegue Láser
P1: ¿Cuál es el grosor mínimo que puedo lograr utilizando el Equipo de Despegue Láser de Semiconductor?
A1: Típicamente entre 10 y 30 micras, dependiendo del material. El proceso es capaz de obtener resultados más delgados con configuraciones modificadas.
P2: ¿Se puede utilizar esto para cortar múltiples obleas del mismo lingote?
A2: Sí. Muchos clientes utilizan la técnica de despegue láser para realizar extracciones en serie de múltiples capas delgadas de un lingote a granel.
P3: ¿Qué características de seguridad se incluyen para la operación de láser de alta potencia?
A3: Los recintos de Clase 1, los sistemas de enclavamiento, el blindaje del haz y los cierres automáticos son estándar.
P4: ¿Cómo se compara este sistema con las sierras de hilo de diamante en términos de costo?
A4: Si bien la inversión inicial puede ser mayor, el despegue láser reduce drásticamente los costos de consumibles, los daños al sustrato y los pasos de posprocesamiento, lo que reduce el costo total de propiedad (TCO) a largo plazo.
P5: ¿El proceso es escalable a lingotes de 6 o 8 pulgadas?
A5: Absolutamente. La plataforma admite sustratos de hasta 12 pulgadas con distribución uniforme del haz y etapas de movimiento de gran formato.
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Sobre Nosotros
ZMSH se especializa en el desarrollo, la producción y la venta de alta tecnología de vidrio óptico especial y nuevos materiales cristalinos. Nuestros productos sirven a la electrónica óptica, la electrónica de consumo y el ejército. Ofrecemos componentes ópticos de zafiro, cubiertas de lentes de teléfonos móviles, cerámica, LT, carburo de silicio SIC, cuarzo y obleas de cristal semiconductor. Con experiencia calificada y equipos de vanguardia, sobresalimos en el procesamiento de productos no estándar, con el objetivo de ser una empresa de alta tecnología líder en materiales optoelectrónicos.
Información de Embalaje y Envío
Método de embalaje:
- Todos los artículos se embalan de forma segura para garantizar un tránsito seguro.
- El embalaje presenta materiales antiestáticos, resistentes a los golpes y a prueba de polvo.
- Para componentes sensibles como obleas o piezas ópticas, adoptamos embalaje de nivel de sala limpia:
- Protección contra el polvo de Clase 100 o Clase 1000, según la sensibilidad del producto.
- Hay opciones de embalaje personalizadas disponibles para requisitos especiales.
Canales de envío y tiempo estimado de entrega:
- Trabajamos con proveedores de logística internacionales de confianza, incluyendo:
UPS, FedEx, DHL
- El plazo de entrega estándar es de 3 a 7 días hábiles, según el destino.
- Se proporcionará información de seguimiento una vez que se envíe el pedido.
- Hay opciones de envío y seguro acelerados disponibles bajo petición.