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Pin de elevación de obleas de zafiro pin de elevación y barra para transferencia de obleas de material Al2O3
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Máquina de adelgazamiento de obleas totalmente automática Si SiC GaN molienda de obleas ultrafinas
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Semi-aislante de silicona de carburo de obleas de SiC Substrato de orientación 0001 Arco/Warp ≤50um
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3 pulgadas InP Substrato de fosfuro de indio tipo N Semiconductor método de crecimiento VGF 111 100 orientación
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Wafer SiC de 4 pulgadas 12 pulgadas 4H tipo N Tipo Semi grado de producción grado de investigación grado de simulacro DSP personalización
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Wafer SiC 4H tipo N de carburo de silicio grado 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas DSP personalizado
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Alta resistividad Wafer de carburo de silicio de 8 pulgadas 200 mm Producción de grado 4H-N
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SiC Wafer Epitaxial Carburo de silicio 4H 4 pulgadas 6 pulgadas Industria de semiconductores de alta resistencia
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4H/6H Wafer Sic tipo P 4 pulgadas 6 pulgadas Z grado P grado D grado fuera del eje 2.0°-4.0° hacia el tipo P de dopaje
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Pin de elevación de zafiro para semiconductores Pin de elevación de cerámica Pin de zafiro de alta pureza
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Wafer de silicio fundido JGS1 JGS2 BF33 8 pulgadas 12 pulgadas de grosor 750um±25um Ra ≤ 0.5nm TTV ≤ 10um
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Wafer de zafiro monocristalino Al2O3 DSP SSP 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas plano A plano C
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Tipo 4H N Wafer SiC de tipo semitípico Wafer SiC de 6 pulgadas 12 pulgadas Substrato SiC)) 0001) Doble lado pulido Ra≤1 nm Personalización
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8 pulgadas 4H-N SiC Wafer espesor 500±25μm o personalizado N-doped de calidad de investigación de producción de simulacro
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4H/6H Wafer de carburo de silicio semi-aislante para la producción/investigación/grado falso
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