Fuego de oxidación LPCVD de 8/6/4/2 pulgadas de automatización completa Control de oxígeno bajo Deposición de película delgada

Descripción del producto

Este equipo es un horno LPCVD vertical de 8 pulgadas de alta eficiencia y totalmente automatizado, diseñado para la producción en masa. Ofrece una excelente uniformidad y repetibilidad de la película, soporta varios procesos de oxidación, recocido y LPCVD. El sistema cuenta con una transferencia automática de 21 casetes con integración MES sin interrupciones, ideal para la fabricación de semiconductores.

Principio de funcionamiento

El horno presenta una estructura de tubo vertical y un control avanzado de microambiente de bajo oxígeno. Permite la oxidación precisa o la deposición de películas de obleas de silicio bajo atmósferas específicas. El proceso LPCVD (Deposición Química de Vapor a Baja Presión) calienta gases precursores a baja presión para depositar películas delgadas de alta calidad como polisilicio, nitruro de silicio u óxidos de silicio dopados.

En la fabricación de chips, la Deposición Química de Vapor a Baja Presión (LPCVD) se utiliza ampliamente para crear diversas películas delgadas para diferentes propósitos. LPCVD se puede utilizar para depositar películas de óxido de silicio y nitruro de silicio. También se emplea para producir películas dopadas para modificar la conductividad del silicio. Además, LPCVD se utiliza para fabricar películas metálicas, como tungsteno o titanio, que son esenciales para formar estructuras de interconexión en circuitos integrados.

Principio del proceso

El principio de funcionamiento de LPCVD (Deposición Química de Vapor a Baja Presión) puede entenderse como un proceso de reacción química controlada que tiene lugar a baja presión e implica la reacción de precursores gaseosos en la superficie de una oblea.

Suministro de gas:
Se introducen uno o más precursores gaseosos (gases químicos) en la cámara de reacción. Este

paso se realiza bajo presión reducida, típicamente por debajo del nivel atmosférico. Una presión más baja ayuda a mejorar las velocidades de reacción, la uniformidad y la calidad de la película. El caudal y la presión de los gases se controlan con precisión mediante controladores y válvulas especializados. La elección del gas determina las propiedades de la película resultante. Por ejemplo, para depositar películas de silicio, se pueden utilizar silano (SiH₄) o diclorosilano (SiCl₂H₂) como precursores. Se seleccionan diferentes gases para otros tipos de películas, como óxido de silicio, nitruro de silicio o metales.

Adsorción:
Este proceso implica la adsorción de moléculas de gas precursor en la superficie del sustrato (por ejemplo, oblea de silicio). La adsorción se refiere a la interacción en la que las moléculas se adhieren temporalmente a la superficie sólida desde la fase gaseosa, sin integrarse completamente en el sólido. Esto puede implicar adsorción física o adsorción química.

Reacción:
A la temperatura establecida, los precursores adsorbidos sufren reacciones químicas en la superficie del sustrato, formando una película delgada. Estas reacciones pueden incluir descomposición, sustitución o reducción, dependiendo del tipo de gases precursores y las condiciones del proceso.

Deposición:
Los productos de la reacción forman una película delgada que se deposita uniformemente sobre la superficie del sustrato.

Eliminación de gases residuales:
Los precursores no reaccionados y los subproductos gaseosos (por ejemplo, hidrógeno generado durante la descomposición del silano) se eliminan de la cámara de reacción. Estos subproductos deben ser evacuados para evitar interferencias con el proceso o contaminación de la película.

Campos de aplicación

• El equipo LPCVD se utiliza para depositar películas delgadas uniformes a altas temperaturas y bajas presiones, ideal para el procesamiento por lotes de obleas.

• Capaz de depositar una amplia gama de materiales, incluyendo polisilicio, nitruro de silicio y dióxido de silicio.

Preguntas y respuestas

P1: ¿Cuántas obleas se pueden procesar por lote?
R1: El sistema soporta 150 obleas por lote, adecuado para producción de alto volumen.

P2: ¿El sistema soporta múltiples métodos de oxidación?
R2: Sí, soporta oxidación seca y húmeda (incluyendo DCE y HCL), adaptable a diversos requisitos de proceso.

P3: ¿Puede el sistema interactuar con el MES de la fábrica?
R3: Soporta los protocolos de comunicación SECS II/HSMS/GEM para una integración MES sin interrupciones y operaciones de fábrica inteligentes.

P4: ¿Qué procesos compatibles se soportan?
R4: Además de la oxidación, soporta recocido N₂/H₂, RTA, aleación y LPCVD para polisilicio, SiN, TEOS, SIPOS y más.