Alta resistividad Wafer de carburo de silicio de 8 pulgadas 200 mm Producción de grado 4H-N

Descripción del producto:

Como fabricante y proveedor líder de obleas de sustrato de SiC (carburo de silicio), ZMSH ofrece el mejor precio en el mercado para obleas de sustrato de carburo de silicio de grado de investigación de 2 pulgadas y 3 pulgadas.Las obleas de sustratos de SiC se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia.El diodo emisor de luz (LED) es uno de los muchos dispositivos electrónicos que cosechan los beneficios de las obleas de sustrato de SiC.El LED es un tipo de semiconductor que combina electrones y agujeros para formar una fuente de luz fría eficiente en energía.haciendo de ellos una opción atractiva para aplicaciones industrialesPor lo tanto, con el mejor precio y el uso de laWafer de sustrato de SiCEn varios dispositivos electrónicos, ZMSH es la opción adicional para los fabricantes que desean comprar obleas de sustratos de carburo de silicio.

Características:

Carburo de silicio (SiC) de cristal únicotiene excelentes propiedades de conductividad térmica, alta movilidad de electrones de saturación y resistencia a la degradación de alto voltaje. Es adecuado para preparar alta frecuencia, alta potencia, alta temperatura,y dispositivos electrónicos resistentes a la radiación.

El cristal único de SiC tiene muchas propiedades excelentes, incluida la alta conductividad térmica, la alta movilidad de electrones saturados y la fuerte descomposición anti-voltado.El cristal único de SiC es adecuado para la preparación de alta frecuencia, dispositivos electrónicos de alta potencia, alta temperatura y resistencia a la radiación.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto:Substrato de carburo de silicio, oblea de carburo de silicio, oblea de SiC, substrato de SiC.

Método de crecimiento: MOCVD.

Estructura de cristal: 6H y 4H.

Parámetros de la red: 6H (a=3,073 Å, c=15,117 Å); 4H (a=3,076 Å, c=10,053 Å).

Secuencia de apilamiento: 6H (ABCACB), 4H (ABCB).

Grado: grado de producción, grado de investigación, grado de imitación.

Tipo de conductividad: tipo N o semi-aislante.

El espacio entre bandas es de 3,23 eV.

Dureza: 9.2 mohs.

Conductividad térmica @300K: 3,2 ~ 4,9 W/ cm.K.

Las constantes dieléctricas: e(11) = e(22) = 9.66, e(33) = 10.33.

Resistencia: 4H-SiC-N (0,015 ~ 0,028 Ω · cm); 6H-SiC-N (0,02 ~ 0,1 Ω · cm); 4H / 6H-SiC-SI (> 1E7 Ω · cm).

Embalaje: bolsa limpia de clase 100, en la sala limpia de clase 1000.

 

Aplicaciones:

con un contenido de aluminio superior o igual a 10%,incluidos4H-N tipo SiCcon un contenido de aluminio superior o igual a 10 W,Substrato de SiC, es una gran opción para aquellos en los mercados de electrónica automotriz, dispositivos optoelectrónicos y aplicaciones industriales.Este material fuerte y resistente es la opción ideal para su uso en escenarios industriales donde la estabilidad y la durabilidad son indispensables y se ha convertido en el favorito entre muchos usuarios.

Las propiedades de las obleas de SiC, incluidas sus excelentes propiedades semiconductoras y su resistencia a temperaturas superiores, lo convierten en una opción ideal para la electrónica automotriz.Su resistencia a altas temperaturas también lo hace ideal para su uso en algunos dispositivos optoelectrónicos que requieren un rendimiento extraordinario en diversos entornos de temperaturaPor último, su conductividad eléctrica y térmica superior lo hacen perfecto para aplicaciones industriales en lugares como plantas químicas, centrales eléctricas, etc.

Las propiedades superiores deWafer de SiCEs una gran opción para la electrónica automotriz, dispositivos optoelectrónicos e incluso aplicaciones industriales.Si usted está buscando un material superior con propiedades superiores, entonces la oblea de carburo de silicio es la opción ideal para usted.

 

Apoyo y servicios:

Oferta de carburo de silicioofrece una variedad de soporte técnico y servicios para garantizar que nuestros clientes obtengan el máximo provecho de su producto.

• Asistencia técnica y solución de problemas
• Reparación y mantenimiento
• Pruebas y calibración del producto
• Diseño de soluciones personalizadas
• Actualizaciones de software y firmware
• Formación y certificación

Embalaje y envío:

Oferta de carburo de siliciogeneralmente están envasados en un envase sellado a prueba de humedad para protegerlos de las condiciones ambientales durante su envío.Por lo general, se envían en una caja o sobre con espuma o envoltura de burbujas para garantizar que las obleas estén seguras y protegidas durante el transporte.El paquete también debe estar claramente etiquetado con el nombre, dirección y cualquier otra información importante del cliente.

 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué es la oblea de carburo de silicio?

R: La oblea de carburo de silicio es un tipo de material semiconductor hecho de carburo de silicio, que tiene una excelente resistencia al calor y conductividad térmica en comparación con otros materiales.

P: ¿Cuál es el nombre de marca de Silicon Carbide Wafer?

R: El nombre de marca de Silicon Carbide Wafer es ZMSH.

P: ¿Cuál es el número de modelo de Silicon Carbide Wafer?

R: El número de modelo de la oblea de carburo de silicio es carburo de silicio.

P: ¿Dónde se fabrica la oblea de carburo de silicio?

R: La oblea de carburo de silicio se fabrica en China.

P: ¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para Wafer de carburo de silicio?

R: La cantidad mínima de pedido para las obleas de carburo de silicio es de 5.

P: ¿Cuánto tiempo lleva entregar una oblea de carburo de silicio?

R: Se tardan 2 semanas en entregar las obleas de carburo de silicio.

P: ¿Cuáles son los términos de pago para la oblea de carburo de silicio?

R: Los términos de pago para las obleas de carburo de silicio son 100% T/T.

P: ¿Cuál es la capacidad de suministro para Silicon Carbide Wafer?

R: La capacidad de suministro para las obleas de carburo de silicio es de 100000.