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N-tipo sic oblea del substrato 4H del semiconductor del lingote del carburo de silicio de 8inch 200m m
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Certificación: | ROHS |
| Número de modelo: | obleas de 200m m sic |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
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Información detallada |
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| Material: | Carburo de silicio | Grado: | Ficticio o Investigación |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.35m m 0.5m m | Suraface: | lado doble pulido |
| Uso: | prueba de pulido del fabricante del dispositivo | Diámetro: | 200±0.5m m |
| MOQ: | 1 | Tipo: | 4h-n |
| Alta luz: | Substrato del semiconductor del lingote del carburo de silicio,oblea del carburo de silicio 8Inch,4H N-tipo sic oblea |
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Descripción de producto
Obleas de pulido pulidas lado cristalino excelente de cerámica de las obleas 200m m del carburo de silicio del fabricante de la oblea de la oblea de la oblea de silicio de CorrosionSingle del carburo sic del substrato/de silicio de las obleas (150m m, 200m m) solo sic sic Wafer4H-N SIC ingots/200mm sic sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.
| 8inch N-tipo sic espec. de DSP | |||||
| Número | Artículo | Unidad | Producción | Investigación | Maniquí |
| 1: parámetros | |||||
| 1,1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1,2 | orientación superficial | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2: Parámetro eléctrico | |||||
| 2,1 | dopante | -- | n-tipo nitrógeno | n-tipo nitrógeno | n-tipo nitrógeno |
| 2,2 | resistencia | ohmio ·cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3: Parámetro mecánico | |||||
| 3,1 | diámetro | milímetro | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3,2 | grueso | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3,3 | Orientación de la muesca | ° | [1 - 100] ±5 | [1 - 100] ±5 | [1 - 100] ±5 |
| 3,4 | Profundidad de la muesca | milímetro | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3,5 | LTV | μm | ≤5 (10mm*10m m) | ≤5 (10mm*10m m) | ≤10 (10mm*10m m) |
| 3,6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3,7 | Arco | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3,8 | Deformación | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3,9 | AFM | nanómetro | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
1) la preparación de los cristales de semilla de alta calidad 4H-SiC de 200m m;
2) falta de uniformidad de gran tamaño del campo de la temperatura y control de proceso de la nucleación;
3) la eficacia del transporte y la evolución de componentes gaseosos en sistemas de gran tamaño del crecimiento cristalino;
4) cristal que se agrieta y proliferación del defecto causada por aumento de gran tamaño de la tensión termal.
Hay tres tipos sic de diodos del poder: Diodos de Schottky (SBD), diodos de PIN y diodos barrera-controlados de Schottky del empalme (JBS). Debido a la barrera de Schottky, el SBD tiene una altura más baja de la barrera de empalme, así que el SBD tiene la ventaja del voltaje delantero bajo. La aparición sic del SBD ha agrandado la gama del uso de SBD de 250V a 1200V. Además, sus características en las temperaturas altas son buenas, la corriente reversa de la salida no aumentan de temperatura ambiente 175 al ° C. En el campo del uso de rectificadores sobre 3kV, sic el PiN y sic los diodos de JBS ha recibido mucha atención debido a su voltaje de avería más alto, velocidad, más tamaño pequeño más rápidamente que cambiaban, y un peso más ligero que los rectificadores de silicio.
Sic los dispositivos del MOSFET del poder tienen resistencia ideal de la puerta, funcionamiento que cambia de alta velocidad, en-resistencia baja, y alta estabilidad. Es el dispositivo preferido en el campo de los dispositivos de poder debajo de 300V. Hay los informes que un MOSFET del carburo de silicio con un voltaje de bloqueo de 10kV se ha desarrollado con éxito. Los investigadores creen que sic los MOSFETs ocuparán una posición ventajosa en el campo de 3kV - 5kV.
| Propiedades | unidad | Silicio | Sic | GaN |
| Anchura de Bandgap | eV | 1,12 | 3,26 | 3,41 |
| Campo de la avería | MV/cm | 0,23 | 2,2 | 3,3 |
| Movilidad de electrón | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
| Velocidad de deriva | 10^7 cm/s | 1 | 2,7 | 2,5 |
| Conductividad termal | W/cmK | 1,5 | 3,8 | 1,3 |
FAQ:
Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?
: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.
(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y
La carga está de acuerdo con el acuerdo real.
Q: ¿Cómo pagar?
: Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.
Q: ¿Cuál es su MOQ?
: (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.
(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
: (1) para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de usted contacto de la orden.
Q: ¿Usted tiene productos estándar?
: Nuestros productos estándar en existencia. como substratos similares 4inch 0.35m m.