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las películas finas del niobato del litio de la oblea de 2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3 acodan en el substrato de silicio
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Certificación: | ROHS |
| Número de modelo: | JZ-2inch 3inch 4inch INCH-LNOI |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo envase de la oblea en sitio de limpieza |
| Tiempo de entrega: | 4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, Paypal |
| Capacidad de la fuente: | 10pcs/month |
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Información detallada |
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| Material: | Capa LiNbO3 en el substrato de silicio | Grueso de la capa: | 300-1000nm |
|---|---|---|---|
| orientación: | X-CUT | Ra: | 0.5nm |
| Capa del aislamiento: | Sio2 | Substrato: | 525um |
| Tamaño: | 2inch 3inch 4inch 8inch | Nombre de producto: | LNOI |
| Alta luz: | oblea del niobato del litio 4inch,Oblea del niobato del litio de la película fina LNOI,Substrato de silicio LiNbO3 |
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Descripción de producto
las películas finas del niobato del litio de la oblea de 2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3 acodan en el substrato de silicio
El proceso de la preparación de la oblea de LNOI se muestra abajo, incluyendo los cinco pasos siguientes:
(1) Ion Implantation: La máquina de la implantación de ion se utiliza para conducirlo de alta energía los iones de la superficie superior del cristal del niobato del litio. Cuando él los iones con energía específica entra en el cristal, serán obstruidos por los átomos y los electrones en cristal de LN y retrasar y permanecer gradualmente en una posición específica de la profundidad, destruyendo la estructura cristalina cerca de esta posición y partiendo el cristal de LN en capas superiores y más bajas de A/B. Y la zona A va a ser la película fina que necesitamos hacer LNOI.
(2) preparación del substrato: Para hacer las obleas del niobato del litio de la película fina, no es ciertamente posible dejar centenares de películas finas del nanómetro LN en un estado suspendido. Se requieren los materiales de apoyo que son la base. En obleas comunes de SOI, el substrato es una capa de obleas de silicio con un grueso más que 500um, y entonces la capa dieléctrica SiO2 se prepara en la superficie. Finalmente, la película fina del silicio monocristalino se enlaza en la superficie superior para formar las obleas de SOI. En cuanto a obleas de LNOI, el Si y LN son substratos de uso general, y entonces la capa dieléctrica SiO2 es preparada por proceso termal del oxígeno o de la deposición de PECVD. Si la superficie de la capa dieléctrica es desigual, el proceso de pulido mecánico químico del CMP es necesario hacer la superficie superior lisa y lisa, que es conveniente para el proceso de enlace subsiguiente.
(3) vinculación de la película: Usando un dispositivo de la vinculación de la oblea, el ion implantó el cristal de LN se invierte 180 grados y enlazó al substrato. Para la producción llana de la oblea, las superficies de enlace de ambos substratos y LN son alisados, generalmente por la vinculación directa sin la necesidad de materiales intermedios de la carpeta. Para la investigación científica, BCB (benzocyclobutene) se puede también utilizar como el material de la carpeta de la capa intermedia para alcanzar para morir para morir vinculación. El modo de enlace de BCB tiene un requisito bajo en la suavidad de la superficie de enlace, que es muy conveniente para los experimentos de la investigación científica. Sin embargo, BCBS no tienen estabilidad a largo plazo, así que la vinculación de BCB no se utiliza generalmente en la producción de la oblea
(4) recocido y desmontaje: Después de las dos superficies cristalinas se enlazan y se requieren el recocido y el proceso de desmontaje sacados, des alta temperatura. Después de que la superficie de los dos cristales se quepa, primero mantiene cierto rato en una temperatura específica de fortalecer la fuerza de la vinculación del interfaz, y hace la burbuja inyectada de la capa del ion, para separar películas de A y de B gradualmente. Finalmente, el equipo mecánico se utiliza para pelar las dos películas aparte, y después para reducir gradualmente la temperatura a la temperatura ambiente para terminar el proceso entero del recocido y de desmontaje.
(5) el aplanar del CMP: Después de recocer, la superficie de la oblea de LNOI es áspera y desigual. El aplanar adicional del CMP es necesario hacer la película en el plano de la superficie de la oblea y reducir la aspereza superficial.
Especificación característica
| 300-900 películas finas del niobato del litio del nanómetro (LNOI) | ||||
| Capa funcional superior | ||||
| Diámetro | 3, 4, (6) pulgada | Orientación | X, Z, Y etc. | |
| Material | LiNbO3 | Grueso | 300-900 nanómetro | |
| Dopado (opcional) | MgO | |||
| Capa del aislamiento | ||||
| Material | SiO2 | Grueso | 1000-4000 nanómetro | |
| Substrato | ||||
| Material | Si, LN, cuarzo, silicona fundida etc. | |||
| Grueso | 400-500 μm | |||
| Capa opcional del electrodo | ||||
| Material | Pinta, Au, Cr | Grueso | 100-400 nanómetro | |
| Estructura | Sobre o bajo capa del aislamiento SiO2 | |||
Uso del LN-En-silicio
1, la comunicación de fibra óptica, tal como modulador de la guía de onda, etc. comparó con los productos tradicionales, el volumen de dispositivos producidos usando este material de la película fina se puede reducir por más de un millón veces, la integración se mejora grandemente, el ancho de banda de la respuesta es ancho, el consumo de energía es bajo, el funcionamiento es más estable, y se reduce el coste de fabricación.
2, dispositivos electrónicos, tales como filtros, líneas de retardo, etc. de alta calidad.
3, el almacenamiento de información, y pueden realizar el almacenamiento de información de alta densidad, una memoria de información de la película de 3 pulgadas del de 70 t (CD 100000)
La exhibición de las películas finísimas del niobato del litio acoda en el substrato de silicio
