substrato del zafiro

• GaN en zafiro GaN Epitaxy plantilla en zafiro 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas
• Método de crecimiento KY para el procesamiento de componentes de zafiro
• El cono láser de zafiro de tamaño pequeño se utiliza en el corte con láser, láseres médicos y investigación científica
• Piedra preciosa de rubí artificial transparente para collar sin inclusiones

Gem Stone sintético

• Piedra preciosa de zafiro verde: materia prima sintética para joyas duraderas con dureza de Mohs de 9
• Cultivo artificial color dopado zafiro AL2O3 método personalizado CZ morado
• Ce:LuAG Cristal de centelleo de cerio dopado de lutecio de aluminio de alta densidad PET de tiempo de descomposición rápido
• Cultivo artificial color dopado zafiro AL2O3 método CZ personalizado rubí azul Padparadscha

Zafiro Windows óptico

• Placa óptica del cuarzo de la silicona fundida de la ventana BF33 Sapphire Substrate JGS1 JGS2 del cuarzo
• Equipo Sapphire Optical Windows High Pressure de la detección resistente
• Solo Crystal Sapphire Glass Razor Blade Medical sostenido de Al2O3 y 38x4.5x0.3mmt pulido
• Vidrio óptico del laser de Windows de la oblea de K9 Sapphire Quartz Optical Windows ZnSe

Oblea del carburo de silicio

• 4H SiC espesor de la oblea de semillas 600±50μm <1120> Personalización Crecimiento de carburo de silicio
• 6 pulgadas de Wafer SiC 4H/6H-P Substrato de carburo de silicio DSP (111) Semiconductor RF láseres LED de microondas
• 6N oblea primera de SIC del grado HPSI del maniquí sin impurificar superficial de la pureza DSP
• el substrato del carburo de silicio 4Inch, maniquí primero de la pureza elevada ultra califica semi sic las obleas 4H-

Sapphire Tube

• 99.995% Al2O3 tubo de zafiro transparente con alta tolerancia de translucidez
• Tubo de zafiro de cristal único Al2O3 personalizado para 99,999% de alta pureza Varios diámetros
• Tubos de zafiro hechos con precisión Tubos de resistencia transparente para ambientes de alta temperatura
• 500um 100um 25um de zafiro de fibra óptica de cable de fibra de comunicación

Substrato del semiconductor

• 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de Si Wafer de silicio pulido sin tapón tipo P tipo N tipo semiconductor
• N-GaAs Substrato 6 pulgadas 350um espesor Para uso VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer
• InP DFB Epiwafer longitud de onda 1390nm Substrato InP 2 4 6 pulgadas para el diodo láser DFB 2.5 ~ 25G
• 2 pulgadas 3 pulgadas InP láser epitaxial Wafer fosfuro de indio epi Wafer semiconductor personalizar FP diodo láser

equipo de laboratorio científico

• Sistema avanzado de monitoreo térmico de alta precisión en tiempo real
• Horno de crecimiento de lingotes de SiC 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas PVT Lely Método TSSG LPE Alta tasa de crecimiento
• Horno de crecimiento de cristal único de SiC para cristales de 6 pulgadas, 8 pulgadas usando métodos PVT, Lely, TSSG
• Horno de crecimiento de cristales de zafiro 80-400 kg por el método de Kyropoulos ((KY)