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Palabras clave 「gallium phosphide wafers」 partido 14 productos.

la oblea HVPE del nitruro del galio de 5x5/10x10 milímetro libera la plantilla derecha del microprocesador industrial
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GaP Wafer Gallio Fosfuro Orientación de cristal único (111)A 0°±0.2 Células solares
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obleas del HEMT de la plantilla AlGaN/GaN del FSS AlN de 4inch Dia100mm GaN Template NPSS
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2 el grueso cristalino de la oblea 0,3 de Gap del substrato del fosfuro del galio de la pulgada traslapó la superficie
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SSP DSP VGF tipo N tipo P tipo InP obleas de alta movilidad electrónica / conductividad térmica
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substratos del zafiro 350um de la plantilla 430um del nitruro de aluminio de AlN del grueso 5um sic
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Orientación111 100 SSP DSP Alta pureza InP Semiconductor Wafer 6'4' InP Wafers
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Wafer InP de 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas VGF tipo P tipo N tipo Depant Zn S Fe sin doping Grado primario Grado de prueba
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Wafer GaP de 2 pulgadas con ubicación / longitud EJ 0-1-1 / 16 ± 1 mm LED LD Movilidad Min 100
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Wafer GaP de 2 pulgadas tipo N sin dopado S dopado 100 DSP SSP CZ de alta pureza 5N 99,999%
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Solo arseniuro InAs Substrate de Crystal Monocrystal Semiconductor Substrate Indium
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InAs Substrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 5 pulgadas 6 pulgadas Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP pulido
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