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8 pulgadas AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For LED micro
Datos del producto:
| Lugar de origen: | CHINA |
| Nombre de la marca: | zmkj |
| Número de modelo: | 8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-en-hora Si Epiwafer |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1pcs |
|---|---|
| Precio: | 1200~2500usd/pc |
| Detalles de empaquetado: | sola caja de la oblea por el envasado al vacío |
| Tiempo de entrega: | 1-5weeks |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 50PCS por mes |
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Información detallada |
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| El material: | Capa de GaN en el sustrato sI | Tamaño: | 8 pulgadas / 6 pulgadas |
|---|---|---|---|
| espesor de GaN: | 2-5UM | El tipo: | N-TYPE |
| Aplicación: | Dispositivo de semiconductor | ||
| Alta luz: | GaN Gallium Nitride Wafer,Oblea del nitruro de aluminio para el LED micro,Oblea del arseniuro de galio de 8 pulgadas |
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Descripción de producto
8 pulgadas 6 pulgadas AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer para micro-LED para aplicación de RF
Características de las obleas de GaN
- El contenido de nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno
El nitruro de galio es un tipo de semiconductores compuestos de amplio hueco.
un sustrato de cristal único de alta calidad, fabricado con el método HVPE original y la tecnología de procesamiento de obleas, que se ha desarrollado originalmente durante más de 10 años en China.Las características son muy cristalinas.Los sustratos de GaN se utilizan para muchos tipos de aplicaciones, para LED blanco y LD ((violeta, azul y verde).El desarrollo ha progresado para aplicaciones de dispositivos electrónicos de potencia y alta frecuencia.
El ancho de banda prohibido (emisión y absorción de luz) cubre la luz ultravioleta, visible e infrarroja.
Aplicación
El GaN se puede utilizar en muchas áreas como pantalla LED, detección e imagen de alta energía,
Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.
- Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc. Almacenamiento de datos
- Iluminación de bajo consumo de energía
- Proyecciones láser Dispositivos electrónicos de alta eficiencia
- Dispositivos de microondas de alta frecuencia Detección e imaginación de alta energía
- Nuevas energías solar o tecnología del hidrógeno Medio ambiente Detección y medicina biológica
- Banda de terahercios de la fuente de luz
Especificación del producto
| Las partidas | Valores/Ámbito de aplicación |
| Substrato | Sí, sí. |
| Diámetro de la oblea | Cuatro/ 6 ¢ / 8¿Qué quieres decir? |
| espesor de la capa epi | 4-5Mm |
| Arco de la oblea | < 30 añosMm, típico |
| Morfología de la superficie | RMS < 0,5 nm en 5 × 5 μm² |
| Barrera | - ¿ Qué?X.¿ Qué pasa?1-XN, 0 |
| Capa de la tapa | En el lugarSiNo GaN (modo D); p-GaN (modo E) |
| Densidad de 2DEG | > 9E12/cm220 nm Al0.25GaN) |
| Movilidad de los electrones | Más de 1800 cm2/Vs20 nm Al0.25GaN) |
Especificación del producto
| Las partidas | Valores/Ámbito de aplicación |
| Substrato | El valor de las emisiones/Seco |
| Diámetro de la oblea | 4/6/ paraSeco, 4 ¢/ 6 ¢/ 8El valor de las emisiones |
| Epi- espesor de la capa | 2 y 3Mm |
| Arco de la oblea | < 30 añosMm, típico |
| Morfología de la superficie | RMS < 0,5 nm en 5 × 5 μm² |
| Barrera | AlGaNo bienAlNo bienEnAlN |
| Capa de la tapa | En el lugarSiNo GaN |
| Las partidas | GaN-sobre-Si | GaN en el zafiro |
| 4/ 6/ 8¿Qué quieres decir? | 2/ 4/ 6 | |
| espesor de la capa de epi | El valor de las emisionesM- ¿ Qué? | Sección 3M- ¿ Qué? |
| Promedio Dominante/ Picolongitud de onda | 400-420nm, 440-460nm,510 a 530 nm | 270-280nm, 440-460nm, el tiempo de espera es de un minuto.510 a 530 nm |
| FWHM |
< 20 nm para el azul/cerca de UV < 40 nm para el verde |
< 15 nm para los rayos UVC < 25 nm para el azul < 40 nm para el verde |
| Arco de la oblea | < 50 añosM- ¿ Qué? | < 180M- ¿ Qué? |
Acerca de nuestra fábrica OEM
Nuestra visión de la empresa Factroy
Proporcionaremos un sustrato GaN de alta calidad y tecnología de aplicación para la industria con nuestra fábrica.
El material GaN de alta calidad es el factor de restricción para la aplicación de nitritos III, por ejemplo, una larga vida útil.
y LD de alta estabilidad, dispositivos de microondas de alta potencia y alta fiabilidad,
y LED de alta eficiencia y ahorro de energía.
-Preguntas frecuentes
P: ¿Qué puede suministrar logística y costo?
(1) Aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF y demás.
(2) Si usted tiene su propio número expreso, es genial.
Si no, podríamos ayudarle a entregar.
P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
(1) Para los productos estándar, como las obleas de 2 pulgadas de 0,33 mm.
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles desde el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 4 semanas laborales después del pedido.
P: ¿Cómo se paga?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.
P: ¿Cuál es el MOQ?
(1) Para el inventario, el MOQ es de 5pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 5pcs-10pcs.
Depende de la cantidad y de la técnica.
P: ¿Tiene un informe de inspección del material?
Podemos suministrar el informe ROHS y llegar a informes para nuestros productos.