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Pulgada 4Inch N de VGF 2/tipo substrato de P del semiconductor de la oblea del GaAs para el crecimiento epitaxial
Datos del producto:
| Lugar de origen: | NC |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Certificación: | ROHS |
| Número de modelo: | Substrato del GaAs |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 3PCS |
|---|---|
| Precio: | BY case |
| Detalles de empaquetado: | solo envase de la oblea bajo sitio de limpieza |
| Tiempo de entrega: | 4-6weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union |
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Información detallada |
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| Material: | Oblea del substrato del GaAs | Tamaño: | 2inch 3inch 4inch 6inch |
|---|---|---|---|
| Método del crecimiento: | FVG | EPD: | <500> |
| dopante: | sin impurificar Zn-dopada Si-dopada | TTV DDP: | 5um |
| TTV SSP: | 10um | orientación: | 100+/-0.1 grados |
| Alta luz: | Substrato del semiconductor del crecimiento epitaxial,Tipo oblea de P del GaAs,Substrato del semiconductor de la oblea del GaAs |
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Descripción de producto
Tipo tipo substrato de la pulgada 4Inch N de VGF 2 de P del semiconductor de la oblea del GaAs para el crecimiento epitaxial
N-tipo oblea primera de VGF 2inch 4inch 6inch del GaAs del grado para el crecimiento epitaxial
El arseniuro de galio se puede hacer en los materiales de alta resistencia semiaislantes con resistencia más de 3 órdenes de magnitud más arriba que el silicio y el germanio, que se utilizan para hacer los substratos del circuito integrado, los detectores infrarrojos, los detectores gammas del fotón, el etc. Porque su movilidad de electrón es 5 a 6 veces mayor que la del silicio, tiene usos importantes en la fabricación de dispositivos de la microonda y de circuitos digitales de alta velocidad. El arseniuro de galio hecho del arseniuro de galio se puede hacer en los materiales de alta resistencia semiaislantes con resistencia de más de 3 órdenes de magnitud más arriba que el silicio y el germanio, que se utilizan para hacer los substratos del circuito integrado y los detectores infrarrojos.
1. Uso del arseniuro de galio en optoelectrónica
2. Uso del arseniuro de galio en microelectrónica
3. Uso del arseniuro de galio en la comunicación
4. Uso del arseniuro de galio en microonda
5. Uso del arseniuro de galio en células solares
Especificación de las obleas del GaAs
| Tipo/dopante | Semi-aislado | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| Uso | Eletronic micro | LED | Diodo láser | |
| Método del crecimiento | VGF | |||
| Diámetro | 2", 3", 4", 6" | |||
| Orientación | (100) ±0.5° | |||
| Grueso (µm) | 350-625um±25um | |||
| OF/IF | Los E.E.U.U. EJ o muesca | |||
| Concentración de portador | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| Resistencia (ohmio-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| Movilidad (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| Densidad de la echada del grabado de pistas (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
| TTV [P/E] (µm) | <10> | |||
| Deformación (µm) | <10> | |||
| Superficial acabado | P/P, P/E, E/E | |||
El arseniuro de galio es el material más importante y más ampliamente utilizado del semiconductor de semiconductores compuestos, y es también el material más maduro y más grande del semiconductor compuesto de la producción actualmente.
Los dispositivos del arseniuro de galio se han utilizado que son:
- Diodo de la microonda, diodo de Gunn, diodo de varactor, etc.
- Transistores de la microonda: transistor de efecto de campo (FET), alto transistor de movilidad de electrón (HEMT), transistor bipolar de la heterounión (HBT), etc.
- Circuito integrado: circuito integrado monolítico de la microonda (MMIC), circuito integrado ultraalto de la velocidad (VHSIC), etc.
- Componentes de Pasillo, etc.
- Diodo electroluminoso infrarrojo (IR LED); Diodo electroluminoso visible (LED, usado como substrato);
- Diodo láser (LD);
- Detector ligero;
- Célula solar de gran eficacia;
