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de 6inch 150m m SIC de la oblea 4 de H-N Type producción simulada del substrato sic y grado cero
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Certificación: | ROHS |
| Número de modelo: | substrato de 6inch 150m m sic |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 2pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1-500pcs/month |
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Información detallada |
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| Material: | 4H-N cristalino sic solo 4H-Si | Grado: | Dummy de producción y cero MPD |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0,35 mm y 0,5 mm | Deformación de LTV/TTV/Bow: | ≤5 um/≤15 u/$40 um/≤60 um |
| Uso: | Para el MOS y el semiconductor | Diámetro: | 6inch 150m m |
| Color: | Té verde | MPD: | <2cm-2 para grado de producción Cero MPD |
| Alta luz: | oblea de 150m m SIC,Substrato de 4 H-N Type sic,Oblea cero del carburo de silicio del grado |
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Descripción de producto
Tipo Epi-listo de la oblea N del carburo del substrato 4H y 6H de los substratos del carburo de silicio (sic) sic/de silicio de las obleas (150m m, 200m m) (sic)
capa sic epitaxial de GaN de las obleas del grado de la producción de H-N Type de la oblea 4 de 6inch SIC encendido sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El comercio famoso Co., obleas de Shangai del Ltd 150 milímetros sic ofrece a fabricantes del dispositivo un substrato constante, de alta calidad para desarrollar los dispositivos de poder de alto rendimiento. Nuestros sic substratos se producen de los lingotes cristalinos del más de alta calidad usando las técnicas físicas avanzadas propietarias y la fabricación con ayuda de ordenador (leva) del crecimiento del transporte del vapor (PVT). Las técnicas de fabricación avanzadas de la oblea se utilizan para convertir los lingotes en las obleas para asegurar la calidad constante, confiable que usted necesita.
Características dominantes
- Optimizes apuntó funcionamiento y el coste total de la propiedad para los dispositivos de la electrónica de poder de la siguiente generación
- Obleas del diámetro grande para las economías de escala mejoradas en la fabricación del semiconductor
- Gama de niveles de tolerancia para cubrir necesidades específicas de la fabricación del dispositivo
- Alta calidad cristalina
- Densidades bajas del defecto
Clasificado para la producción mejorada
Con el 6inch tamaño de la oblea de 150 milímetros sic, ofrecemos a fabricantes la capacidad a las economías de escala mejoradas palancada comparadas con 100 milímetros de fabricación del dispositivo. Nuestro 6inch obleas de 150 milímetros sic ofrecer características mecánicas constantemente excelentes para asegurar compatibilidad con procesos existentes y que se convierten de la fabricación del dispositivo.
| N-tipo sic especificaciones de 6inch 200m m de los substratos | ||||
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado de P-SBD | Grado de D | |
| Crystal Specifications | ||||
| Crystal Form | 4H | |||
| Área de Polytype | Ningunos permitieron | El Area≤5% | ||
| (MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 | |
| Placas del hex. | Ningunos permitieron | El Area≤5% | ||
| Polycrystal hexagonal | Ningunos permitieron | |||
| Inclusiones a | El Area≤0.05% | El Area≤0.05% | N/A | |
| Resistencia | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm | |
| (EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A | |
| (TED) a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A | |
| (BPD) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A | |
| (TSD) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A | |
| (Falta de amontonamiento) | Área del ≤0.5% | Área del ≤1% | N/A | |
| Contaminación de metal superficial | (Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) cm2s ≤1E11 | |||
| Especificaciones mecánicas | ||||
| Diámetro | 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm | |||
| Orientación superficial | De fuera del eje: 4°toward <11-20>±0.5° | |||
| Longitud plana primaria | 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros | |||
| Longitud plana secundaria | Ningún plano secundario | |||
| Orientación plana primaria | <11-20>±1° | |||
| Orientación plana secundaria | N/A | |||
| Misorientation ortogonal | ±5.0° | |||
| Final superficial | C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP | |||
| Borde de la oblea | El biselar | |||
| Aspereza superficial (el 10μm×10μm) | Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C | |||
| Grueso a | μm 350.0μm± 25,0 | |||
| LTV (10mm×10m m) a | ≤2μm | ≤3μm | ||
| (TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | ||
| (ARCO) a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | |
| (Deformación) a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm | |
| Especificaciones superficiales | ||||
| Microprocesadores/mellas | Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mm | Anchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro | ||
| Rasguños a (Cara del Si, CS8520) | ≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer | ≤5 y diámetro acumulativo de la oblea de Length≤1.5× | ||
| TUA (2mm*2m m) | el ≥98% | el ≥95% | N/A | |
| Grietas | Ningunos permitieron | |||
| Contaminación | Ningunos permitieron | |||
| Exclusión del borde | 3m m | |||
CATÁLOGO TAMAÑO COMÚN En NUESTRA LISTA del INVENTARIO
4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic 2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H | 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
6H N-tipo sic oblea 2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H | Tamaño de Customzied para 2-6inch |
>Empaquetado – logística
Preocupaciones por cada detalle del paquete, de la limpieza, del antiestáticos, y tratamiento por electrochoque.
¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o los casetes 25pcs en el cuarto de limpieza de 100 grados.