 |
Color claro Estructura cristalina 4H-SiC 6H-SiC Semi-aislante SiC Alta dureza mecánica
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Semi-aislante de SiC |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5 |
|---|---|
| Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
|
Información detallada |
|||
| Polytype: | 4 horas 6 horas | Resistencia (RT) Rugosidad de la superficie: | > 1E5 Ω.cm |
|---|---|---|---|
| Aspereza superficial: | 0.5 nm (CMP de cara Si preparado para Epi) | FWHM: | A < 30 segundos de arco |
| TTV: | < 25um | arco: | < 25um |
| deformación: | < 25um | Orientación plana primaria: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el siguiente: |
| Finalización de la superficie: | Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las | Área usable: | ≥ 90 por ciento |
| Alta luz: | SiC de alta dureza mecánica semi-aislante,Estructura cristalina 4H-SiC,Waferas de SiC semisolantes |
||
Descripción de producto
Resumen
El 4-HSemi-aislante de SiCEl sustrato es un material semiconductor de alto rendimiento con una amplia gama de aplicaciones.Este sustrato presenta características eléctricas excepcionales, incluyendo alta resistividad y baja concentración de portadores, lo que lo convierte en una opción ideal para dispositivos electrónicos de radio frecuencia (RF), microondas y de potencia.
Características principales del 4-HSemi-aislante de SiCEl substrato tiene propiedades eléctricas muy uniformes, baja concentración de impurezas y una excelente estabilidad térmica.Estos atributos lo hacen adecuado para la fabricación de dispositivos de energía de RF de alta frecuencia, sensores electrónicos de alta temperatura y equipos electrónicos de microondas.Su alta resistencia al campo de descomposición y excelente conductividad térmica también lo posicionan como el sustrato preferido para dispositivos de alta potencia.
Además, el 4-HSemi-aislante de SiCEl sustrato demuestra una excelente estabilidad química, lo que le permite operar en entornos corrosivos y ampliar su gama de aplicaciones.Desempeña un papel fundamental en industrias como la fabricación de semiconductores, telecomunicaciones, defensa y experimentos de física de alta energía.
En resumen, el 4-HSemi-aislante de SiCun substrato, con sus propiedades eléctricas y térmicas sobresalientes,es muy prometedor en el campo de los semiconductores y proporciona una base fiable para la producción de dispositivos electrónicos de alto rendimiento.
Propiedades
Dispositivos electrónicos de alta potencia:Semi-aislante de SiCEs ideal para dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia debido a su alto voltaje de ruptura y alta conductividad térmica.
Dispositivos de RF: Debido a su alta conductividad térmica y baja pérdida,Semi-aislante de SiCse emplea en dispositivos de RF como amplificadores de potencia de microondas y transistores de RF.
Dispositivos optoelectrónicos:Semi-aislante de SiCTambién presenta excelentes propiedades optoelectrónicas, lo que lo hace adecuado para la fabricación de LED, láseres y fotodetectores.
Dispositivos electrónicos en ambientes de altas temperaturas: el alto punto de fusión y la excelente estabilidad química del material hacen que el material seaSemi-aislante de SiCampliamente utilizado en dispositivos electrónicos que operan en entornos de alta temperatura, como en el control de procesos aeroespaciales, automotrices e industriales.
Dispositivos resistentes a la radiación:Semi-aislante de SiCes altamente resistente a la radiación, por lo que es adecuado para dispositivos electrónicos resistentes a la radiación en reactores nucleares y aplicaciones espaciales.
Sensores: Las propiedades únicas deSemi-aislante de SiCEl material lo hacen adecuado para la fabricación de varios tipos de sensores, como sensores de temperatura, sensores de presión y sensores químicos.
Características:
Alta resistividadSemi-aislante de SiCposee una muy alta resistividad, lo que significa que puede impedir eficazmente el flujo de corriente eléctrica, por lo que es adecuado para su uso como capa aislante en dispositivos electrónicos de alta potencia
Alta conductividad térmica:SecoEl material tiene una conductividad térmica muy alta, lo que ayuda a disipar el calor de los dispositivos de manera rápida y eficiente, mejorando así el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.
Voltado de ruptura elevado:Semi-aislante de SiCtiene un voltaje de ruptura muy alto, lo que significa que puede funcionar en aplicaciones de alto voltaje sin sufrir una ruptura eléctrica.
Excelente estabilidad químicaSecopermanece químicamente estable en un amplio rango de temperaturas y es altamente resistente a la mayoría de los ácidos y bases.
Punto de fusión alto:SecoTiene un punto de fusión excepcionalmente alto, aproximadamente 2.730°C (4.946°F), lo que le permite mantener la estabilidad en entornos de altas temperaturas extremas.
Tolerancia a la radiación: semi-aislanteSecoMuestra una alta tolerancia a la radiación, lo que hace que se desempeñe excelentemente en el reactor nuclear y las aplicaciones espaciales.
Excelentes propiedades mecánicas:Secoes un material muy duro, que muestra una excelente resistencia al desgaste y alta resistencia.
Semiconductor de banda ancha:Secoes un semiconductor de banda ancha, con alta movilidad de electrones y baja corriente de fuga, lo que resulta en un rendimiento excepcional en dispositivos electrónicos de alta temperatura y alta frecuencia.
| Propiedad | Descripción |
| Alta resistencia | Posee una muy alta resistividad eléctrica, actuando como aislante eficaz en dispositivos electrónicos de alta potencia. |
| Alta conductividad térmica | Divisiona el calor de manera rápida y eficiente, mejorando el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo. |
| Alta tensión de ruptura | Puede funcionar en condiciones de alto voltaje sin sufrir una avería eléctrica. |
| Excelente estabilidad química | Permanece estable en un amplio rango de temperaturas y es altamente resistente a la mayoría de los ácidos y bases. |
| Punto de fusión elevado | Mantiene la estabilidad en ambientes de altas temperaturas extremas con un punto de fusión de alrededor de 2,730 capturadoC (4,946 capturadoF). |
| Tolerancia a la radiación | Exhibe una alta resistencia a la radiación, adecuada para su uso en reactores nucleares y aplicaciones espaciales. |
| Excelentes propiedades mecánicas | Material muy duro, que proporciona una resistencia al desgaste excepcional y una alta resistencia. |
| Semiconductor de banda ancha | Funciona bien en aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia debido a la alta movilidad de electrones y la baja corriente de fuga. |
Embalaje y envío:
Las obleas de carburo de silicio (SiC) son rebanadas delgadas de material semiconductor utilizado principalmente para la electrónica de potencia.Es importante seguir las instrucciones de embalaje y transporte adecuadas..
Embalaje
- Las obleas deben enviarse en un paquete seguro ESD.
- Cada oblea debe estar envuelta en un material seguro para el ESD, como una espuma ESD o una envoltura de burbujas.
- El envase debe sellarse con cinta de seguridad ESD.
- El embalaje deberá llevar el símbolo de seguridad ESD y la etiqueta "Fragile".