substrato del zafiro

• Wafer de zafiro 2 pulgadas C-plano ((0001) DSP SSP 99,999% monocristalino Al2O3 LEDS Semiconductor
• Material de zafiro AL2O3 Monocristal 80KG 200KG 400KG Método KY Semiconductor LED
• Wafer de zafiro de 12 pulgadas AL2O3 Personalización DSP SSP plano C plano A plano M plano LED Substrato de zafiro
• Wafer de zafiro Al2O3 8 pulgadas C plano A plano M plano KY doble diapositiva pulida SSP

Gem Stone sintético

• Collar de orejas de color violeta y púrpura para decoración
• Bloque de cristal de zafiro artificial dopado con láser de alto rendimiento
• Laser de alta frecuencia de titanio dopado de zafiro cristal único 4 nivel Vibrónico
• Bolas de rubí de zafiro de diámetro pequeño para alves, bombas y relojes rodamientos de bolas de alta dureza

Zafiro Windows óptico

• Sin revestimiento / revestido SapphireTech Precisión Ventanas de alta transparencia Ingeniería de precisión
• Componentes ópticos de zafiro personalizables JGSI JGS2 de cuarzo Fuerte estabilidad térmica
• ventanas de zafiro de cuarzo de forma irregular personalizables JGS1 JGS2 K9 BF33 BK7 alta transmitancia
• Lente de ventana de zafiro personalizable asimétrica para cámaras industriales y sensores

Oblea del carburo de silicio

• Wafers de SiC de alta calidad 2/3/4/6/8 pulgadas 4H-N Tipo Z/P/D/R Grado sin dopar
• SiC Wafer Epitaxial Carburo de silicio 4H 4 pulgadas 6 pulgadas Industria de semiconductores de alta resistencia
• SiC Substrato 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z grado P grado D grado
• Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic

Sapphire Tube

• Tubo de zafiro 99,999% AL2O3 Polido Fuente iónica de alta dureza Personalización EFG KY
• Tubo de zafiro transparente AL2O3 Alta dureza KY EFG pulido
• Método KY de tubo de zafiro transparente pulido Tamaño personalizado Alta dureza Alta resistencia al desgaste
• OD5.1 ID2.0 L108.00±0.25mm Tubo de zafiro Alta temperatura y resistencia al desgaste Personalizable

Oblea del nitruro del galio

• 2 oblea del nitruro del galio de la pulgada DSP SSP plantillas epitaxiales de AXIS del zafiro de un GaN de los substratos

Substrato del semiconductor

• Magnesio monocristalino hexagonal 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm Pureza 99,99%
• Se aplicará el método de ensayo de las partículas de magnesio en las que se utilicen las partículas de magnesio.
• Substrato de cobre Wafer / Substrato de cobre cúbico 100 110 111 Orientaiton SSP DSP Pureza 99,99%
• Substrato de cobre de cristal único Cu oblea 5x5x0.5/lmm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm a=3.607A

equipo de laboratorio científico

• Fuego de crecimiento de SiC Boule PVT Tecnologías HTCVD y LPE para la producción de SiC Boule de cristal único
• Máquina de corte de lingotes de SiC para 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 10 pulgadas Velocidad de corte de SiC 0,3 mm/min promedio
• Horno de crecimiento de lingotes de SiC PVT HTCVD LPE de cristal único Horno de crecimiento de SiC Boule para obleas de SiC de 6 pulgadas y 8 pulgadas
• Método de resistencia del horno de crecimiento monocristalino de carburo de silicio 6 8 12 pulgadas