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Oblea HVPE Chip Template permanente libre 5x5/10x10/5x10 milímetro del nitruro del galio de Uno-AXIS
Datos del producto:
| Lugar de origen: | CHINA |
| Nombre de la marca: | zmkj |
| Número de modelo: | GaN-FS-M-N-S5*10-DSP |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 10pcs |
|---|---|
| Precio: | 1200~2500usd/pc |
| Detalles de empaquetado: | sola caja de la oblea por el envasado al vacío |
| Tiempo de entrega: | 1-5weeks |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 50pcs por mes |
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Información detallada |
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| Material: | Solo cristal de GaN | tamaño: | mmt 10x10/5x5/5x10 |
|---|---|---|---|
| grueso: | 0.35m m | tipo: | N-tipo |
| uso: | dispositivo de semiconductor | ||
| Alta luz: | Una oblea del nitruro del galio de AXIS,oblea del nitruro del galio 5x5,Situación libre Chip Template GaN Wafer |
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Descripción de producto
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates libre no polar de GaN del nitruro del galio de GaN del nitruro del galio del mocvd (uno-avión y m-avión)
GaN Wafer Characteristic
| Producto | Substratos del nitruro del galio (GaN) | ||||||||||||||
| Descripción de producto: |
La plantilla de Saphhire GaN se presenta método de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro de Epitxial (HVPE). En el proceso de HVPE, el ácido produjo por la reacción GaCl, que a su vez se reacciona con amoníaco para producir derretimiento del nitruro del galio. La plantilla epitaxial de GaN es una manera rentable de substituir substrato cristalino del nitruro del galio el solo. |
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| Parámetros técnicos: |
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| Especificaciones: |
Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 30 micrones, zafiro; Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro; Película epitaxial de GaN (avión) de R, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro; Película epitaxial de GaN (M Plane), N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro. Película de AL2O3 + de GaN (N-tipo Si dopado); Película de AL2O3 + de GaN (P-tipo magnesio dopado) Nota: según la orientación y el tamaño especiales del enchufe de la demanda de los clientes. |
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| Empaquetado estándar: | bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja |
Uso
GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
- Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
- Almacenamiento de la fecha
- Iluminación económica de energía
- Exhibición a todo color del fla
- Laser Projecttions
- Dispositivos electrónicos de gran eficacia
- Dispositivos de alta frecuencia de la microonda
- Detección de alta energía e imaginarse
- Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía
- Detección del ambiente y medicina biológica
- Banda del terahertz de la fuente de luz
Especificaciones:
| GaN Substrates libre no polar (uno-avión y m-avión) | ||
| Artículo | GAN-FS-uno | GAN-FS-m |
| Dimensiones | 5.0mm×5.5m m | |
| 5.0mm×10.0m m | ||
| 5.0mm×20.0m m | ||
| Tamaño modificado para requisitos particulares | ||
| Grueso | 350 µm del ± 25 | |
| Orientación | ± 1° del uno-avión | ± 1° del m-avión |
| TTV | µm ≤15 | |
| ARCO | µm ≤20 | |
| Tipo de la conducción | N-tipo | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | |
| Densidad de dislocación | Menos que los cm2s 5x106 | |
| Superficie usable | > el 90% | |
| Polaco | Front Surface: Ra < 0=""> | |
| Superficie trasera: Tierra fina | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. | |
Q: ¿Cuál es su requisito mínimo de la orden?
: MOQ: 10 pedazos
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