Equipo de implantación iónica de semiconductores

Ai300 Implantador iónico (12 pulgadas)

(1) Resumen del productoEl Ai300 es un sistema de implantación iónica de haz medio diseñado para el procesamiento de obleas de 12 pulgadas en la fabricación avanzada de semiconductores. Se utiliza principalmente para pasos de implantación de dosis media y energía media a alta, incluyendo la formación de pozos, la ingeniería de canales y las estructuras de drenaje ligeramente dopado (LDD) en procesos CMOS. El sistema proporciona un control preciso de la profundidad y los perfiles de concentración del dopante a través de una entrega de haz estable y un control de ángulo preciso, lo que permite la optimización de las características eléctricas del dispositivo.

(2) Especificaciones clave Especies de implantación: C, B, P, N, He, ArÁngulo de implantación: 0°–45° (precisión ≤0.1°)Rango de dosis: 1E11–1E16 iones/cm²Uniformidad/Repetibilidad: ≤0.5%(3) Características técnicas y ventajasDispositivos lógicos avanzados (CMOS, FinFET)1. ¿Qué es la implantación iónica y por qué es importante en la fabricación de semiconductores?2. ¿Cuál es la diferencia entre implantadores de haz medio y de haz alto?Los implantadores de haz medio se utilizan típicamente para aplicaciones de dopaje de precisión con dosis moderadas y rangos de energía más amplios, como la formación de pozos y la ingeniería de canales. Los implantadores de haz alto, por otro lado, están optimizados para la implantación de dosis altas con corrientes de haz más altas, comúnmente utilizadas para la formación de fuente/drenaje y la ingeniería de contactos.3. ¿Cómo elijo el sistema de implantación iónica adecuado para mi proceso? Tipo de material (Si vs. SiC)Por ejemplo:Use Ai300 para dopaje de precisión CMOS avanzadoUse Ai350HT para implantación de alta temperatura en SiC