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Wafer SOI Wafer de silicio en aislante Wafer de 4 pulgadas 5 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 100 111 P Tipo N Tipo
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Grueso ultra fino 2 del substrato 100um 0.1m m de las ventanas del zafiro de la oblea del zafiro 3 obleas pulidas laterales dobles de 4 pulgadas
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GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación
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2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic
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Placa de cerámica SiC para procesamiento de obleas de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas y tamaño personalizado
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Substrato de carburo de silicio 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10 mm P grado R grado D grado
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Nitruro de galio en la oblea de silicio GaN-on-Si 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas para la tecnología CMOS
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