4H/6H Wafer de carburo de silicio semi-aislante para la producción/investigación/grado falso

4H/6H Wafer de carburo de silicio semi-aislante para la producción/investigación/grado falso

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Silicon Carbide

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5
Tiempo de entrega: 2 weeks
Condiciones de pago: 100%T/T
Capacidad de la fuente: 100000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Finalización de la superficie: Lateral solo/doble pulido TTV: ≤2um
Partícula: Partícula libre/baja Aspereza superficial: ≤1.2nm
Llanura: Lambda/10 orientación: En-AXIS/de fuera del eje
El material: Carburo de silicio El tipo: 4H-N/ 6H-N/4H-Semi-insulting/6H-Semi-insulting
Alta luz:

Wafer Sic de calidad ficticia

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Oferta de carburo de silicio semi-aislante de 6H

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Wafer de carburo de silicio de grado de producción

Descripción de producto

Descripción del producto:

Como fabricante y proveedor líder decon un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 10%, ZMSH ofrece el mejor precio en el mercado para2 pulgadas y 3 pulgadas de investigación de grado de carburo de silicio wafers de sustrato.

La oblea de sustrato de SiC se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos conalta potencia y alta frecuencia, como por ejemploDiodo emisor de luz (LED)y otros.

Un LED es un tipo de componente electrónico que utiliza la combinación de electrones semiconductores y agujeros.larga vida útil, pequeño tamaño, estructura simple y fácil control.

 

Características:

El carburo de silicio (SiC) de cristal único tiene excelentes propiedades de conductividad térmica, alta movilidad de electrones de saturación y resistencia a la degradación de alto voltaje.Es adecuado para la preparación de alta frecuencia, dispositivos electrónicos de alta potencia, alta temperatura y resistentes a la radiación.

El cristal único de SiC tieneMuchas propiedades excelentes, incluidoalta conductividad térmica,alta movilidad de electrones saturados,una fuerte ruptura de la tensiónEs adecuado para la preparación dealta frecuencia,alta potencia,alta temperaturayresistente a la radiaciónlos dispositivos electrónicos.

 

Parámetros técnicos:

El método de cultivo deSubstrato de carburo de silicio,Oferta de carburo de silicio,Wafer de SiC, ySubstrato de SiCesSe trata de un sistema de control.La estructura cristalina puede ser:6 horaso bien4 horasLos parámetros de red correspondientes para6 horasLas diferencias entre los valores de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias de las diferencias.4 horasLa secuencia de apilamiento de las6 horases ABCACB, mientras que el de4 horasEl grado disponible esGrado de producción,Grado de investigacióno bienGrado de imitación, el tipo de conductividad puede ser:Tipo No bienSemi-aislanteLa banda-brecha del producto es de 3,23 eV, con una dureza de 9,2 (mohs), una conductividad térmica a 300K de 3,2 a 4,9 W/cm.K. Además, las constantes dieléctricas son e(11) = e(22) = 9,66 y e(33) = 10.33. La resistividad de4H-SiC-Nestá en el intervalo de 0,015 a 0,028 Ω·cm,6H-SiC-Nes de 0,02 a 0,1 Ω·cm y4H/6H-SiC-SIEl producto está envasado en una caja deClase 100bolsa limpia en unClase 1000Habitación limpia.

 

Aplicaciones:

La oblea de carburo de silicio (oblea de SiC) es una opción perfecta para la electrónica automotriz, los dispositivos optoelectrónicos y las aplicaciones industriales.Substrato SiC de tipo 4H-NySubstrato de SiC semisolante.

El sustrato SiC tipo 4H-N tiene el máximo de resistencia del tipo n con valores predecibles y repetibles de resistividad. Se caracteriza por una baja expansión térmica y una excelente estabilidad a temperatura.Este sustrato de SiC es ideal para aplicaciones desafiantes con operación de alta frecuencia con alta potencia térmica y eléctrica.

El substrato de SiC semi-isolante tiene un nivel de aceptor de carga intrínseca de base muy bajo.Este tipo de sustrato de SiC es ideal para su uso como sustrato epitaxial y para aplicaciones tales como dispositivos de conmutación de alta potencia, sensores de alta temperatura y alta estabilidad térmica.

 

Apoyo y servicios:

Estamos orgullosos de ofrecer soporte técnico y servicio para nuestros productos de obleas de carburo de silicio.Nuestro equipo de profesionales con experiencia y conocimiento está disponible para ayudarle con cualquier pregunta o consulta que pueda tenerOfrecemos una serie de servicios, entre los que se incluyen:

  • Asesoramiento técnico y apoyo para ayudarle a sacar el máximo provecho de su producto
  • Orientación sobre la selección de la mejor oblea para sus necesidades específicas
  • Asistencia en la instalación y puesta a punto de sus obleas
  • Ayuda para solucionar cualquier problema que pueda tener
  • Mantenimiento continuo y mejoras para mantener sus obleas funcionando correctamente
4H/6H Wafer de carburo de silicio semi-aislante para la producción/investigación/grado falso 04H/6H Wafer de carburo de silicio semi-aislante para la producción/investigación/grado falso 1

Embalaje y envío:

Embalaje y envío de las obleas de carburo de silicioLas obleas de carburo de silicio se envían en un embalaje seguro estático para garantizar que permanezcan intactas.- Un inserto de espuma con bolsas empotradas para proteger cada oblea- una bolsa de protección estática para el inserto de espuma. - una bolsa de protección contra la humedad (sellada al vacío). - una caja externa para proteger el embalaje de fuerzas externas.El embalaje también incluye una etiqueta con la información del productoEl envío se realiza a través de un servicio de mensajería confiable con información de seguimiento proporcionada.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué es la oblea de carburo de silicio?
R: La oblea de carburo de silicio es un material semiconductor hecho de silicio y carbono. Se utiliza para una amplia gama de aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas.
P: ¿Cuál es el nombre de marca de la oblea de carburo de silicio?
R: El nombre de marca de la oblea de carburo de silicio es ZMSH.
P: ¿Cuál es el número de modelo de la oblea de carburo de silicio?
R: El número de modelo de la oblea de carburo de silicio es carburo de silicio.
P: ¿Cuál es el lugar de origen de la oblea de carburo de silicio?
R: El lugar de origen de las obleas de carburo de silicio es China.
P: ¿Cuál es la cantidad mínima de pedido de obleas de carburo de silicio?
R: La cantidad mínima de pedido de obleas de carburo de silicio es de 5.
P: ¿Cuál es el tiempo de entrega de la oblea de carburo de silicio?
R: El tiempo de entrega de la oblea de carburo de silicio es de 2 semanas.
P: ¿Cuáles son los términos de pago de la oblea de carburo de silicio?
R: Los términos de pago de la oblea de carburo de silicio son 100% T/T.
P: ¿Cuál es la capacidad de suministro de la oblea de carburo de silicio?
R: La capacidad de suministro de la oblea de carburo de silicio es de 100000.

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. 4H/6H Wafer de carburo de silicio semi-aislante para la producción/investigación/grado falso ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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