lente óptica sic del carbono sin impurificar del silicio 4h-Semi de la pureza elevada 5x5mmt
Datos del producto:
Lugar de origen: | CHINA |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | sin impurificar |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
Información detallada |
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Material: | Cristal sic solo | Dureza: | 9,4 |
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Forma: | 5x5x10mmt | Tolerancia: | ±0.1mm |
Uso: | Óptico | Tipo: | pureza elevada 4h-semi |
Resistencia: | >1E7 Ω | color: | transparente |
Superficie: | DSP | Conductividad termal: | >400W/298KH |
Alta luz: | Sic lente óptica del carbono del silicio,lente óptica del carbono del silicio 4h-Semi,lente óptica del carbono del silicio 5x5mmt |
Descripción de producto
obleas de los lingotes de 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic),
5x5mmt lente óptica del carbono del silicio de la pureza elevada 4h-semi sic para la lente óptica del laser y del quántum no lineal infrarroja intermedia de la óptica
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.
Uso de sic
Sic cristalino es un material ancho-bandgap importante del semiconductor. Debido a su alta conductividad termal, alta tarifa de la deriva del electrón, alta fuerza de campo de la avería y las propiedades físicas y químicas estables, es ampliamente utilizado en temperatura alta, en dispositivos electrónicos el de alta frecuencia y del poder más elevado. Hay más de 200 tipos sic de cristales que se han descubierto hasta ahora. Entre ellos, los cristales 4H- y 6H-SiC se han suministrado comercialmente. Todos pertenecen al grupo del punto de 6m m y tienen un efecto óptico no lineal del segundo-orden. Sic los cristales semiaislantes son visibles y medios. La banda infrarroja tiene una transmitencia más alta. Por lo tanto, los dispositivos optoelectrónicos basados en sic cristales son muy convenientes para los usos en ambientes extremos tales como temperatura alta y alta presión. El cristal semiaislante 4H-SiC se ha demostrado ser un nuevo tipo de cristal óptico no lineal mediados de-infrarrojo. Comparado con los cristales ópticos no lineales mediados de-infrarrojos de uso general, sic el cristal tiene un hueco de banda amplio (3.2eV) debido al cristal. , Alta conductividad termal (los 490W/m·K) y energía en enlace grande (5eV) entre el Si-c, de modo que sic el cristal tenga un alto umbral de daño de laser. Por lo tanto, el cristal semiaislante 4H-SiC como cristal no lineal de la conversión de frecuencia tiene ventajas obvias en hacer salir el laser mediados de-infrarrojo de alta potencia. Así, en el campo de lasers de alta potencia, sic cristalino está un cristal óptico no lineal con perspectivas amplias del uso. Sin embargo, la investigación actual basada en las propiedades no lineales sic de cristales y de usos relacionados no es todavía completa. Este trabajo toma las propiedades ópticas no lineales de los cristales 4H- y 6H-SiC como el contenido principal de la investigación, y apunta solucionar algunos problemas básicos sic de cristales en términos de propiedades ópticas no lineales, para promover el uso sic de cristales en el campo de la óptica no lineal. Una serie de trabajo relacionado se ha realizado teóricamente y experimental, y los resultados de investigación principales son como sigue: Primero, las propiedades ópticas no lineales básicas sic de cristales se estudian. La refracción variable de la temperatura de los cristales 4H- y 6H-SiC en las bandas visibles y mediados de-infrarrojas (404.7nm~2325.4nm) fue probada, y la ecuación de Sellmier del índice de refracción variable de la temperatura fue cabida. La teoría modelo del solo oscilador fue utilizada para calcular la dispersión del coeficiente termo-óptico. Se da una explicación teórica; la influencia del efecto termo-óptico sobre hacer juego de fase de los cristales 4H- y 6H-SiC se estudia. Los resultados muestran que el hacer juego de fase de los cristales 4H-SiC no es afectado por temperatura, mientras que los cristales 6H-SiC todavía no pueden alcanzar hacer juego de fase de la temperatura. condición. Además, el factor de duplicación de la frecuencia del cristal semiaislante 4H-SiC fue probado por el método de la franja del fabricante. En segundo lugar, la generación del parámetro del femtosegundo y el funcionamiento ópticos de la amplificación del cristal 4H-SiC se estudia. El hacer juego de fase, la velocidad de grupo que hace juego, el mejor ángulo no-colineal y mejor la longitud cristalina del cristal 4H-SiC bombeados por el laser del femtosegundo 800nm se analizan teóricamente. Usando el laser del femtosegundo con una longitud de onda de la salida 800nm por el Ti: El laser del zafiro como la fuente de la bomba, usando tecnología paramétrica óptica de dos etapas de la amplificación, usando un cristal semiaislante 3.1m m grueso 4H-SiC como cristal óptico no lineal, bajo hacer juego de fase del 90°, por primera vez, un laser mediados de-infrarrojo con una longitud de onda de centro de 3750nm, una sola energía de pulso hasta 17μJ, y una anchura de pulso de 70fs fue obtenido experimental. El laser del femtosegundo 532nm se utiliza como la luz de la bomba, y el sic cristalino es el 90° fase-hecho juego para generar la luz de señal con una longitud de onda del centro de la salida de 603nm con parámetros ópticos. Tercero, el funcionamiento de ensanchamiento espectral de 4H-SiC semiaislante cristalino como medio óptico no lineal se estudia. Los resultados experimentales muestran que la anchura del mitad-máximo de los aumentos ensanchados del espectro con la longitud cristalina y el incidente de la densidad de poder del laser en el cristal. El aumento linear se puede explicar por el principio de modulación de la uno mismo-fase, que es causada principalmente por la diferencia del índice de refracción del cristal con la intensidad de la luz de incidente. Al mismo tiempo, se analiza que en escala de tiempo del femtosegundo, el índice de refracción no lineal sic del cristal se puede atribuir principalmente a los electrones encuadernados en el cristal y a los electrones gratuitos en la banda de conducción; y la tecnología de la z-exploración se utiliza para estudiar preliminar el sic cristalino debajo del laser 532nm. Absorción no lineal y no
funcionamiento linear del índice de refracción.
Propiedades | unidad | Silicio | Sic | GaN |
Anchura de Bandgap | eV | 1,12 | 3,26 | 3,41 |
Campo de la avería | MV/cm | 0,23 | 2,2 | 3,3 |
Movilidad de electrón | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valocity de la deriva | 10^7 cm/s | 1 | 2,7 | 2,5 |
Conductividad termal | W/cmK | 1,5 | 3,8 | 1,3 |
Especificación del substrato del carburo de silicio (sic)
Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio
La especificación de 3" pulgada
Grado | Producción | Grado de la investigación | Grado simulado | |
Diámetro | 100 mm±0.38 el milímetro o el otro tamaño | |||
Grueso | 500 μm±25μm o modificado para requisitos particulares | |||
Orientación de la oblea | En eje: <0001> ±0.5° | |||
Densidad de Micropipe | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤50 | |
Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||
6H-N | 0.02~0.1 Ω·cm | |||
4/6H-SI | >1E7 Ω·cm | (el 90%) >1E5 Ω·cm | ||
Plano primario | {10-10} ±5.0° | |||
Longitud plana primaria | 22,2 mm±3.2 milímetro | |||
Longitud plana secundaria | 11.2mm±1.5 milímetro | |||
Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | |||
Exclusión del borde | 2 milímetros | |||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤25μm | |||
Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | |||
CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||
Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitido, ≤ 1m m | 1 permitida, ≤2 milímetro | |
Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Area≤ acumulativo el 1% | Area≤ acumulativo el 1% | Area≤ acumulativo el 3% | |
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Area≤ acumulativo el 2% | Area≤ acumulativo el 5% | |
Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 8 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |
Microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | |
Contaminación por la luz de intensidad alta | Ninguno |
Sobre ZMKJ Company
ZMKJ puede proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en pulgada del diámetro 2-6, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
- FAQ:
- Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?
- : (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.
- (2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y
- La carga está de acuerdo con el acuerdo real.
- Q: ¿Cómo pagar?
- : Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.
- Q: ¿Cuál es su MOQ?
- : (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.
- (2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.
- Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
- : (1) para los productos estándar
- Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
- Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de usted contacto de la orden.
- Q: ¿Usted tiene productos estándar?
- : Nuestros productos estándar en existencia. como substratos similares 4inch 0.35m m.