• GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación
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GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación

GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: GaN-FS-C-U-C50-SSP

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: 1000~3000usd/pc
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea por el envasado al vacío
Tiempo de entrega: 1-5weeks
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 50PCS por mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Solo cristal de GaN Tamaño: 2INCH 4inch
Grueso: 0.4m m Tipo: N-type/Un-doped si-dopó el semi-tipo
Uso: dispositivo de semiconductor Uso: Dispositivo del polvo
Superficie: SSP Paquete: sola caja del envase de la oblea
Alta luz:

Substrato derecho libre del nitruro del galio

,

HVPE GaN Epi Wafer

,

Dispositivo del polvo de la oblea del arseniuro de galio

Descripción de producto

plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates libre no polar de GaN del nitruro del galio de GaN del nitruro del galio del mocvd (uno-avión y m-avión)

substratos libres HVPE GaN Wafers de 4inch 2inch GaN

 

GaN Wafer Characteristic

  1. III-nitruro (GaN, AlN, mesón)

El nitruro del galio es una clase de semiconductores compuestos de ancho-Gap. El substrato del nitruro del galio (GaN) es

un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente para 10+years en China. Las características son alta uniformidad cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para el LED blanco y el LD (violeta, azul y verde) además, desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.

 

El ancho de banda prohibido (luminescente y absorción) cubre la luz y el infrarrojo ultravioletas, visibles.

 

Uso

GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

  • Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.       Almacenamiento de la fecha
  • Iluminación económica de energía                                        Exhibición a todo color del fla
  • Laser Projecttions                                                 Dispositivos electrónicos de gran eficacia
  • Dispositivos de alta frecuencia de la microonda                   Detección de alta energía e imaginarse
  • Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía               Detección del ambiente y medicina biológica
  • Banda del terahertz de la fuente de luz

 

Especificación para las obleas libres de GaN

 
Tamaño 2" 4"
Diámetro 50,8 milímetros de 士 0,3 milímetros 100,0 milímetros de 士 0,3 milímetros
Grueso 400 um 士 30 um 450 um 士 30 um
Orientación c-avión de la GA-cara (de 0001) (estándar); N-cara (de 000-1) (opcional)
Curva oscilante FWHM de 002 XRD < 100="" arcsec="">
Curva oscilante FWHM de 102 XRD < 100="" arcsec="">
Enreje el radio de curvatura > 10 m (midió en el diámetro del 80% x)
Despunte hacia el m-avión 0.5° ± 0.15° hacia [10-10] @ centro de la oblea
Despunte hacia el uno-avión ortogonal 0.0° ± 0.15° hacia [1-210] @ centro de la oblea
Dirección del En-avión del despunte La proyección del vector del c-avión apunta en la dirección del comandante DE
Major Orientation Flat Plane m-avión 2° (estándar) (de 10-10); ±0.1° (opcional)
Major Orientation Flat Length 16,0 milímetros ±1 milímetro 32,0 milímetros de ± 1 milímetro
Orientación plana de la orientación de menor importancia GA-cara = principal en de inferior y de menor importancia en de la izquierda
Longitud plana de la orientación de menor importancia 8,0 milímetros de ± 1 milímetro 18,0 milímetros de ± 1 milímetro
Cartabón del borde biselado
TTV (exclusión del borde de 5 milímetros) < 15="" um=""> < 30="" um="">
Deformación (exclusión del borde de 5 milímetros) < 20="" um=""> < 80="" um="">
Arco (exclusión del borde de 5 milímetros) -10 um a +5 um -40 um a +20 um
Front Side Roughness (Sa) < 0="">
< 1="">
Final superficial lateral trasero pulido (estándar); grabado de pistas (opcional)
Aspereza lateral trasera (Sa) pulido: < 3="" nm="">
grabado al agua fuerte: 1 um ± 0,5 um (WLI: 239 um área de x 318 um)
Marca del laser lado trasero en plano importante
 
Propiedades eléctricas Doping Resistencia
N-tipo⑸ licon) < 0="">
UID < 0="">
Semiaislante (carbono) > 1E8 ohmio-cm
 
Marca con hoyos el sistema de clasificación Densidad (hoyos/cm2s) 2" (hoyos) 4" (hoyos)
Producción < 0=""> < 10=""> < 40="">
Investigación < 1=""> < 30=""> < 120="">
Maniquí < 2=""> < 50=""> < 200="">

 

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SOBRE NUESTRA fábrica del OEM

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Nuestra empresa Vision de Factroy
proveeremos del substrato de alta calidad de GaN y de la tecnología del uso para la industria nuestra fábrica.
GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida
y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de la microonda de la confiabilidad, alto brillo
y eficacia alta, LED ahorro de energía.

- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 4 workweeks después de orden.

Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.

Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar informe de ROHS y alcanzar los informes para nuestros productos.

 

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
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