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Waferas de SiC semi-isolantes de 3 pulgadas 76,2 mm 4H tipo SiC para semiconductores
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Wafers de SiC de 3 pulgadas semi-aislantes |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Tamaño: | 3 pulgadas 76,2 mm | Estructura cristalina: | De forma hexagonal |
|---|---|---|---|
| La brecha energética:: | 3,26 | Movilidad de electrones: μ, ((cm^2 /Vs): | 900 |
| Movilidad del agujero: hacia arriba ((cm^2): | 100 | Campo de desglose: E ((V/cm) X10^6: | 3 |
| Conductividad térmica ((W/cm): | 4,9 | Constante dieléctrica relativa: es: | 9,7 |
| Alta luz: | Semiconductores Waferas de SiC,Oferta de SiC semisolante,Wafer de carburo de silicio de 3 pulgadas |
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Descripción de producto
Resumen
El 4-HSemi-aislante SecoEl sustrato es un material semiconductor de alto rendimiento con una amplia gama de aplicaciones.Este sustrato presenta características eléctricas excepcionales, incluyendo alta resistividad y baja concentración de portadores, lo que lo convierte en una opción ideal para dispositivos electrónicos de radio frecuencia (RF), microondas y de potencia.
Características principales del 4-HSemi-aislante de SiCEl substrato tiene propiedades eléctricas muy uniformes, baja concentración de impurezas y una excelente estabilidad térmica.Estos atributos lo hacen adecuado para la fabricación de dispositivos de energía de RF de alta frecuencia, sensores electrónicos de alta temperatura y equipos electrónicos de microondas.Su alta resistencia al campo de descomposición y excelente conductividad térmica también lo posicionan como el sustrato preferido para dispositivos de alta potencia.
Además, el 4-HSemi-aislante SecoEl sustrato demuestra una excelente estabilidad química, lo que le permite operar en entornos corrosivos y ampliar su gama de aplicaciones.Desempeña un papel fundamental en industrias como la fabricación de semiconductores, telecomunicaciones, defensa y experimentos de física de alta energía.
En resumen, el 4-HSemi-aislante de SiCun substrato, con sus propiedades eléctricas y térmicas sobresalientes,es muy prometedor en el campo de los semiconductores y proporciona una base fiable para la producción de dispositivos electrónicos de alto rendimiento.
Propiedades
Propiedades eléctricas:
- Alta resistividad4 horas Semi-aislante SecoTiene una resistencia muy alta, por lo que es un excelente material para aplicaciones de semi-aislamiento donde se desea una baja conductividad eléctrica.
- Debido a su amplia banda,4H Semi-aislante SecoTiene un alto voltaje de ruptura, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta tensión.
Propiedades térmicas:
- Alta conductividad térmica:SecoEn general, tiene una alta conductividad térmica, y esta propiedad se extiende a 4-H Semi-IsoladorSecoAdemás, ayuda a una disipación de calor eficiente.
- Estabilidad térmica: este material mantiene sus propiedades y rendimiento incluso a altas temperaturas, por lo que es adecuado para su uso en ambientes térmicos hostiles.
Propiedades mecánicas y físicas:
- Dureza: como otras formas deSeco, elSemi-aislantes de 4 HLa variante también es muy dura y resistente a la abrasión.
- Inertitud química: Es químicamente inerte y resistente a la mayoría de los ácidos y álcalis, lo que garantiza estabilidad y longevidad en ambientes químicos duros.
| Polítipo | Cristales únicos 4H | ||
| Parámetros de la red | a=3,076 A C=10,053 A |
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| Secuencia de apilamiento | El ABCB | ||
| - ¿ Qué haces? | 3.26 eV | ||
| Densidad | 3.21 10^3 kg/m^3 | ||
| Coeficiente de expansión térmica | 4 a 5x10^-6/K | ||
| Indice de refracción | no = 2.719 n = 2.777 |
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| Constante dieléctrica | 9.6 | ||
| Conductividad térmica | 490 W/mK | ||
| Campo eléctrico de ruptura | Entre 2 y 108 V/m | ||
| Velocidad de deriva de saturación | 2.0 105 m/s | ||
| Movilidad de los electrones | 800 cm^2NS | ||
| agujero Movilidad | 115 cm^2N·S | ||
| Dureza de Mohs | 9 |
Propiedades ópticas:
- Transparencia en el infrarrojo:4H Semi-aislante de SiCes transparente a la luz infrarroja, lo que puede ser beneficioso en ciertas aplicaciones ópticas.
Ventajas para aplicaciones específicas:
- Electrónica: ideal para dispositivos de alta frecuencia y alta potencia debido a su alto voltaje de ruptura y conductividad térmica.
- Optoelectrónica: Apto para dispositivos optoelectrónicos que operan en la región infrarroja.
- Dispositivos de energía: Se utilizan en la fabricación de dispositivos de energía como diodos Schottky, MOSFET y IGBT.
4H Semi-aislante de SiCes un material versátil que se utiliza en diversas aplicaciones de alto rendimiento debido a sus excepcionales propiedades eléctricas, térmicas y físicas.
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