substrato del zafiro

• el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3
• grado M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A
• Pureza elevada Al2O3 99,999% Sapphire Substrate Wafer Carrier DSP SSP
• 6 pulgadas 350um 0.5mmt Sapphire Carrier Substrate Wafer SSP DSP

Gem Stone sintético

• La moissanita de color champaña creada en el laboratorio tiene una dureza de 9.25 para anillos y accesorios.
• Piedra preciosa en bruto Moissanite Esmeralda Bosque Verde Alta dureza Carburo de silicio de cristal único para el judaísmo
• Verde esmeralda Moissanita SiC de cristal único dureza de Mohs 9,25 Moissanita materia prima para joyas
• Saphiros hechos en laboratorio, piedras preciosas sintéticas, materias primas de la escala Mohs 9 para joyas, hechas transparentes.

Zafiro Windows óptico

• Sapphire Optical Windows Quartz Customized transparente circular Sapphire Lens Wafer With Hole
• Sapphire Optical Windows Quartz Material transparente circular modificó el diámetro para requisitos particulares
• Surco monocristalino de Al2O3 Sapphire Crylinder Rod Lens With
• Dureza 9,0 obleas de la lente de la bola de Ruby Sapphire Optical Windows Customized Transparent

Oblea del carburo de silicio

• Wafer de 2 pulgadas de SiC tipo 4H N tipo 6H-N tipo 4H tipo Semi tipo 6H tipo Semi doble lado pulido
• 4H N Tipo Semi Tipo Wafer SiC de 4 pulgadas DSP Producción Investigación Personalización de calibre ficticio
• 6H SiC Wafer de carburo de silicio doble lado pulido 2 pulgadas <0001> Tipo N Tipo semi
• Wafer de carburo de silicio tamaño personalizado Semi aislante Wafer de SiC casi incoloro Transparente Resistencia a la alta presión

Sapphire Tube

• Agujeros de perforación ULTRAVIOLETA de la placa de cristal del cuarzo/del Borosilicate 4,4 x 4,4 X 0.5mmt
• Al2O3 monocristalino Sapphire Glass Tube Transparent Polished
• Zafiro superficial pulido Rod de cristal con pureza elevada de la dureza recta del reborde 9,0
• Al2O3 monocristalino Sapphire Glass Tube Transparent Polished

Substrato del semiconductor

• Método de crecimiento de las obleas de silicio de 2 pulgadas tipo P-tipo N-tipo CZ BOW ≤30 para iluminación LED
• Wafer SOI Silicio en aislante Wafer Dopante P BOX Capa 0.4-3 Orientación del sustrato 100 111
• Wafer de SOI Silicio en aislante 100 mm 150 mm Tipo de dopante P Dispositivo B 220 Resistencia: 8,5-11,5 ohm-cm
• Silicio en el aislante SOI Wafer 6", 2,5 "m (dopado con P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (tipo P / dopado con boro)

equipo de laboratorio científico

• Fibra YAG para redes de comunicación óptica Resistencia a la tracción > 2200 MPa Dia 25-500 μm Eje A, Eje C
• Material de transmisión de granate de aluminio ytrío de fibra óptica YAG > 80% 400-3000 Nm Dia 25-500um
• Equipo de laboratorio científico de longitud plana aislado térmicamente Lente de enfoque fija aislada
• Lentes de enfoque fijo aislados térmicamente de pantalla LCD para ensayos de laboratorio