• Substrato del carburo de silicio del grueso 0.5m m 10x10m m HPSI
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Substrato del carburo de silicio del grueso 0.5m m 10x10m m HPSI

Substrato del carburo de silicio del grueso 0.5m m 10x10m m HPSI

Datos del producto:

Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: ZMKJ
Número de modelo: 5x5m m

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 20 PC
Precio: by case
Detalles de empaquetado: solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-6weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1-50pcs/month
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: HPSI cristalino sic solo Grado: Grado de la producción
Thicnkss: 0.5m m Suraface: lado doble pulido
Uso: prueba de pulido del fabricante del dispositivo Diámetro: 5X5mmt
Resistencia: > 1E7 Ω.cm
Alta luz:

Substrato del carburo de silicio de HPSI

,

substrato del carburo de silicio de 0.5m m

,

obleas de 10x10m m HPSI SIC

Descripción de producto

 

prueba sin impurificar modificada para requisitos particulares de la investigación de la óptica del forquantum de las obleas de la pureza elevada HPSI SIC del tamaño 10x10m m 5*5m m

 

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

 

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

 
1. Descripción
Propiedad 4H-SiC, solo cristal 6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción

ningunos = 2,61

ne = 2,66

ningunos = 2,60

ne = 2,65

Constante dieléctrica c~9.66 c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conductividad termal (semiaislante)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Banda-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo eléctrico de la avería los 3-5×106V/cm los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

4 pulgadas n-doparon la oblea del carburo de silicio 4H sic

Especificación estándar para sic las obleas

 

4 especificación cristalina del substrato del carburo de silicio del diámetro del grado 4inch de H-N Seed (sic)

Substrato del carburo de silicio del grueso 0.5m m 10x10m m HPSI 1

Demostración del producto:

 

Substrato del carburo de silicio del grueso 0.5m m 10x10m m HPSI 2

Substrato del carburo de silicio del grueso 0.5m m 10x10m m HPSI 3

 
CATÁLOGO   TAMAÑO COMÚN
                            
 

 

4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H

 

oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic

2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
 
 
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H

 
 Tamaño de Customzied para 2-6inch
 
 

Sobre ZMKJ Company

 

ZMKJ puede proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en pulgada del diámetro 2-6, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

FAQ:

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y

La carga está de acuerdo con el acuerdo real.

 

Q: ¿Cómo pagar?

: Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.

 

Q: ¿Cuál es su MOQ?

: (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.

(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.

 

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de usted contacto de la orden.

 

Q: ¿Usted tiene productos estándar?

: Nuestros productos estándar en existencia. como substratos similares 4inch 0.35m m.

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Substrato del carburo de silicio del grueso 0.5m m 10x10m m HPSI ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.