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2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer libre
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El Si dopó la oblea sin impurificar del nitruro del galio del dispositivo del laser
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Oblea modificada para requisitos particulares del nitruro del galio del tamaño 5x10m m M Axis Free Standing HVPE
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2" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate GaN-En-SIC
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Cristal simple 99,999% Al2O3 del C-plano del Ssp Dsp del substrato de las obleas del zafiro del grueso 1.0m m
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III - Nitruro oblea derecha libre de GaN de 2 PULGADAS para el dispositivo de poder de la exhibición de la proyección del laser
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El FE del Si dopó la oblea sin impurificar del nitruro del galio exhibición de la proyección del laser de 2 PULGADAS
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2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic
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cristal derecho libre de la oblea HVPE GaN del nitruro del galio de 0.4m m solo para el dispositivo
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Oblea HVPE Chip Template permanente libre 5x5/10x10/5x10 milímetro del nitruro del galio de Uno-AXIS
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Substrato sin impurificar semi aislador de la oblea del arseniuro de galio para el LED que enciende 2inch 3inch 4inch
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La oblea beta del óxido del galio coefficient-Ga2O3 dopó el dsp Ssp del substrato del cuadrado del magnesio Fe3+
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substrato Dsp Ssp de la oblea del óxido del galio de 1inch 2inch Beta Coefficient Ga 2O3
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4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
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diámetro AlN solo Crystal Semiconductor Substrate de 30m m
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