substrato del zafiro

• Nitruro de galio en la oblea de silicio GaN-on-Si 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas para la tecnología CMOS
• Wafer de zafiro 4 pulgadas DSP SSP 0001 C Plano acepta eje personalizado monocristalino Al2O3
• Wafer de zafiro monocristalino Al2O3 DSP SSP 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas plano A plano C
• Las hojas de zafiro de alta dureza reducen eficazmente el daño a los tejidos para aplicaciones médicas

Gem Stone sintético

• Saphir dorado artificial piedra preciosa en bruto escala de dureza de Mohs de 9 cristal para joyería
• Polido para la transparencia y la precisión Aplicaciones industriales Bolas de zafiro Alta dureza y resistencia
• LSO ((Ce) Lutecio Oxortosilícato ((Ce) Cristal Escintillador para Imágenes Médicas Alta Eficiencia de Escintillación
• Azul cielo Artificial zafiro fila cristal gema azul claro para la decoración de joyas

Zafiro Windows óptico

• Protección del sistema láser Transparencia óptica Cúpula de zafiro Rendimiento a altas temperaturas
• Resistencia al impacto Hemisferio Zafiro Cúpula Resistencia a los rayos UV Zafiro
• Cúpulas de zafiro de cristal único Al2O3 Resistencia al impacto UV Ventanas de hemisferio de zafiro
• Cúpula zafiro ventanas ópticas Resistencia química Alta conductividad térmica espesor 1 mm 2 mm

Oblea del carburo de silicio

• 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoelectronic LEDs RF de alta potencia
• Wafers de carburo de silicio tipo 3C-N 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas o 5 * 5 10 * 10 mm Tamaño grado de producción grado de investigación
• Wafers de carburo de silicio 3C-N Tipo 5*5 10*10mm Pulgadas Diámetro espesor 350 μm±25 μm
• Wafer 3C-N SiC de 4 pulgadas de carburo de silicio de grado primario de grado falso de alta movilidad de electrones RF LED

Sapphire Tube

• Cristal pulido modificado para requisitos particulares tubos sintéticos industriales Al2O3 del zafiro
• Tubo de zafiro personalizable Tubo de zafiro transparente dureza Mohs 9.0 alta resistencia al desgaste
• Personalizable Sapphire irregular Rod aplicaciones industriales de propósito especial alta dureza
• 99.999% tubo de Al2O3 con tecnología de crecimiento de calidad de superficie pulida EFG / KY

Substrato del semiconductor

• Al Orientación del sustrato de aluminio de cristal único 111 100 111 5×5×0,5 mm A=4,040Ã
• espesor de aluminio de cristal único 99/99% 5×5×1/0.5 mm 10×10×1/0.5 20x20x0.5/1 mm
• Wafer de silicio fundido JGS1 JGS2 BF33 8 pulgadas 12 pulgadas de grosor 750um±25um Ra ≤ 0.5nm TTV ≤ 10um
• ancho de banda del sustrato N-InP 02:2Wafer epi de longitud de onda.5G de 1270 nm para el diodo láser FP

equipo de laboratorio científico

• SiC Horno de crecimiento de cristales de resistencia de cristal único para la fabricación de obleas de SiC de 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas
• Equipo de láser microjet de alta precisión para cortar obleas AR y procesar lentes de carburo de silicio
• Equipo láser microjet Laser de alta energía y tecnología de chorro líquido de micrones
• Tecnología de equipos láser microfluídicos utilizados para procesar los materiales duros y frágiles del carburo de silicio Cermet