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5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m
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Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada
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900nm 4 las películas finísimas del niobato del litio de la pulgada LiNbO3 acodan en el substrato de silicio
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El tipo substrato Si de 4 pulgadas N del semiconductor de 15° dopó la oblea SSP del GaAs
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Oblea de la capa de la plantilla de Sapphire Substrate AlN de 2 pulgadas para los dispositivos de 5G BAW
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2" de N oblea LD/LED del GaAs DSP/SSP del arseniuro de galio del dopante del Si del substrato del semiconductor semi
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Oblea sin impurificar del arseniuro de galio de 2INCH 3INCH 4Inch semi que aísla el substrato del GaAs para el LED
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INP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 pulgadas
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650um grueso substrato del semiconductor del INP del solo cristal de 4 pulgadas
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TIPO obleas cristalinas monocristalinas de 2-4inch N/P de los substratos de InAs del substrato del semiconductor
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Substrato de GaSb del antimoniuro de galio, monocristal del solo cristal para el semiconductor
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2 el grueso cristalino de la oblea 0,3 de Gap del substrato del fosfuro del galio de la pulgada traslapó la superficie
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Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT
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