Nombre De La Marca:	ZMKJ
Número De Modelo:	Obleas de la semilla
MOQ:	3 PC
Precio:	by case
Detalles Del Embalaje:	solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Condiciones De Pago:	T/T, Western Union, MoneyGram

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

CHINA

Material:

Tipo del cristal sic solo 4H-N

Grado:

Grado de la producción

Thicnkss:

0.5m m o 1m m;

Suraface:

lado doble pulido

Uso:

prueba de pulido del fabricante del dispositivo

Diámetro:

153±0.5m m

Capacidad de la fuente:

1-50pcs/month

Resaltar:

Solo cristal 4 H-N Sic Wafer

Sic oblea pulida lado doble

SIC 4 H-N Seed Crystal Wafer

Descripción de producto

oblea cristalina de semilla de SIC 4H-N del carburo de silicio de 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC ingots/4inch 6inch para el crecimiento cristalino

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

1. Descripción

Propiedad	4H-SiC, solo cristal	6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia	ABCB	ABCACB
Dureza de Mohs	≈9.2	≈9.2
Densidad	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción	ningunos = 2,61 ne = 2,66	ningunos = 2,60 ne = 2,65
Constante dieléctrica	c~9.66	c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)	a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K
Conductividad termal (semiaislante)	a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K	a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K
Banda-Gap	eV 3,23	eV 3,02
Campo eléctrico de la avería	los 3-5×106V/cm	los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación	2.0×105m/s	2.0×105m/s

Especificación estándar para sic las obleas

4 especificación cristalina del substrato del carburo de silicio del diámetro del grado 4inch de H-N Seed (sic)

Demostración del producto:

Solo cristal pulido lado doble 4 H-N Sic Wafer 3

CATÁLOGO TAMAÑO COMÚN

4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic 2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H	oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6H N-tipo sic oblea 2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H	Tamaño de Customzied para 2-6inch

Sobre ZMKJ Company

ZMKJ puede proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en pulgada del diámetro 2-6, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

FAQ:

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y

La carga está de acuerdo con el acuerdo real.

Q: ¿Cómo pagar?

: Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.

Q: ¿Cuál es su MOQ?

: (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.

(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de usted contacto de la orden.

Q: ¿Usted tiene productos estándar?

: Nuestros productos estándar en existencia. como substratos similares 4inch 0.35m m.

Etiquetas:

Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas 300 mm Wafer de carburo de silicio conductor de calificación N-tipo de calificación de investigación

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