Descripción de producto

8 pulgadas 4H-N tipo SiC espesor de la oblea 500±25um n dopado maniquí de primer grado de investigación

8 pulgadas 4H-N tipo Wafer de SiC resumen

Este estudio presenta la caracterización de una oblea de carburo de silicio (SiC) tipo 4H-N de 8 pulgadas destinada a aplicaciones de semiconductores.ha sido fabricado con técnicas de vanguardia y está dopado con impurezas de tipo nSe utilizaron técnicas de caracterización, incluida la difracción de rayos X (XRD), la microscopía electrónica de exploración (SEM) y las mediciones del efecto Hall, para evaluar la calidad del cristal, la morfología de la superficie, la composición de la superficie y la composición de la superficie.y propiedades eléctricas de la obleaEl análisis XRD confirmó la estructura del politipo 4H de la oblea SiC, mientras que la imagen SEM reveló una morfología de superficie uniforme y libre de defectos.Las mediciones del efecto Hall indicaron un nivel de doping de tipo n consistente y controlable en toda la superficie de la oblea.Los resultados sugieren que la oblea SiC de tipo 4H-N de 8 pulgadas presenta características prometedoras para su uso en dispositivos semiconductores de alto rendimiento.especialmente en aplicaciones que requieren un funcionamiento de alta potencia y alta temperaturaPara explotar plenamente el potencial de esta plataforma material, se requieren estudios adicionales de optimización e integración de dispositivos.

8 pulgadas 4H-N tipo propiedades de Wafer SiC

1. Estructura cristalina: presenta una estructura cristalina hexagonal con un politipo 4H, proporcionando propiedades electrónicas favorables para aplicaciones de semiconductores.

2. Diámetro de la oblea: 8 pulgadas, proporcionando una gran superficie para la fabricación del dispositivo y la escalabilidad.

3. espesor de la oblea: típicamente 500 ± 25 μm, proporcionando estabilidad mecánica y compatibilidad con los procesos de fabricación de semiconductores.

4. Doping: Doping de tipo N, en el que los átomos de nitrógeno se introducen intencionalmente como impurezas para crear un exceso de electrones libres en la red cristalina.

5. Propiedades eléctricas:

   • Alta movilidad de electrones, lo que permite un transporte eficiente de carga.
   • Baja resistividad eléctrica, que facilita la conducción de la electricidad.
   • Profil de doping controlado y uniforme en toda la superficie de la oblea.

6. Pureza del material: material SiC de alta pureza, con bajos niveles de impurezas y defectos, lo que garantiza un rendimiento y una longevidad fiables del dispositivo.

7. Morfología superficial: Morfología superficial lisa y libre de defectos, adecuada para el crecimiento epitaxial y los procesos de fabricación de dispositivos.

8. Propiedades térmicas: Alta conductividad térmica y estabilidad a temperaturas elevadas, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.

9. Propiedades ópticas: energía de banda ancha y transparencia en el espectro visible e infrarrojo, lo que permite la integración de dispositivos optoelectrónicos.

10. Propiedades mecánicas:

    • Alta resistencia mecánica y dureza, proporcionando durabilidad y resistencia durante el manejo y el procesamiento.
    • Bajo coeficiente de expansión térmica, reduciendo el riesgo de agrietamiento inducido por esfuerzo térmico durante el ciclo de temperatura.

      Número	Punto de trabajo	Unidad	Producción	Investigación	¡ Qué tonto!
      1	el tipo		4 horas	4 horas	4 horas
      2	orientación de la superficie	¿ Qué pasa?	Se aplican las siguientes medidas:5	Se aplican las siguientes medidas:5	Se aplican las siguientes medidas:5
      3	Agregador		Nitrógeno de tipo n	Nitrógeno de tipo n	Nitrógeno de tipo n
      4	resistividad	Ohm · cm	0.015 ~ 0.025	0.01 ~ 0.03
      5	Diámetro	En el caso de los	200 ± 0.2	200 ± 0.2	200 ± 0.2
      6	espesor	Mm	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25
      7	Orientación de la muesca	¿ Qué pasa?	[1- 100] ± 5	[1- 100] ± 5	[1- 100] ± 5
      8	Profundidad de muesca	En el caso de los	Uno a uno.5	Uno a uno.5	Uno a uno.5
      9	El valor de la renta variable	Mm	Se aplican las siguientes condiciones:	Se aplican las siguientes condiciones:	Se aplican las siguientes condiciones:
      10	TTV	Mm	≤ 10 años	≤ 10 años	≤ 15 años
      11	- ¿ Por qué?	Mm	25 ~ 25	45 ~ 45	Entre 65 y 65
      12	La velocidad warp.	Mm	≤ 30 años	≤ 50	≤ 70 años

8 pulgadas 4H-N tipo Wafer SiC de la imagen

Aplicación de las obleas SiC tipo 4H-N de 8 pulgadas

Electrónica de potencia: Las obleas de SiC se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos de energía como los diodos Schottky, los MOSFET (transistores de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor),y IGBT (transistores bipolares de puerta aislada)Estos dispositivos se benefician del alto voltaje de ruptura del SiC, la baja resistencia en estado y el rendimiento a altas temperaturas, lo que los hace adecuados para aplicaciones en vehículos eléctricos,sistemas de energía renovable, y sistemas de distribución de energía.

Dispositivos de radiofrecuencia y microondas: Las obleas de SiC se utilizan en el desarrollo de dispositivos de RF (Radio Frequency) y microondas de alta frecuencia debido a su alta movilidad electrónica y conductividad térmica.Las aplicaciones incluyen amplificadores de alta potencia, interruptores de RF y sistemas de radar, donde las ventajas de rendimiento del SiC permiten un manejo eficiente de la energía y una operación de alta frecuencia.

Optoelectrónica: Las obleas de SiC se utilizan en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos como fotodetectores ultravioleta (UV), diodos emisores de luz (LED) y diodos láser.El amplio intervalo de banda del SiC y la transparencia óptica en el rango UV lo hacen adecuado para aplicaciones en detección UV, esterilización UV, y LEDs UV de alto brillo.

Electrónica de alta temperatura: Las obleas de SiC son preferidas para sistemas electrónicos que operan en ambientes hostiles o a temperaturas elevadas.y sistemas de control de motores de automóviles, donde la estabilidad térmica y la fiabilidad del SiC permiten el funcionamiento en condiciones extremas.

Tecnología de sensores: Las obleas de SiC se utilizan en el desarrollo de sensores de alto rendimiento para aplicaciones como la detección de temperatura, la detección de presión y la detección de gases.Los sensores basados en SiC ofrecen ventajas como una alta sensibilidad, tiempos de respuesta rápidos y compatibilidad con ambientes hostiles, lo que los hace adecuados para aplicaciones industriales, automotrices y aeroespaciales.