SSP DSP VGF tipo N tipo P tipo InP obleas de alta movilidad electrónica / conductividad térmica
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | ZMSH |
Número de modelo: | InP |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 |
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Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
Condiciones de pago: | T/T |
Información detallada |
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EPD: | 5500 cm2 | Las demás:: | DSP SSP |
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Movilidad: | Entre 1200 y 2000 | tipo de la conductividad: | Tipo N o tipo P |
Densidad del pozo de grabado: | ≤ 1E2/cm2 | Embalaje: | Método de embalaje de la oblea Embalaje al vacío, repleto de nitrógeno |
Concentración de dopaje: | Concentración del elemento dopante 1 × 10^16 - 1 × 10^18 Cm^-3 | El elemento dopante: | Elementos utilizados para el dopaje de antimonio (Sb), indio (In), fósforo (P), etc. |
Alta luz: | DSP Wafer de fosfuro de indio,Waferas INP tipo N,Waferas InP de alta movilidad electrónica |
Descripción de producto
Descripción del producto:
El nuestroEn el PLas obleas de fosfuro de indio son conocidas por su baja densidad de defectos y su alto rendimiento, y se utilizan ampliamente en optoelectrónica y microelectrónica.Estas obleas se fabrican utilizando técnicas de crecimiento de precisión, garantizando la alta pureza del material y la excelente estructura cristalina, reduciendo significativamente la densidad de defectos y mejorando el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.En el Pdisponibles en diámetros de 2 a 6 pulgadas, nuestras obleas satisfacen las necesidades de diversas aplicaciones. También ofrecemos una gama de opciones de tratamiento de superficie, incluyendo pulido, grabado y oxidación,para adaptarse a los requisitos específicos del procesoPara garantizar la consistencia y fiabilidad del producto, implementamos procedimientos de control de calidad estrictos y proporcionamos informes detallados de inspección del producto.La elección de nuestras obleas InP de bajo defecto garantiza un rendimiento excepcional y una calidad estable, ayudando a sus productos a destacarse en el mercado altamente competitivo.
Características:
- Alta conductividad térmica:En el Ppresenta una conductividad térmica relativamente alta, lo que ayuda a la disipación de calor efectiva en los dispositivos electrónicos.
- Estabilidad química:En el PEs químicamente estable y altamente resistente a muchas sustancias químicas en el medio ambiente.
- Compatibilidad:En el Ppueden formar heterostructuras con otros materiales del grupo III-V como GaAs e InGaAs, lo que es crucial en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos y microelectrónicos de alto rendimiento.
- Aunque es más frágil que el silicio,En el Psigue teniendo una resistencia mecánica suficiente para soportar las presiones de los procesos de fabricación y envasado.
- Resistencia a la radiación:En el PTiene una fuerte resistencia a la radiación, por lo que es adecuado para su uso en ambientes hostiles, como aplicaciones espaciales.
- La adaptabilidad de la ingeniería de banda ancha: las propiedades de los materialesEn el Ppueden ser manipulados para aplicaciones específicas a través de la ingeniería de bandgap.
- La adaptabilidad de la ingeniería de banda ancha: las propiedades de los materialesEn el Ppueden ser manipulados para aplicaciones específicas a través de la ingeniería de bandgap.
Parámetros técnicos:
Parámetros | Detalles |
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El EPD | 5500 cm2 |
Método de crecimiento | VGF |
La superficie es plana | Aplanamiento de la superficie de la oblea ≤ 0,5 μm |
Embalaje | Embalaje al vacío, repleto de nitrógeno |
Densidad del pozo de grabado | ≤ 1E2/cm2 |
Las demás: | PPS de la SPD |
El elemento dopante | Antimonio (Sb), indio (In), fósforo (P), etc. |
Densidad de defectos | ≤ 500 Cm^-2 |
Diámetro | 2 a 6 pulgadas |
Condiciones de almacenamiento | Temperatura entre 20 y 25°C, Humedad ≤ 60% |
Palabras clave | Circuitos integrados optoelectrónicos, alta movilidad de electrones, células solares |
Aplicaciones:
- Detección óptica:En el PSus propiedades ópticas lo convierten en un material ideal para crear sensores que pueden detectar una variedad de parámetros ambientales, como temperatura, presión y composición química.
- Lasers de fibra:En el Pse utiliza en la producción de láseres de fibra, que son conocidos por su alta eficiencia y capacidad para producir un haz de alta calidad. Estos láseres se utilizan en el procesamiento de materiales, aplicaciones médicas,y las telecomunicaciones.
- Tecnología de visión nocturna: la transparencia infrarroja deEn el Plo convierte en un material adecuado para aplicaciones en la tecnología de visión nocturna, donde se utiliza para mejorar la visibilidad en condiciones de poca luz.
- Comunicación por satélite:En el PSu resistencia a la radiación y su rendimiento de alta frecuencia lo convierten en una excelente opción para aplicaciones de comunicación por satélite.cuando se utiliza en la fabricación de transistores y otros componentes electrónicos.
- Almacenamiento de discos ópticos:En el Ppuede utilizarse en la fabricación de dispositivos de almacenamiento de discos ópticos debido a su capacidad para emitir y detectar luz de manera eficiente.
Personalización:
ZMSH proporciona servicios de personalización para Gallium Nitride Wafer con alta movilidad de electrones y propiedades semiconductoras.Nuestra oblea de nitruro de galio incluye el número de modelo InP y está fabricada con componentes de calidad de China. Sus condiciones de almacenamiento requieren una temperatura de 20-25°C y una humedad de ≤60%. La densidad del pozo de grabado es ≤1E2/cm2 y la planitud de la superficie de la oblea es ≤0,5 μm. Ofrecemos dos tipos de pulido:DSP y SSPEl elemento dopaje utilizado para el dopaje incluye antimonio (Sb), indio (In), fósforo (P), etc.
Apoyo y servicios:
Nuestro personal experimentado puede ayudarle en la selección, aplicación e implementación de la oblea adecuada para sus necesidades.Proporcionamos una gama de servicios que incluyen::
- Asesoramiento sobre la selección y el diseño de las obleas
- Apoyo técnico y solución de problemas
- Optimización y diseño de procesos
- Validación y calificación del proceso
- Supervisión y control de los procesos
- Mejora de procesos y solución de problemas
- Ingeniería de productos y procesos
- Desarrollo y ensayos de productos
Nuestro equipo está disponible las 24 horas del día, los 7 días de la semana para responder cualquier pregunta que pueda tener.
Embalaje y envío:
Embalaje y envío de la oblea de nitruro de galio
La oblea de nitruro de galio se empaqueta y envía de acuerdo con los más altos estándares de la industria.que luego se sella con un sello protectorEl contenedor se coloca entonces dentro de un contenedor más grande, como una caja de cartón o una bolsa de plástico.
Todos los paquetes son inspeccionados y probados antes de ser enviados. Los paquetes se someten a una serie de controles de calidad para asegurarse de que están en buenas condiciones antes de ser enviados.Se proporciona un número de seguimiento al cliente para que pueda controlar el progreso de su paquete.
La oblea de nitruro de galio se envía utilizando un servicio de envío confiable como FedEx, UPS o USPS. El paquete se rastrea y asegura para cualquier daño o pérdida que pueda ocurrir durante el tránsito.El cliente es responsable de los cargos adicionales debidos a la manipulación adicional, impuestos o cargos aduaneros.
Preguntas frecuentes:
- P: ¿Cuál es la marca de Gallium Nitride Wafer?
R: La marca es ZMSH. - P: ¿Cuál es el número de modelo de Gallium Nitride Wafer?
R: El número de modelo es InP. - P: ¿Cuál es el lugar de origen de la oblea de nitruro de galio?
R: El lugar de origen es China. - P: ¿Cuáles son las características de Gallium Nitride Wafer?
R: La oblea de nitruro de galio tiene excelentes propiedades eléctricas y térmicas, un amplio intervalo de banda y una alta resistencia del campo de descomposición. - P: ¿Cuál es la aplicación de Gallium Nitride Wafer?
R: La oblea de nitruro de galio se utiliza ampliamente en electrónica de potencia, dispositivos de RF, dispositivos optoelectrónicos y aplicaciones de dispositivos de alta temperatura y alta frecuencia.