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obleas pulidas 300m m del zafiro de la ventana de 12Inch Sapphire Substrate para la lente óptica
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substrato de H-N Type Sic de la oblea 4 de 6inch dia150mm SIC para el dispositivo del MOS
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diámetro 150m m 4 H-N Silicon Carbide Wafer del grueso de 0.5m m
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Obleas de GE del substrato del semiconductor del germanio del SSP para la banda infrarroja 100/110 2 pulgadas
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Oblea doble 2-6” 4H N - sic dopadas obleas del carburo de silicio del polaco del lado
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Grueso fino del solo cristal 0.7m m del zafiro de la oblea del zafiro de la pureza elevada
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Substrato de pulido sic Chip Semiconductor 8inch 200m m del lingote del carburo de silicio
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oblea del carburo de silicio del grueso 4h-N 4H-SEMI SIC de 1.5m m para epitaxial
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6N oblea primera de SIC del grado HPSI del maniquí sin impurificar superficial de la pureza DSP
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4" caja de la muestra de la oblea del solo portador de la oblea/100m m sola para del silicio del zafiro el substrato sic
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Ventana 8inch Sapphire Wafer del diámetro 200m m 8inch DSP Sapphire Wafer For Epitaxial Sapphire
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300 - 900nm las películas finísimas del niobato del litio del LN-En-silicio LiNbO3 acodan en el substrato de silicio
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grado Sapphire Wafers Thickness de 2inch 50.8m m C-AXIS Miscut 4 0.175m m/0.3m m/0.4m m/0.5m m Dsp
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0.5m m LaAlO3 Crystal Wafers LAO Single Crystal Substrate
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N-tipo sic oblea del substrato 4H del semiconductor del lingote del carburo de silicio de 8inch 200m m
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