Descripción de producto

3 pulgadas InP Substrato de fosfuro de indio de tipo N Semiconductor método de crecimiento VGF 000 001 orientación

Resumen del producto

Nuestros productos InP (fosfuro de indio) ofrecen soluciones de alto rendimiento para una variedad de aplicaciones en las industrias de telecomunicaciones, optoelectrónica y semiconductores.Con propiedades ópticas y electrónicas superiores, nuestros materiales InP permiten el desarrollo de dispositivos fotónicos avanzados, incluyendo láseres, fotodetectores y amplificadores ópticos.o componentes diseñados a medida, nuestros productos InP ofrecen fiabilidad, eficiencia y precisión para sus proyectos fotónicos exigentes.

Presentación de productos

Propiedades del producto

1. Alta transparencia óptica: InP presenta una excelente transparencia óptica en la región infrarroja, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones optoelectrónicas.

2. Intervalo de banda directo: La naturaleza de intervalo de banda directo de InP permite una emisión y absorción de luz eficiente, lo que lo hace ideal para láseres semiconductores y fotodetectores.

3. Alta movilidad de electrones: InP ofrece una alta movilidad de electrones, lo que permite el transporte rápido de portadores de carga y facilita los dispositivos electrónicos de alta velocidad.

4. Baja conductividad térmica: La baja conductividad térmica de InP ayuda a una disipación de calor eficiente, lo que lo hace adecuado para dispositivos optoelectrónicos de alta potencia.

5. Estabilidad química: InP demuestra una buena estabilidad química, lo que garantiza la fiabilidad a largo plazo de los dispositivos incluso en ambientes de funcionamiento adversos.

6. Compatibilidad con semiconductores compuestos III-V: InP puede integrarse perfectamente con otros semiconductores compuestos III-V,permitiendo el desarrollo de heterostructuras complejas y dispositivos multifuncionales.

7. Bandgap Tailorable: El bandgap de InP se puede diseñar ajustando la composición del fósforo, lo que permite el diseño de dispositivos con propiedades ópticas y electrónicas específicas.

8. Alto voltaje de ruptura: InP presenta un alto voltaje de ruptura, lo que garantiza la robustez y fiabilidad de los dispositivos en aplicaciones de alto voltaje.

9. Baja densidad de defectos: los sustratos InP y las capas epitaxiales suelen tener bajas densidades de defectos, lo que contribuye a un alto rendimiento y rendimiento del dispositivo.

10. Compatibilidad con el medio ambiente: InP es respetuoso con el medio ambiente y presenta riesgos mínimos para la salud y el medio ambiente durante la fabricación y la operación.

11. Parámetro	2 ̊ Wafer InP con dopado S	2 ′ Wafer InP dopado con Fe
    El material	VGF InP Wafer de cristal único	VGF InP Wafer de cristal único
    Grado	Preparación para epi	Preparación para epi
    Agentes de superación	El S	Fe
    Tipo de conducción	No se puede.	¿ Qué es eso?
    Diámetro de la oblea (mm)	50.8 ± 0.4	50.8 ± 0.4
    Orientación	(100) o ± 0,5o	(100) o ± 0,5o
    Ubicación / longitud	EJ [0-1-1] / 17±1	EJ [0-1-1] /17±1
    IF Ubicación / longitud	El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero de las emisiones de gases de efecto invernadero.	El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero de las emisiones de gases de efecto invernadero.
    Concentración del portador (cm-3)	(1~6) E 18	1.0E7 - 5.0E8
    Resistencia (Wcm)	8 ~ 15 E-4	≥1,0E7
    La velocidad de rotación de la corriente de aire (cm2/V)	1300 ~ 1800	≥ 2000 años
    DPE promedio (cm-2)	≤ 500	≤ 3000
    espesor (μm)	475 ± 15	475 ± 15
    TTV/TIR (μm)	≤ 15 años	≤ 15 años
    Arco (μm)	≤ 15 años	≤ 15 años
    Envase (μm)	≤ 15 años	≤ 15 años
    Número de partículas	No incluido	No incluido
    Superficie	Frente: pulido, Lado negro: grabado	Frente: pulido, Lado negro: grabado
    Embalaje de obleas	Wafer fijado por una araña en una bandeja individual y sellado con N2 en una bolsa de blindaje estático.	Wafer fijado por una araña en una bandeja individual y sellado con N2 en una bolsa de blindaje estático.

12. Aplicaciones del producto

13. Telecomunicaciones: los dispositivos basados en InP se utilizan ampliamente en las redes de telecomunicaciones para la transmisión de datos de alta velocidad.incluidos los sistemas de comunicación por fibra óptica y la comunicación inalámbrica de alta frecuencia.

14. Fotónica: Los materiales InP son esenciales para el desarrollo de diversos dispositivos fotónicos, como láseres semiconductores, fotodetectores, moduladores y amplificadores ópticos, utilizados en las telecomunicaciones,la detección, y aplicaciones de imágenes.

15. Optoelectrónica: Los dispositivos optoelectrónicos basados en InP, como los diodos emisores de luz (LED), los diodos láser y las células solares, encuentran aplicaciones en pantallas, iluminación, equipos médicos,y sistemas de energía renovable.

16. Electrónica de semiconductores: los sustratos InP y las capas epitaxiales sirven como plataformas para la fabricación de transistores de alto rendimiento, circuitos integrados y dispositivos de microondas para sistemas de radar,comunicaciones por satélite, y aplicaciones militares.

17. Detección e Imagen: Los fotodetectores y sensores de imagen basados en InP se utilizan en varias aplicaciones de detección, incluida la espectroscopia, el lidar, la vigilancia y la imagen médica,debido a su alta sensibilidad y tiempo de respuesta rápido.

18. Tecnología cuántica: los puntos cuánticos InP y los pozos cuánticos se exploran para sus posibles aplicaciones en computación cuántica, comunicación cuántica y criptografía cuántica,ofreciendo ventajas en coherencia y escalabilidad.

19. Defensa y Aeroespacial: Los dispositivos InP se implementan en sistemas de defensa y aeroespacial por su fiabilidad, operación a alta velocidad y dureza a la radiación, apoyando aplicaciones como sistemas de radar,Guía de misiles, y las comunicaciones por satélite.

20. Ingeniería biomédica: los sensores ópticos y los sistemas de imagen basados en el InP se emplean en la investigación biomédica y en el diagnóstico clínico para el monitoreo no invasivo, la obtención de imágenes,y análisis espectroscópico de muestras biológicas.

21. Monitoreo ambiental: los sensores basados en InP se utilizan para aplicaciones de monitoreo ambiental, incluida la detección de contaminación, detección de gases y teledetección de parámetros atmosféricos,contribución a los esfuerzos de sostenibilidad ambiental.

22. Tecnologías emergentes: InP continúa encontrando aplicaciones en tecnologías emergentes como el procesamiento de información cuántica, la integración de fotónica de silicio y la electrónica de terahercios,impulsar los avances en la computación, la comunicación y la detección.

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