 |
6H-N Semi-aislante SIC Substarte / Wafer para MOSFETs、JFETs BJTs de alta resistividad
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | 4H Substrato/wafer de SiC semi-aislante |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Tiempo de entrega: | 2 a 4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
|
Información detallada |
|||
| Grado: | Grado de producción Grado de investigación Grado de imitación Grado | Diámetro: | 100.0 mm +/- 0,5 mm |
|---|---|---|---|
| El grosor: | Las medidas de ensayo se aplicarán en el caso de los vehículos de las categorías M1 y N2 | Orientación de la oblea: | En el eje: <0001> +/- 0,5 grados para 4H-SI Fuera del eje: 4,0 grados hacia <11-20> +/- 0,5 grados p |
| Resistencia eléctrica (ohm-cm): | 4H-N 0,015 ~ 0,028 4H-SI> 1E5 | Concentración de dopaje: | Tipo N: ~ 1E18/cm3 Tipo SI (dopado en V): ~ 5E18/cm3 |
| Piso primario: | 32.5 mm +/- 2,0 mm | Longitud plana secundaria: | 18.0 mm +/- 2,0 mm |
| Orientación plana secundaria: | Silicio hacia arriba: 90 grados CW desde el plano primario +/- 5,0 grados | ||
| Alta luz: | 6H-N Semi-aislante de SiC Substarte,Wafer de SiC semi-aislante de 6H-N,Gran Bandgap Semi-isolante de SiC Substarte |
||
Descripción de producto
6H-N Substrato/wafer de SiC semi-aislante para MOSFET, JFET, BJT, banda ancha de alta resistencia
El substrato/abstracto de la oblea de SiC semi-aislante
Los substratos/wafers de carburo de silicio (SiC) semisolantes han surgido como materiales cruciales en el ámbito de los dispositivos electrónicos avanzados.alta conductividad térmicaEste resumen proporciona una visión general de las propiedades y aplicaciones de los sustratos/wafers de SiC semisoladores.Habla de su comportamiento semi-aislante, que inhibe el libre movimiento de electrones, mejorando así el rendimiento y la estabilidad de los dispositivos electrónicos.El amplio intervalo de banda de SiC permite altas velocidades de deriva de electrones y de deriva de saturaciónAdemás, la excelente conductividad térmica del SiC garantiza una disipación de calor eficiente,que lo hace adecuado para su uso en ambientes operativos adversosLa estabilidad química y la dureza mecánica del SiC mejoran aún más su fiabilidad y durabilidad en diversas aplicaciones.Los sustratos/wafers de SiC semi-aislantes ofrecen una solución convincente para el desarrollo de dispositivos electrónicos de próxima generación con un rendimiento y una fiabilidad mejorados.
La muestra del substrato/wafer de SiC semi-aislante
Diagrama de datos del substrato/wafer de SiC semi-aislante (en parte)
| Los principales parámetros de rendimiento | |
|
Nombre del producto
|
Substrato de carburo de silicio, oblea de carburo de silicio, oblea de SiC, sustrato de SiC
|
|
Método de crecimiento
|
Se trata de un sistema de control.
|
|
Estructura de cristal
|
6 horas, 4 horas
|
|
Parámetros de la red
|
6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å) |
|
Secuencia de apilamiento
|
6H: ABCACB,
4H: ABCB |
|
Grado
|
Grado de producción, grado de investigación, grado de imitación
|
|
Tipo de conductividad
|
De tipo N o semisolvente |
|
- ¿ Qué haces?
|
3.23 eV
|
|
Dureza
|
9.2 (Mohs)
|
|
Conductividad térmica @300K
|
3.2~4.9 W/cm.K
|
|
Constantes dieléctricas
|
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
|
|
Resistencia
|
4H-SiC-N: 0,015 ~ 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 a 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm |
|
Envasado
|
Bolsa limpia de clase 100, en la sala limpia de clase 1000
|
| Especificación estándar | |||||
| Nombre del producto | Orientación | Tamaño estándar | El grosor | Pulido | |
| Substrato de 6H-SiC Substrato de 4H-SiC |
Se trata de: <0001> 4° hacia <11-20> Se trata de una Se trata de un O de otro tipo fuera de ángulo |
10x10 mm 10x5 mm 5x5 mm 20x20 mm φ2" x 0,35 mm φ3 x 0,35 mm φ4" x 0,35 mm φ4" x 0,5 mm φ6" x 0,35 mm O otros |
0.1 mm 0.2 mm 0.5 mm 1.0 mm 2.0 mm O otros |
Un buen suelo. Con una sola cara pulida Polished de doble cara Las medidas de seguridad se aplicarán a las máquinas de ensayo de la categoría M1 y M2 de la serie M2. |
Encuesta OEn línea |
aplicaciones clave:
Los sustratos o obleas de carburo de silicio (SiC) semi-aislantes encuentran diversas aplicaciones en varios dispositivos electrónicos de alto rendimiento.
-
Electrónica de potencia:Los sustratos de SiC semi-aislantes se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos de potencia como los transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET),Transistores de efecto de campo de unión (JFET)El amplio intervalo de banda de SiC permite que estos dispositivos funcionen a temperaturas y voltajes más altos,Resultando en una mayor eficiencia y una reducción de las pérdidas en los sistemas de conversión de potencia para aplicaciones como los vehículos eléctricos, energías renovables y fuentes de alimentación industrial.
-
Dispositivos de radiofrecuencia (RF):Las obleas de SiC se utilizan en dispositivos de RF como amplificadores de potencia de microondas y interruptores de RF.Dispositivos RF de alta potencia para aplicaciones como la comunicación inalámbrica, sistemas de radar y comunicaciones por satélite.
-
Optomecánica:Los sustratos de SiC semi-aislantes se utilizan en la fabricación de fotodetectores ultravioleta (UV) y diodos emisores de luz (LED).La sensibilidad del SiC a la luz UV lo hace adecuado para aplicaciones de detección UV en áreas como la detección de llamas, esterilización UV y vigilancia ambiental.
-
Electrónica de alta temperatura:Los dispositivos de SiC funcionan de manera confiable a temperaturas elevadas, lo que los hace adecuados para aplicaciones de alta temperatura como la aeroespacial, automotriz y perforación de hoyos.Se utilizan sustratos de SiC para fabricar sensores, actuadores y sistemas de control que pueden soportar condiciones de funcionamiento adversas.
-
Fotónica:Los sustratos de SiC se utilizan en el desarrollo de dispositivos fotónicos como interruptores ópticos, moduladores y guías de onda.El amplio intervalo de banda del SiC y su alta conductividad térmica permiten la fabricación de, dispositivos fotónicos de alta velocidad para aplicaciones en telecomunicaciones, sensores y computación óptica.
-
Aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia:Los sustratos de SiC se utilizan en la producción de dispositivos de alta frecuencia y alta potencia, como diodos de Schottky, tiristores y transistores de alta movilidad electrónica (HEMT).Estos dispositivos encuentran aplicaciones en sistemas de radar, infraestructura de comunicación inalámbrica y aceleradores de partículas.
En resumen, los sustratos/wafers de SiC semi-isolantes desempeñan un papel crucial en diversas aplicaciones electrónicas, ofreciendo un rendimiento superior, fiabilidad,y eficiencia en comparación con los materiales semiconductores tradicionalesSu versatilidad las convierte en una opción preferida para los sistemas electrónicos de próxima generación en múltiples industrias.
Se recomiendan productos similares ((Clique en la imagen para ir a la página de detalles del producto.)
①6 pulgadas Dia153 mm 0,5 mm SiC monocristalino
②8 pulgadas 200 mm de pulido de carburo de silicio Ingot de sustrato Sic Chip
③Reflector óptico de espejo esférico SiC de alta precisión