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Oblea del carburo de silicio

Componentes de CVD SiC para equipos semiconductores Anillo de SiC Electrodo de SiC Grabado en seco

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Componentes de CVD SiC para equipos semiconductores Anillo de SiC Electrodo de SiC Grabado en seco

Nombre De La Marca:	ZMSH
MOQ:	2
Precio:	20USD
Detalles Del Embalaje:	cajas personalizadas
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Porcelana

Material:

Material

Diámetro máximo:

Máximo 370 mm

Resistividad:

Baja resolución. <0,02 Ω·cm; Resolución media. 0,2–25 Ω·cm; Alta resolución. >100 Ω·cm

RRG:

Condición superficial:

tierra

Precisión de mecanizado:

<10 µm

Capacidad de la fuente:

Por caso

Resaltar:

Componentes de carburo de silicio policristalino CVD

oblea de SiC para aplicaciones de IA

componentes de carburo de silicio con revestimiento AR

Descripción de producto

Para aplicaciones de equipos semiconductores

Los componentes CVD SiC son piezas estructurales y consumibles clave que se utilizan en equipos frontales de semiconductores. Se aplican ampliamente enGrabado en seco, EPI, difusión y RTPprocesos.

Con excelentealta pureza, conductividad térmica, resistencia a la corrosión por plasma, estabilidad a altas temperaturas, baja generación de partículas y maquinabilidad de precisión, Los componentes CVD SiC son adecuados para entornos de procesos de semiconductores exigentes.

Aplicación de grabado seco

En los equipos de grabado en seco, los componentes CVD SiC y silicio se instalan principalmente dentro de la cámara de proceso. Se utilizan para control de plasma, protección de bordes de oblea, sistemas de electrodos, protección de cámaras y mejora de la uniformidad del proceso.

Componentes típicos

Componente	Material	Solicitud
Electrodo interno	Si/SiC	Utilizado en el sistema de electrodos para controlar la reacción del plasma.
Electrodo exterior	Si/SiC	Funciona con el electrodo interno para mejorar la uniformidad del grabado.
Anillo de cubierta C	Si	Se utiliza para protección de cámara y control de flujo de plasma/gas.
Anillo de borde caliente	Si/SiC	Protege los bordes de las obleas y mejora el rendimiento del grabado de bordes.
Anillo de cobertura del suelo	Cuarzo	Utilizado para conexión a tierra y protección de cámara.
Anillo de pareja	Cuarzo	Componente de soporte y acoplamiento en el interior de la cámara.
Anillo de Cuarzo	Cuarzo	Se utiliza para sellar, soportar o aislar la cámara.

Ventajas clave

Los componentes CVD SiC ofrecen una excelente resistencia a la corrosión por plasma en entornos de grabado a base de flúor y cloro. Ayudan a reducir la contaminación por partículas, minimizar el desgaste de los componentes, ampliar los intervalos de mantenimiento y mejorar la estabilidad del proceso.

Componentes de CVD SiC para equipos semiconductores Anillo de SiC Electrodo de SiC Grabado en seco 0

Serie de productos principales

Electrodo de silicio

Los electrodos de Si se utilizan principalmente en equipos de grabado en seco como componentes de electrodos. Son adecuados para procesos de semiconductores maduros y reemplazo de repuestos de equipos.

Artículo	Especificación
Material	Silicio monocristalino
Diámetro máximo	Máximo 480 mm
Resistividad	Baja resolución. <0,02 Ω·cm; Resolución media. 1–4 Ω·cm; Alta resolución. 70–90 Ω·cm
RRG	<5%
Agujero de gas	Diámetro 0,2–0,8 mm
Condición de la superficie	Pulido / Lapeado / Suelo
Precisión de mecanizado	<10 µm
Inspección de calidad	Libre de astillas, rayones, grietas, manchas y otros defectos

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Anillo Si

Los anillos Si se utilizan en cámaras de grabado para protección de bordes de oblea, soporte y control de plasma.

Artículo	Especificación
Material	Silicio monocristalino / Silicio multicristalino
Diámetro máximo	Máximo 480 mm
Resistividad	Baja resolución. <0,02 Ω·cm; Resolución media. 1–4 Ω·cm; Alta resolución. 70–90 Ω·cm
RRG	<5%
Condición de la superficie	Pulido / Lapeado / Suelo
Precisión de mecanizado	<10 µm
Inspección de calidad	Libre de astillas, rayones, grietas, manchas y otros defectos

Anillo de SiC CVD

Los anillos CVD SiC se utilizan como anillos de borde, anillos de protección y anillos de soporte en Dry Etch, EPI, RTP y otros equipos semiconductores.

Artículo	Especificación
Material	CVD SiC
Diámetro máximo	Máximo 370 mm
Resistividad	Baja resolución. <0,02 Ω·cm; Resolución media. 0,2–25 Ω·cm; Alta resolución. >100 Ω·cm
RRG	<5%
Condición de la superficie	Suelo
Precisión de mecanizado	<10 µm
Inspección de calidad	Libre de astillas, rayones, grietas, manchas y otros defectos

Electrodo de SiC CVD

Los electrodos CVD SiC se utilizan como componentes clave de electrodos en equipos de grabado en seco. En comparación con los electrodos de silicio convencionales, los electrodos CVD SiC proporcionan una mejor resistencia a la corrosión y una vida útil más larga.

Artículo	Especificación
Material	CVD SiC
Diámetro máximo	Máximo 330 mm
Resistividad	Baja resolución. <0,02 Ω·cm; Resolución media. 0,2–25 Ω·cm; Alta resolución. >100 Ω·cm
RRG	<5%
Condición de la superficie	Suelo
Precisión de mecanizado	<10 µm
Inspección de calidad	Libre de astillas, rayones, grietas, manchas y otros defectos

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Propiedades del material del SiC policristalino CVD

El SiC policristalino CVD se produce mediante deposición química de vapor. Presenta una estructura densa, alta pureza, excelente resistencia a la corrosión y gran estabilidad en entornos de procesos limpios de semiconductores.

Propiedad	Unidad	Valor típico
Densidad	gramos/cm³	3.21–3.22
Resistencia a la flexión	MPa	320–380
Conductividad térmica	W/m·K	240–360
Tamaño de grano	μm	5-10
Pureza	%	99.99997
Microdureza Vickers	alto voltaje	3100–3700
Módulo elástico	GPa	450–530
Tasa XRD	-	0,65–1,1
CTE, temperatura ambiente a 1000 °C	10⁻⁶/K	4.8–5.1

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Ventajas del producto

Alta Pureza

La pureza de CVD SiC puede alcanzar99,99997%, lo que ayuda a reducir el riesgo de contaminación por metales en los procesos iniciales de semiconductores.

Excelente resistencia a la corrosión por plasma

CVD SiC mantiene una buena estabilidad en entornos de plasma a base de flúor y cloro, lo que reduce el desgaste de los componentes y la generación de partículas.

Alta conductividad térmica

Con conductividad térmica de240–360 W/m·K, CVD SiC ayuda a mejorar la uniformidad del campo térmico y la consistencia del proceso.

Estabilidad a altas temperaturas

Los componentes CVD SiC son adecuados para EPI, difusión, RTP y otros procesos de alta temperatura. Mantienen una buena estabilidad dimensional durante el uso a largo plazo.

Alta dureza y resistencia al desgaste

La alta dureza Vickers proporciona una excelente resistencia al desgaste y ayuda a prolongar la vida útil de los componentes.

Mecanizado personalizado disponible

Los productos se pueden personalizar según los dibujos del cliente, incluidos el diámetro exterior, el diámetro interior, los orificios, las ranuras, los escalones, los chaflanes, el estado de la superficie y la precisión del ensamblaje.

Campos de aplicación

Los componentes de SiC policristalino CVD se utilizan ampliamente en:

Equipo de grabado en seco
Equipo de epitaxia
Equipo de horno de difusión.
Equipo RTP
Piezas OEM para equipos semiconductores
Reemplazo de repuestos de fábrica de obleas
Procesos de obleas de Si, SiC, GaN, GaAs

Preguntas y respuestas

P1: ¿Qué son los SiC policristalinos CVD?componentesutilizado para?

SiC policristalino CVDcomponentesSe utilizan principalmente en el front-end de semiconductores.equipo,incluido SecoGrabar al agua fuerte, EPI, Difusión y RTPsistemas.Típicolos productos incluyenAnillos de SiC, SiCelectrodos,bordeAnillos, susceptores, barcos de SiC y obleas ficticias..

P2: ¿Cuáles son las ventajas del CVD SiC en comparación con las piezas de cuarzo o silicio?

CVD SiC ofrece mejorescorrosión por plasmaresistencia, alta temperaturaestabilidad, conductividad térmica, dureza yserviciovida. Puedereducir partículageneración ycomponenteusar endurosemiconductorproceso entornos.

P3: ¿Qué materiales son?disponiblepara estoscomponentes?

podemos proporcionarcomponenteshecho deCVD SiC, simplecristalsilicio, multi-cristalsilicio y cuarzo, dependiendo de lasolicitudyequipo requisitos.

Etiquetas:

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Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

equipo de laboratorio científico

Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor

Oblea del nitruro del galio

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Oblea del nitruro del galio

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Componentes de carburo de silicio policristalino CVD

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componentes de carburo de silicio con revestimiento AR

Para aplicaciones de equipos semiconductores

Aplicación de grabado seco

Componentes típicos

Ventajas clave

Serie de productos principales

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Anillo Si

Anillo de SiC CVD

Electrodo de SiC CVD

Propiedades del material del SiC policristalino CVD

Ventajas del producto

Alta Pureza

Excelente resistencia a la corrosión por plasma

Alta conductividad térmica

Estabilidad a altas temperaturas

Alta dureza y resistencia al desgaste

Mecanizado personalizado disponible

Campos de aplicación

Preguntas y respuestas

P1: ¿Qué son los SiC policristalinos CVD?componentesutilizado para?

P2: ¿Cuáles son las ventajas del CVD SiC en comparación con las piezas de cuarzo o silicio?

P3: ¿Qué materiales son?disponiblepara estoscomponentes?