Wafer de carburo de silicio de uso industrial de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas con rugosidad de superficie ≤ 0,2 nm
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | ZMSH |
Certificación: | ROHS |
Número de modelo: | Silicon Carbide |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 5 |
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Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
Condiciones de pago: | 100%T/T |
Capacidad de la fuente: | 100000 |
Información detallada |
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Final superficial: | Lateral solo/doble pulido | Aspereza superficial: | ≤0.2nm |
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Conductividad: | Conductividad alta/baja | Partícula: | Partícula libre/baja |
Grado: | Maniquí de la investigación de la producción | impureza: | Impureza libre/baja |
dopado: | El silicio doped/Un-doped/Zn dopó | Tipo: | 4H-N/ 6H-N/4H-Semi-insulting/6H-Semi-insulting |
Alta luz: | Substrato de carburo de silicio pulido de doble cara,Utilizar en el sector industrial de las obleas de carburo de silicio,Wafer de carburo de silicio de 8 pulgadas |
Descripción de producto
Descripción del producto:
ZMSH se ha convertido en el principal fabricante y proveedor de obleas de sustrato de SiC (carburo de silicio).ZMSH ofrece el mejor precio actual en el mercado para 2 pulgadas y 3 pulgadas de investigación de grado Wafers de sustrato SiC.
Las obleas de sustrato de SiC tienen una variedad de aplicaciones en el diseño de dispositivos electrónicos, específicamente para productos que involucran alta potencia y alta frecuencia.
Además, la tecnología LED es un importante consumidor de obleas de sustrato de SiC.que es un tipo de semiconductor que combina electrones y agujeros para crear una fuente de luz fría eficiente en energía.
Características:
El cristal único de carburo de silicio (SiC) tiene muchas propiedades sobresalientes, como excelente conductividad térmica, alta movilidad de electrones de saturación y resistencia a la ruptura de alto voltaje.Estas propiedades lo convierten en el material perfecto para preparar alta frecuencia, dispositivos electrónicos de alta potencia, alta temperatura y resistentes a la radiación.
Además, el cristal único de SiC tiene una excelente conductividad térmica y fuertes propiedades de descomposición de voltaje.lo que lo convierte en la opción ideal para dispositivos electrónicos de gama alta.
Además, la alta movilidad electrónica del cristal único de SiC proporciona una mayor eficiencia en comparación con otros materiales, lo que le permite trabajar más tiempo con menos interrupciones.Es el material perfecto para crear alto rendimiento., electrónica confiable.
Parámetros técnicos:
Nombre del producto: sustrato de carburo de silicio, oblea de carburo de silicio, oblea de SiC, sustrato de SiC
Método de crecimiento: MOCVD
Estructura de cristal: 6H, 4H, 6H ((a=3.073 Å c=15.117 Å), 4H ((a=3.076 Å c=10.053 Å))
Secuencia de apilamiento: 6H: ABCACB, 4H: ABCB
Grado: grado de producción, grado de investigación, grado de simulacro
Tipo de conductividad: tipo N o semi-aislante
El espacio de banda: 3,23 eV
Dureza: 9.2 (Mohs)
Conductividad térmica @300K: 3,2 ~ 4,9 W/ cm.K
Las constantes dieléctricas: e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
Resistencia: 4H-SiC-N: 0,015 ~ 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 ~ 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm
Embalaje: bolsa limpia de clase 100, en la sala limpia de clase 1000.
Aplicaciones:
La oblea de carburo de silicio (oblea SiC) es una opción ideal para la electrónica automotriz, los dispositivos optoelectrónicos y las aplicaciones industriales.Estas obleas incluyen tanto sustratos de SiC tipo 4H-N como sustratos de SiC semisoladores, que son ambos componentes clave de varios dispositivos.
Los sustratos de SiC de tipo 4H-N proporcionan propiedades superiores, como una brecha de banda ancha, lo que permite un conmutación muy eficiente en la electrónica de potencia.son muy resistentes al desgaste mecánico y a la oxidación química, lo que los hace ideales para dispositivos de alta temperatura y baja pérdida.
Los sustratos de SiC semi-aislantes también proporcionan excelentes propiedades, como una alta estabilidad y resistencia térmica.Su capacidad para permanecer estables en dispositivos de alta potencia los hace ideales para diversas aplicaciones optoelectrónicasAdemás, también se pueden utilizar como obleas unidas, que son componentes importantes en dispositivos microelectrónicos de alto rendimiento.
Estas características de las obleas de SiC las hacen adecuadas para diversas aplicaciones, especialmente en los sectores automotriz, optoelectrónico e industrial.Las obleas de SiC son una parte esencial de la tecnología actual y siguen siendo cada vez más populares en una variedad de industrias.
Apoyo y servicios:
Ofrecemos soporte técnico completo y servicios para las obleas de carburo de silicio.y ayuda con el diseño y la implementación de su proyecto.
Nuestro experto equipo de soporte técnico está disponible para responder cualquier pregunta o inquietud que pueda tener sobre Silicon Carbide Wafer.y ayuda para solucionar problemas.
Nuestro equipo de expertos puede proporcionar recomendaciones, muestras y apoyo para asegurarse de que usted haga la elección perfecta.
Nuestro equipo de ingenieros experimentados puede ayudarle a diseñar e implementar la solución perfecta de obleas de carburo de silicio.y apoyo para garantizar el éxito de su proyecto.
Embalaje y envío:
Las obleas de carburo de silicio son frágiles y requieren un manejo y una protección especiales durante el envío.
- Las obleas deben colocarse en envases de dispersión estática con espuma antistatica.
- Las obleas deben sellarse en una bolsa de barrera de humedad para protegerlas de los contaminantes ambientales.
- El embalaje debe estar sellado en una caja con material amortiguador para protegerse contra golpes y vibraciones.
- La caja debe estar etiquetada con la siguiente información: dirección del cliente, contenido del paquete y peso del paquete.
- El paquete debe enviarse con un transportista adecuado y estar asegurado por el valor total del contenido.
Preguntas frecuentes:
P1: ¿Qué es la oblea de carburo de silicio?A1: La oblea de carburo de silicio es una oblea hecha de material de carburo de silicio, que es un material semiconductor con una banda ancha y alta conductividad térmica.Es adecuado para la electrónica de potencia y otras aplicaciones de alta temperatura.
P2: ¿Cuál es la marca de este producto?
R2: La marca de este producto es ZMSH.
P3: ¿Cuál es el número de modelo de este producto?
R3: El número de modelo de este producto es Silicon Carbide.
P4: ¿Cuál es la cantidad mínima de pedido?
R4: La cantidad mínima de pedido es de 5.
P5: ¿Cuánto dura el tiempo de entrega?
R5: El plazo de entrega es de 2 semanas.