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El cristal del tantalato LiTaO3 del LT litio de Y-42°, Fe+ dopó la oblea del substrato 300um para vio óptico
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Oblea de 6 de la pulgada plantillas de Sapphire Based AlN para la ventana del zafiro de la oblea del zafiro de los dispositivos de 5G BAW
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Obleas de GE del substrato del semiconductor del germanio del SSP para la banda infrarroja 100/110 2 pulgadas
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Tipo pureza elevada pulida PVD de 6 pulgadas N de la oblea de silicio/capa del CVD
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El tipo de 6 pulgadas N pulió la oblea del óxido de silicio de la oblea de silicio DSP SiO2
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Obleas de GE del substrato del semiconductor del germanio de 4 pulgadas para los lasers infrarrojos del CO2
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2inch 325um GA-dopó las obleas de GE del substrato del germanio para el infrarrojo
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tipo pedazo cuadrado SEM del microscopio electrónico de exploración de 10x10m m P de la oblea de silicio
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El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N
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Del OEM sola Crystal Ge lente óptica del diámetro 25.4m m
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Tipo substrato de la pulgada N de VGF 6 del semiconductor del GaAs para el crecimiento epitaxial
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2 el silicio de la película de la pulgada 1000nm AlN basó el substrato del semiconductor del nitruro de aluminio
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4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
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6" silicio basó la película de las plantillas 500nm AlN de AlN en el substrato de silicio
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diámetro AlN solo Crystal Semiconductor Substrate de 30m m
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