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Del cuadrado substrato 2inch 4inch 6inch 8inch del carburo de silicio de Windows sic
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Certificación: | ROHS |
| Número de modelo: | 10x10x0.5mmt |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
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Información detallada |
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| Material: | Tipo cristalino sic solo 4H-N | Grado: | Grado cero, de la investigación, y de Dunmy |
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| Thicnkss: | 0,1 0,2 0,3 0,35 0,43 0,5 | Uso: | Nuevos vehículos de la energía, comunicaciones 5G |
| Diámetro: | 2-8inch o 10x10mmt, 5x10mmt: | Color: | Té verde |
| Alta luz: | oblea del carburo de silicio 4inch,Substrato de la ventana del carburo de silicio,Del cuadrado oblea sic |
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Descripción de producto
La oblea óptica de SIC de 1/2/3 pulgada de la oblea del carburo de silicio en venta sic platea la oblea plana del carburo de silicio del grueso 4h-N SIC de la oblea 1.0m m de la semilla de las empresas en venta 4inch 6inch de la orientación de la oblea de silicio sic para la oblea pulida 5*5m m de los microprocesadores del substrato del carburo de silicio del crecimiento 6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt de la semilla sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), o el carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con la fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas, los altos voltajes, o ambos. Sic está también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.
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Propiedad
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4H-SiC, solo cristal
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6H-SiC, solo cristal
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Parámetros del enrejado
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a=3.076 Å c=10.053 Å
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a=3.073 Å c=15.117 Å
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Amontonamiento de secuencia
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ABCB
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ABCACB
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Dureza de Mohs
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≈9.2
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≈9.2
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Densidad
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3,21 g/cm3
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3,21 g/cm3
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Therm. Coeficiente de la extensión
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4-5×10-6/K
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4-5×10-6/K
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Índice @750nm de la refracción
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ningunos = 2,61
ne = 2,66 |
ningunos = 2,60
ne = 2,65 |
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Constante dieléctrica
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c~9.66
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c~9.66
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Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)
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a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K |
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Conductividad termal (semiaislante)
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a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K |
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Banda-Gap
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eV 3,23
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eV 3,02
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Campo eléctrico de la avería
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los 3-5×106V/cm
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los 3-5×106V/cm
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Velocidad de deriva de la saturación
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2.0×105m/s
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2.0×105m/s
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Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de la pureza elevada 4inch (sic)
| especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic) | ||||||||||
| Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||||||
| Diámetro | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
| Grueso | 330 μm±25μm o 430±25um | |||||||||
| Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidad de Micropipe | cm2s ≤0 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤100 | ||||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Plano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Longitud plana primaria | 18,5 mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Longitud plana secundaria | 10.0mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | |||||||||
| Exclusión del borde | 1 milímetro | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||||
| Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | |||||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤3% | |||||||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | |||||||
| Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |||||||
| microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | |||||||
Sic usos
Los cristales del carburo de silicio (sic) tienen propiedades físicas y electrónicas únicas. El carburo de silicio basó los dispositivos se ha utilizado para la longitud de onda corta optoelectrónica, usos des alta temperatura, resistentes a las radiaciones. Los dispositivos electrónicos de alta potencia y de alta frecuencia hicieron con sic son superiores al Si y a los dispositivos GaAs-basados. Abajo están algunos usos populares sic de substratos.
Otros productos
sic grado simulado de la oblea 8inch sic oblea 2inch
Empaquetado – logística
Nos referimos a cada detalle del tratamiento del paquete, de la limpieza, antiestático, y por electrochoque.
¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o los casetes 25pcs en el cuarto de limpieza de 100 grados.