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Palabras clave 「gallium arsenide wafer」 partido 29 productos.

Semi aislante de 3 pulgadas de silicona de carburo de obleas 4H tipo N CVD Orientación 4.0 ° ± 0.5 °
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Pulgada 4Inch N de VGF 2/tipo substrato de P del semiconductor de la oblea del GaAs para el crecimiento epitaxial
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Wafer InP de 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas VGF tipo P tipo N tipo Depant Zn S Fe sin doping Grado primario Grado de prueba
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Solo arseniuro InAs Substrate de Crystal Monocrystal Semiconductor Substrate Indium
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Substratos permanentes libres semi aisladores del nitruro del galio de la oblea del GaN-En-silicio
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Dsp SSP M - zafiro Windows, oblea 10-10 10-12 de AXIS del zafiro 2 pulgadas
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TIPO obleas cristalinas monocristalinas de 2-4inch N/P de los substratos de InAs del substrato del semiconductor
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Oblea cristalina dopada Zn industrial del fosfuro de indio del INP del FE del substrato S del semiconductor sola
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Wafer GaP de 2 pulgadas tipo N sin dopado S dopado 100 DSP SSP CZ de alta pureza 5N 99,999%
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Wafer de zafiro 6 pulgadas DSP SSP C-plano ((0001) 99,999% de alta pureza monocristalino Al2O3 LED
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Wafer SiC de 4 pulgadas 4H N tipo Tipo Semi grado de producción grado de investigación grado de simulacro DSP personalización
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Oblea que recuece los hornos científicos de la temperatura alta del equipo de laboratorio 1800°C
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InAs Substrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 5 pulgadas 6 pulgadas Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP pulido
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Tipo substrato de la pulgada N de VGF 6 del semiconductor del GaAs para el crecimiento epitaxial
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