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Semi aislante de 3 pulgadas de silicona de carburo de obleas 4H tipo N CVD Orientación 4.0 ° ± 0.5 °
Datos del producto:
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Oblea del carburo de silicio |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | 2 a 4 semanas |
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| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Método del crecimiento: | CVD | Estructura: | Hexagonal, cristal único |
|---|---|---|---|
| Diámetro: | Hasta 150 mm, 200 mm | El grosor: | Las especificaciones de las partidas 1 y 2 se aplicarán a las partidas 1 y 2 del presente anexo. |
| grados: | Primero, Dummy, Busca | Conductividad térmica: | 370 (W/mK) a temperatura ambiente |
| Coeficiente de expansión térmica: | 4.5 (10-6K-1) | Calor específico (250 °C): | 0.71 (J g-1 K-1) |
| Alta luz: | Wafer Sic semisolante,Wafer de carburo de silicio de 3 pulgadas,Oferta de carburo de silicio 4H tipo N |
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Descripción de producto
Semi-aislante de 3 pulgadas de carburo de silicio de oblea 4H tipo N de orientación CVD: 4.0 ° ± 0,5 °
Resumen de la oblea de carburo de silicio de 3 pulgadas semi-aislante
The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for advanced high-power and high-frequency semiconductor devices that operate well beyond the capabilities of either silicon or gallium arsenide devicesLas ventajas clave de la tecnología basada en SiC incluyen pérdidas de conmutación reducidas, mayor densidad de energía, mejor disipación de calor y mayor capacidad de ancho de banda.Esto da como resultado soluciones muy compactas con una eficiencia energética enormemente mejorada a un costo reducidoLa lista en rápido crecimiento de aplicaciones comerciales actuales y proyectadas que utilizan tecnologías de SiC incluye fuentes de alimentación de conmutación, inversores para la generación de energía solar y de molinos de viento,motores de propulsión industriales, vehículos de alta tensión y vehículos eléctricos, y conmutación de energía de red inteligente.
La característica clave de la oblea de carburo de silicio de 3 pulgadas semisolvente
La oblea de carburo de silicio de 3 pulgadas exhibe características clave que la hacen esencial en varias aplicaciones de semiconductores.estas obleas proporcionan un sustrato crucial para la fabricación de dispositivos electrónicos de alto rendimientoLa propiedad de semi-aislamiento, que indica un grado de aislamiento eléctrico, es una característica que reduce las fugas de corriente y mejora el rendimiento de los componentes electrónicos.
El carburo de silicio (SiC), el principal material de construcción, es un compuesto conocido por sus propiedades excepcionales.lo que lo hace ideal para aplicaciones exigentesLa naturaleza semi-isolante de estas obleas es ventajosa en dispositivos de microondas y radiofrecuencia, como amplificadores de potencia y interruptores de RF.donde el aislamiento eléctrico es crucial para un rendimiento óptimo.
Una de las aplicaciones destacadas de las obleas de carburo de silicio semi-aislante es en dispositivos electrónicos de potencia.Estas obleas se utilizan en la fabricación de diodos SiC Schottky y transistores de efecto de campo SiC (FET), contribuyendo al desarrollo de la electrónica de alta tensión y alta temperatura.Las características únicas del material lo hacen adecuado para entornos donde los semiconductores convencionales pueden tener dificultades para funcionar de manera eficiente.
Además, estas obleas encuentran aplicaciones en optoelectrónica, específicamente en la fabricación de fotodiodos SiC.La sensibilidad del carburo de silicio a la luz ultravioleta lo hace valioso en aplicaciones de detección ópticaEn condiciones extremas, tales como altas temperaturas y ambientes hostiles, las obleas de SiC semi-isolantes se emplean en sensores y sistemas de control.
En el campo de las aplicaciones de altas temperaturas y entornos extremos, las obleas de carburo de silicio semi-aislante son preferidas debido a su estabilidad y resistencia.Desempeñan un papel crucial en los sistemas de detección y control diseñados para operar en condiciones difíciles.
En aplicaciones de energía nuclear, la estabilidad radiológica del carburo de silicio es ventajosa.
Estas características clave posicionan colectivamente las obleas de carburo de silicio semi-aislante de 3 pulgadas como componentes críticos en tecnologías avanzadas de semiconductores.La aplicación de la tecnología en el sector de la electrónica y las aplicaciones de alta temperatura subraya su importancia en las industrias electrónicas y tecnológicas modernas.Los continuos avances en la tecnología SiC solidifican aún más la importancia de estas obleas para ampliar los límites del rendimiento electrónico y la fiabilidad.
Aplicación de una oblea de carburo de silicio de 3 pulgadas semisolvente
La oblea de carburo de silicio semi-isolante de 3 pulgadas juega un papel fundamental en varias aplicaciones de semiconductores,ofreciendo propiedades únicas que contribuyen al avance de los dispositivos y sistemas electrónicosCon un diámetro de tres pulgadas, estas obleas son particularmente influyentes en la fabricación de componentes electrónicos de alto rendimiento.
La característica semi-aislante de estas obleas es una característica clave, proporcionando aislamiento eléctrico para minimizar la fuga de corriente.Esta propiedad es crucial para aplicaciones donde es esencial mantener una alta resistencia eléctrica, como en ciertos tipos de dispositivos electrónicos y circuitos integrados.
Una aplicación prominente de las obleas de carburo de silicio de 3 pulgadas semi-aislantes es en la producción de dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.La excelente conductividad térmica y el amplio intervalo de banda del carburo de silicio lo hacen adecuado para la fabricación de dispositivos como los diodos SchottkyEstos dispositivos encuentran aplicaciones en convertidores de potencia, amplificadores y sistemas de radiofrecuencia.
La industria de semiconductores también aprovecha estas obleas en el desarrollo de sensores y detectores para condiciones extremas.La robustez del carburo de silicio en ambientes de altas temperaturas y adversos lo hace adecuado para crear sensores que puedan soportar condiciones difícilesEstos sensores se emplean en varias industrias, incluidas la aeroespacial, la automotriz y la energía.
En optoelectrónica, las obleas de carburo de silicio semi-aislante se utilizan para la fabricación de fotodiodos y diodos emisores de luz (LED).Las propiedades ópticas únicas del carburo de silicio lo hacen adecuado para aplicaciones que requieren sensibilidad a la luz ultravioletaEsto es particularmente ventajoso en los sistemas de detección óptica y comunicación.
La industria nuclear se beneficia de la resistencia a la radiación del carburo de silicio, y estas obleas encuentran aplicaciones en detectores de radiación y sensores utilizados en reactores nucleares.La capacidad de resistir el ambiente de radiación dura hace del carburo de silicio un material esencial para tales aplicaciones críticas..
Investigadores y científicos continúan explorando nuevas aplicaciones para las obleas de carburo de silicio semi-isolantes de 3 pulgadas, impulsadas por las propiedades excepcionales del material.Se espera que estas obleas jueguen un papel vital en campos emergentes como la computación cuántica, donde los materiales robustos y de alto rendimiento son esenciales.
En resumen, las aplicaciones de la oblea de carburo de silicio de 3 pulgadas de semi-aislamiento abarcan una amplia gama de industrias, desde electrónica de potencia y optoelectrónica hasta tecnologías de detección y nucleares.Su versatilidad y sus propiedades únicas lo posicionan como un factor clave para el desarrollo de sistemas electrónicos avanzados que funcionan de manera eficiente en entornos exigentes.
Diagrama de datos de la oblea de carburo de silicio de 3 pulgadas de semi-aislamiento
| Método de crecimiento | Transporte físico de vapor | |
| Propiedades físicas | ||
| Estructura | Hexagonal, cristal único | |
| Diámetro | Hasta 150 mm, 200 mm | |
| El grosor | Las especificaciones de las partidas 1 y 2 se aplicarán a las partidas 1 y 2 del presente anexo. | |
| Grados | Prime, Desarrollo, Mecánica | |
| Propiedades térmicas | ||
| Conductividad térmica | 370 (W/mK) a temperatura ambiente | |
| Coeficiente de expansión térmica | 4.5 (10)-6 años- ¿ Qué?- ¿Qué es?) | |
| Calor específico (250 °C) | 0.71 (Jg)- ¿Qué es?- ¿ Qué?- ¿Qué es?) | |
| Propiedades clave adicionales de los sustratos de SiC coherentes (valores típicos*) | ||
| Parámetro | Tipo N | Las demás: |
| Polítipo | 4 horas | 4 horas, 6 horas |
| Agentes de superación | El nitrógeno | El vanadio |
| Resistencia | ~ 0,02 ohm-cm | > 1·1011Ohm-cm |
| Orientación | 4° fuera del eje | En el eje |
| FWHM | < 20 segundos de arco | < 25 segundos de arco |
| La rugosidad. | < 5 Å | < 5 Å |
| Densidad de dislocación | - 5 y 10.3en cm- ¿Qué es? | < 1 ∙ 104en cm- ¿Qué es? |
| Densidad de los micropipos | < 0,1 cm- ¿Qué es? | < 0,1 cm- ¿Qué es? |
* Valores típicos de producción
** Medido por interferometría de luz blanca (250 μm x 350 μm) Propiedades del material
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