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Wafers de SiC 2/3/4/6/8 /12 pulgadas 4H-N Tipo Z/P/D/R grado
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Wafers SiC 2/3/4/6/8 pulgadas Tipo de producción 4H-N |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | Entre 2 y 4 semanas |
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| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Material: | SiC | Diameter: | 2/3/4/6/8 inch |
|---|---|---|---|
| Type: | 4H-N/3C/4H-SI/6H-N/6H-SI/HPSI | Polish: | DSP/SSP |
| Resaltar: | Waferas de SiC de tipo 4H-N,Wafers de SiC de 8 pulgadas,Wafers de SiC de 6 pulgadas |
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Descripción de producto
Wafers de SiC 2/3/4/6/8 pulgadas 4H-N Tipo Z/P/D/R Calidad alta
1. Resumen
Nuestras obleas de alta calidad tipo 4H-N SiCestán disponibles en tamaños que van de 2 a 12 pulgadas, diseñados para aplicaciones avanzadas de semiconductores.Somos uno de los pocos fabricantes con capacidad para producir obleas de SiC de 8 pulgadasNuestro compromiso con la alta calidad y la tecnología avanzada nos distingue en la industria de semiconductores.
2Descripción del producto y de la empresa
2.1 Descripción del producto:
El nuestroWafers de SiC 2/3/4/6/8 pulgadas 4H-N Tipo Z/P/D/R Calidad altaEstá diseñado para cumplir con los estrictos estándares de los laboratorios de investigación y las fábricas de semiconductores.
- Electrónica de potencia para vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable
- Dispositivos de radiofrecuencia y microondas para telecomunicaciones
- Aplicaciones de alta temperatura y alta potencia en el sector aeroespacial e industrial
2.2 Descripción de la empresa:
Nuestra empresa (ZMSH)Se ha centrado en el campo de zafiro desdemás de 10 años, con equipos profesionales de fábrica y ventas. Tenemos mucha experiencia enProductos personalizadosTambién realizamos diseño personalizado y podemos ser OEM.ZMSHserá la mejor opción considerando tanto el precio como la calidad.Siéntase libre de acercarse.
3Aplicaciones
Desbloquee el potencial de sus proyectos de investigación y desarrollo conEl nuestro Wafers de SiC de alta calidad 2/3/4/6/8 pulgadas 4H-N Tipo Z/P/D/RDiseñados específicamente para aplicaciones avanzadas de semiconductores, nuestros sustratos de grado de investigación ofrecen una calidad y fiabilidad excepcionales.
- Lasers:Los sustratos de SiC permiten la producción de diodos láser de alta potencia que funcionan de manera eficiente en las regiones de luz UV y azul.Su excelente conductividad térmica y durabilidad los hacen ideales para aplicaciones que requieren un rendimiento confiable en condiciones extremas.
- Electrónica de consumo:Los sustratos de SiC mejoran los IC de gestión de energía, lo que permite una conversión de energía más eficiente y una mayor duración de la batería.permitiendo cargadores más pequeños y ligeros manteniendo un alto rendimiento.
- Baterías a bordo de vehículos eléctricos: Los sustratos de SiC mejoraron la eficiencia energética y ampliaron el rango de conducción. Su aplicación en la infraestructura de carga rápida soporta tiempos de carga más rápidos, mejorando la comodidad para los usuarios de vehículos eléctricos.
4. Presentación del producto - ZMSH
5Especificaciones de las obleas SiC
| Propiedad | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | El ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 4 a 5 × 10 a 6/K | 4 a 5 × 10 a 6/K |
| Indice de refracción @750nm |
no = 2.61 n = 2.66 |
no = 2.60 n = 2.65 |
| Constante dieléctrica | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 |
| Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K C ~ 3,7 W/cm·K@298K |
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| Conductividad térmica (semi-aislante) |
a ~ 4,9 W/cm·K@298K C ~ 3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K C ~ 3,2 W/cm·K@298K |
| - ¿ Qué haces? | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
6Preguntas frecuentes
6.1 A:¿En qué tamaños están disponibles las obleas de SiC?
P: Los sustratos de SiC están disponibles en variasEn la actualidad, la industria de la fabricación de productos de alta calidad está desarrollando una gama de productos de alta calidad, que incluyen diferentes tamaños, que van desde 2 pulgadas a 12 pulgadas de diámetro.
6.2 A:¿En qué aplicaciones se utilizan comúnmente las obleas de SiC?
P: Voltado de ruptura más alto, mejor conductividad térmica, banda ancha más amplia.
6.3 A:¿Puedo obtener obleas de SiC a medida del cliente?
P: Claro! Hemos estado produciendo productos personalizados durante más de 10 años; póngase en contacto con nosotros para compartir los requisitos con nosotros.