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Fuego de oxidación LPCVD de 8/6/4/2 pulgadas de automatización completa Control de oxígeno bajo Deposición de película delgada
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
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| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Wafer Size: | 8 inch 6 inch 4inch 2inch | Estructura del horno: | Tipo vertical |
|---|---|---|---|
| Capacidad del lote: | 150 obleas por lote | Film Uniformity: | Typically better than ±3% |
| Interface Standards: | SECS-II / HSMS / GEM | Supported Processes: | Dry & wet oxidation, N₂/H₂ annealing, RTA, alloying |
| Resaltar: | Horno de oxidación de deposición de película fina LPCVD,Horno de oxidación LPCVD de bajo control de oxígeno,Horno de oxidación LPCVD de automatización completa |
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Descripción de producto
Resumen del producto
Este equipo es un horno LPCVD de oxidación vertical de 8 pulgadas de alta eficiencia y totalmente automatizado, diseñado para la producción en masa.apoya varias oxidacionesEl sistema cuenta con una transferencia automática de 21 casetes con integración MES sin fisuras, ideal para la fabricación de semiconductores.
Principio de trabajo
El horno cuenta con una estructura de tubo vertical y un control avanzado del microambiente con bajo contenido de oxígeno, lo que permite una oxidación precisa o deposición de película de obleas de silicio bajo atmósferas específicas.El proceso LPCVD (deposición por vapor químico a baja presión) calienta los gases precursores a baja presión para depositar películas finas de alta calidad como el poli silicio, nitruro de silicio o óxidos de silicio dopados.
En la fabricación de chips, la deposición de vapor químico a baja presión (LPCVD) se utiliza ampliamente para crear varias películas delgadas para diferentes propósitos.El LPCVD se puede utilizar para depositar películas de óxido de silicio y nitruro de silicioTambién se utiliza para producir películas dopadas para modificar la conductividad del silicio.que son esenciales para formar estructuras de interconexión en circuitos integrados.
Principio del proceso
The working principle of LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) can be understood as a controlled chemical reaction process that takes place at low pressure and involves the reaction of gaseous precursors on the surface of a wafer.
Entrega de gas:
Se introducen uno o varios precursores gaseosos (gases químicos) en la cámara de reacción.
La presión baja ayuda a mejorar las tasas de reacción, mejorar la uniformidad y mejorar la calidad de la película.El caudal y la presión de los gases son controlados con precisión por controladores y válvulas especializadasLa elección del gas determina las propiedades de la película resultante. Por ejemplo, para depositar películas de silicio, se puede utilizar silano (SiH4) o diclorosilano (SiCl2H2) como precursores.Se seleccionan diferentes gases para otros tipos de películas., como el óxido de silicio, nitruro de silicio o metales.
Adsorción:
Este proceso implica la adsorción de moléculas de gas precursores en la superficie del sustrato (por ejemplo, oblea de silicio).La adsorción se refiere a la interacción donde las moléculas se adhieren temporalmente a la superficie sólida desde la fase gaseosaEsto puede implicar adsorción física o química.
Reacción:
A la temperatura establecida, los precursores adsorbidos experimentan reacciones químicas en la superficie del sustrato, formando una película delgada.dependiendo del tipo de gases precursores y de las condiciones del proceso.
- ¿ Qué es eso?
Los productos de reacción forman una película delgada que se deposita uniformemente en la superficie del sustrato.
Eliminación de los gases residuales:
Los precursores no reaccionados y los subproductos gaseosos (por ejemplo, el hidrógeno generado durante la descomposición del silano) se eliminan de la cámara de reacción.Estos subproductos deben ser evacuados para evitar interferencias en el proceso o la contaminación de la película..
Áreas de aplicación
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El equipo LPCVD se utiliza para depositar películas finas uniformes a altas temperaturas y bajas presiones, ideal para el procesamiento por lotes de obleas.
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Capaz de depositar una amplia gama de materiales, incluyendo poli silicio, nitruro de silicio y dióxido de silicio.
Pregunta y respuesta
P1: ¿Cuántas obleas se pueden procesar por lote?
R1: El sistema admite 150 obleas por lote, adecuadas para la producción en gran volumen.
P2: ¿El sistema admite métodos de oxidación múltiples?
R2: Sí, admite la oxidación en seco y en húmedo (incluyendo DCE y HCL), adaptable a diversos requisitos del proceso.
P3: ¿Puede el sistema interactuar con el MES de fábrica?
A3: admite los protocolos de comunicación SECS II/HSMS/GEM para la integración MES sin problemas y las operaciones de fábrica inteligentes.
P4: ¿Qué procesos compatibles se admiten?
A4: Además de la oxidación, es compatible con el recocido de N2/H2, RTA, aleación y LPCVD para el polisílico, SiN, TEOS, SIPOS y más.